單晶爐及其下保溫筒制造技術

本實用新型專利技術提供了一種單晶爐的下保溫筒，包括本體、排氣口和具有排氣通孔的碳氈，其還包括連接在所述本體上，且位于所述排氣口和排氣通孔內的排氣導管。本實用新型專利技術提供的單晶爐的下保溫筒中，與現有技術相比增設了排氣導管，使其將高溫氣流與碳氈進行隔離，避免其相互接觸，減少甚至避免了碳氈被腐蝕的幾率，使碳氈在排氣口處的保溫效果更好，節省了電能，保證了排氣效果，并進一步保證單晶爐拉制單晶硅的過程能夠順利的進行。本實用新型專利技術還提供了一種具有上述下保溫筒的單晶爐。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

單晶爐及其下保溫筒
本技術涉及單晶爐
，更具體地說，涉及一種單晶爐的下保溫筒，本實 用新型還涉及一種具有上述下保溫筒的單晶爐。
技術介紹
單晶爐上是采用直拉法生產單晶硅的主要設備。在單晶爐中設置有保溫筒，其 為單晶爐內部熱場的重要組成部分，為石墨材質，一般在保溫筒外側面裹有一定厚度的碳 氈用于對單晶爐內的熱場進行保溫，依據其所處熱場的位置不同而分為上、中、下三種保溫筒。其中，下保溫筒設置在靠近單晶爐爐底的部位，位于熱場的下部，其側壁上設置有 兩個排氣口 01，纏繞在下保溫筒外壁上的碳氈02在與排氣口對應的部位開有通孔03，一定 厚度的碳氈02上的通孔03和排氣口 01組成了導出熱場中高溫氣流的通道，如圖1所示。 在單晶爐進行生產的過程中，需要不斷的將熱場中的高溫氣流從排氣口和通孔形成的通道 中輸出單晶爐，長時間運行后形成通道的碳氈會與高溫氣流中的硅蒸汽發生化學反應，導 致碳氈被腐蝕，通孔的直徑將越來越大，直接影響了保溫筒保溫的效果，使單晶爐運行的功 率升高，增加了單晶爐消耗的電能，同時也使下保溫桶的排氣口與爐體的出氣口之間產生 了較大的距離，影響了單晶爐的排氣效果，嚴重時將會導致單晶爐無法正常拉制單晶硅。綜上所述，如何提供一種單晶爐的下保溫筒，以實現減少碳氈被腐蝕的幾率，進一 步保證單晶爐拉制單晶硅的順利進行，是目前本領域技術人員亟待解決的問題。
技術實現思路
有鑒于此，本技術提供了一種單晶爐的下保溫筒，其減少了碳氈被腐蝕的幾 率，進一步保證了單晶爐拉制單晶硅能夠順利的進行。為了達到上述目的，本技術提供如下技術方案:—種單晶爐的下保溫筒，包括本體、排氣口和具有排氣通孔的碳氈，其還包括連接 在所述本體上，且位于所述排氣口和排氣通孔內的排氣導管。優選的，上述單晶爐的下保溫筒中，所述排氣導管遠離所述本體的一端伸出所述 排氣通孔。優選的，上述單晶爐的下保溫筒中，所述排氣導管遠離所述本體的一端與所述碳 氈的外側面齊平。優選的，上述單晶爐的下保溫筒中，所述碳氈包括固定部和與所述固定部可拆卸 連接的拆卸部，所述排氣通孔設置在所述拆卸部上。優選的，上述單晶爐的下保溫筒中，所述排氣導管通過絲扣與所述本體連接。優選的，上述單晶爐的下保溫筒中，所述排氣導管為石墨導管。基于上述提供的下保溫筒，本技術還提供了一種單晶爐，所述單晶爐具有上 述任意一項所述的下保溫筒。本技術提供的單晶爐的下保溫筒中，在排氣口和排氣通孔中設置了排氣導管，使得單晶爐中的高溫氣流在通過排氣口和排氣通孔的過程中，高溫氣流處于排氣導管中，從而使高溫氣流不再與碳氈接觸，避免了硅蒸汽對碳氈的腐蝕。本技術提供的單晶爐的下保溫筒中，與現有技術相比增設了排氣導管，使其將高溫氣流與碳氈進行隔離，避免其相互接觸，減少甚至避免了碳氈被腐蝕的幾率，使碳氈在排氣口處的保溫效果更好，節省了電能，保證了排氣效果，并進一步保證單晶爐拉制單晶硅的過程能夠順利的進行。本技術還提供了一種具有上述下保溫筒的單晶爐。附圖說明為了更清楚地說明本技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現有技術提供的單晶爐的下保溫筒的剖視圖；圖2為本技術實施例提供的排氣導管的結構示意圖；圖3為本技術實施例提供的單晶爐的下保溫筒的剖視圖；圖4為本技術實施例提供的單晶爐的下保溫筒的結構示意圖；圖5為本技術實施例提供的單晶爐的結構示意圖。以上圖1-圖5中:排氣口 O1、碳氈02、通孔03 ；本體1、排氣口 2、碳氈3、排氣導管4、固定部31、拆卸部32。