光源模組制造技術

本實用新型專利技術公開了一種光源模組，包括一散熱基板，具有一電路層；多個發(fā)光二極管晶片，直接地排列于所述散熱基板的一側并電連接于所述電路層，所述的多個發(fā)光二極管晶片的發(fā)光波段為220～450納米；以及一熱交換機構，設置于所述散熱基板的另一側。本實用新型專利技術的光源模組可降低該光源模組的高度并提升該光源模組的輻射照度。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種光源模組，尤其涉及一種利用紫外光發(fā)光二極管晶片作為發(fā)光源的光源模組。
技術介紹
紫外(ultraviolet, uv)光為一種電磁福射,其波長比可見光短,為10 400納米(nm),目前多應用于干燥、固化(curing)及微影(lithography)等領域,例如:利用紫外光照射以縮短印刷油墨干燥的時間、使紫外線固化樹脂硬化以及光阻曝光。傳統(tǒng)多使用高壓水銀燈(或稱汞燈)以產生紫外光，然而水銀燈具有耗電量高及點亮時容易產生高溫等缺點，加上水銀燈具有毒性，因而逐漸地被具有耗電量小、不含汞及使用壽命長的發(fā)光二極體所取代。配合參閱圖1，為現有技術中的紫外光發(fā)光二極體光源模組的局部剖視圖。紫外光發(fā)光二極體光源模組50包含一電路板510、多個發(fā)光二極體520及一透光罩體530,電路板510較佳地為印刷電路板(printed circuit board, PCB)且其上預先形成有多數電路布線(未圖標)及焊墊(未圖示)。發(fā)光二極體520設置于電路板510并電連接于電路板510，各發(fā)光二極體520包含一封裝座體522、二導電支架524、至少一發(fā)光二極管晶片526及一光學透鏡528,封裝座體522使用絕緣材料制作而成并具有一容置槽523。導電支架524的一端貫穿封裝座體522并位于容置槽523，另一端自封裝座體522外側翻轉至封裝座體522底面，用以與電路板510形成電性連接。發(fā)光二極管晶片526設置于該容置槽523，并通過多數導線527電連接于多個導電支架524,其中發(fā)光二極體520可以包含一個或多個發(fā)光二極管晶片526,于此僅以一個為例說明。光學透鏡528可以為膠體，如環(huán)氧樹脂Gpoxy)或硅樹脂(silicon)，并填充于容置槽523以包覆多數導線527及發(fā)光二極管晶片526 ;另外，光學透鏡528具有一外凸弧面，以擴大通過的光線的折射角度。封裝座體522雖然可以有效地提升發(fā)光二極體520的絕緣性，但卻使得發(fā)光二極體520的散熱效果差，致使發(fā)光二極管晶片526的發(fā)光效率及使用壽命降低；加上發(fā)光二極體520必須包含封裝座體522及光學透鏡528，使得整體的體積大，使得相鄰的二發(fā)光二極體520之間的排列距離d大，也即多個發(fā)光二極體520無法達到緊密排列，進而使得紫外光發(fā)光二極體光源模組50的光均勻度差。另外，環(huán)氧樹脂或硅樹脂制成的光學透鏡528于吸收紫外光后，會逐漸地劣化變黃，使得紫外光發(fā)光二極體光源模組50的光穿透率差并產生色偏。此外，透光罩體530與發(fā)光二極管晶片526之間的設置距離h大大的影響紫外光發(fā)光二極體光源模組50的光均勻度；當透光罩體530距離發(fā)光二極管晶片526近，雖然可以有效地提升投射至透光罩體530之光線的輻射照度，但卻使得光均勻度差；若提高透光罩體530與發(fā)光二極管晶片526之間的設置距離h，雖然可以使紫外光發(fā)光二極體光源模組50的光均勻度提升，但卻使得輻射照度減弱，并可能致使紫外光發(fā)光二極體光源模組50無法符合干燥、固化及微影的需求。
技術實現思路
本技術的目的是提供一種光源模組，可以有效地降低整體高度以提供輻射照度并產生一均勻出光面。為實現上述目的，本技術提供一種光源模組，包括一散熱基板，具有一電路層；多個發(fā)光二極管晶片，直接地排列于所述散熱基板的一側并電連接于所述電路層，所述的多個發(fā)光二極管晶片的發(fā)光波段為220 450納米；以及一熱交換機構，設置于所述散熱基板的另一側。較佳地，還包括一透光罩體，撐立于所述散熱基板設置有所述的多個發(fā)光二極管晶片的一側并罩合所述的多個發(fā)光二極管晶片。較佳地，所述的多個發(fā)光二極管晶片的發(fā)光波段為365納米、385納米及395納米的其中之一。較佳地，所述的多個發(fā)光二極管晶片呈矩陣排列。較佳地，相鄰的兩列沿著一第一軸向排列的多個發(fā)光二極管晶片分別于一垂直于所述第一軸向的第二軸向呈錯位設置。較佳地，所述的多個發(fā)光二極管晶片包含:多個第一發(fā)光二極管晶片，所述第一發(fā)光二極管晶片的發(fā)光波段為390 400納米；多個第二發(fā)光二極管晶片，所述第二發(fā)光二極管晶片的發(fā)光波段為380 390納米；多個第三發(fā)光二極管晶片，所述第三發(fā)光二極管晶片的發(fā)光波段為360 370納米。較佳地，所述第一發(fā)光二極管晶片的發(fā)光波段395納米，所述第二發(fā)光二極體的發(fā)光波段為385納米，所述第三發(fā)光二極體的發(fā)光波段為365納米。較佳地，還包括多個導線，跨接于所述的多個發(fā)光二極管晶片及所述電路層。較佳地，所述透光罩體包括一抗紅外線鍍膜，設置于所述透光罩體的一內表面。較佳地，還包括一座體、一固定框及多個固定件，所述座體具有多個固定孔，所述固定框位于所述透光罩體的一側并具有多個對應所述固定孔的穿孔，所述的多個固定件貫穿所述的多個穿孔并