具體實施方式為了進一步理解本技術，下面結合實施例對本技術優選實施方式進行描述，但是應當理解，這些描述只是為了進一步說明本技術的特征和優點，而不是對本技術權利要求的限制。本技術提供了一種單晶爐的下保溫筒，其減少了碳氈被腐蝕的幾率，進一步保證了單晶爐拉制單晶硅能夠順利的進行。下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。如圖2-圖5所示，本技術實施例提供的單晶爐的下保溫筒，包括本體1、排氣口 2和具有排氣通孔的碳氈3，其還包括連接在本體I上，且位于排氣口 2和排氣通孔內的排氣導管4。本實施例提供的單晶爐的下保溫筒中，在排氣口 2和排氣通孔中設置了排氣導管4，使得單晶爐中的高溫氣流在通過排氣口 2和排氣通孔的過程中，高溫氣流處于排氣導管4中，使得高溫氣流不再與碳氈3接觸，避免了硅蒸汽對碳氈3的腐蝕。本實施例提供的單晶爐的下保溫筒中，與現有技術相比增設了排氣導管4，使其將高溫氣流與碳氈3進行隔離，避免其相互接觸，減少甚至避免了碳氈3被腐蝕的幾率，使碳氈3在排氣口 2處的保溫效果更好，節省了電能，保證了排氣效果，并進一步保證單晶爐拉制單晶硅的過程能夠順利的進行。為了進一步優化上述技術方案，本實施例提供的單晶爐的下保溫筒中，排氣導管4遠離本體I的一端伸出排氣通孔。在本實施例中，將排氣導管4遠離本體I的一端設置為伸出排氣通孔的結構，使得排氣導管4的長度大于碳氈3的厚度，這樣就可以完全避免從排氣導管4內通過的高溫氣流與碳氈3接觸，最大程度的避免了高溫氣流中硅蒸汽對碳氈3的腐蝕，使得碳氈3的保溫效果不會降低，完全避免了因排氣口 2處碳氈3腐蝕對單晶爐拉制單晶硅的影響，此為優選實施方式。與上述設置方式相對應的，本實施例提供的單晶爐的下保溫筒中，排氣導管4遠離本體I的一端還可以與碳氈3的外側面齊平，當然排氣導管4的長度也可以小于碳氈3的厚度。進一步的，本實施例提供的單晶爐的下保溫筒中，碳氈3包括固定部31和與固定部31可拆卸連接的拆卸部32，排氣通孔設置在拆卸部32上，如圖4所示。為了進一步完善方案，在排氣口 2處設置排氣導管4的基礎上，還將原有的纏繞在下保溫筒外壁上的一整塊碳氈3分割為了固定部31和拆卸部32兩部分，其中拆卸部32將排氣導管4完全包圍，即排氣通孔設置在拆卸部32上，這樣即使排氣導管4周圍的碳氈3受到腐蝕后，也只需更換面積較小的拆卸部32即可，無需更換固定部31，避免了現有技術中排氣口 2處碳氈被腐蝕后需要更換整塊碳氈3的情況發生，節約了碳氈，降低了生產成本。具體的，排氣導管4通過絲扣與本體I連接。采用絲扣連接排氣導管4和本體1，因絲扣自身的結構特點，可以最大程度的減小對原有下保溫筒的改造，降低改造成本，同時也可以提高排氣導管4的通用性。當然，在不影響排氣導管4和本體I連接效果的前提下，還可以采用其他的方式對排氣導管4和本體I進行連接，例如插接、卡接等。優選的，排氣導管4為石墨導管。排氣導管4的制造材料選擇與單晶爐熱場內部其他部件材料一致的石墨材料，可以最大程度的降低因新材料的應用對熱場造成的影響，進一步保證單晶爐拉制單晶硅的順利進行。基于上述實本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種單晶爐的下保溫筒，包括本體（1）、排氣口（2）和具有排氣通孔的碳氈（3），其特征在于，還包括連接在所述本體（1）上，且位于所述排氣口（2）和排氣通孔內的排氣導管（4）。

【技術特征摘要】
1.一種單晶爐的下保溫筒，包括本體(I)、排氣口(2)和具有排氣通孔的碳氈(3)，其特征在于，還包括連接在所述本體(I)上，且位于所述排氣口(2)和排氣通孔內的排氣導管(4)。2.根據權利要求1所述的單晶爐的下保溫筒，其特征在于，所述排氣導管(4)遠離所述本體(I)的一端伸出所述排氣通孔。3.根據權利要求1所述的單晶爐的下保溫筒，其特征在于，所述排氣導管(4)遠離所述本體(I)的一端與所述碳氈(3)的外側面齊平。4.根據權利要求1...

【專利技術屬性】
技術研發人員：白劍銘，
申請(專利權)人：英利能源中國有限公司，
類型：實用新型
國別省市：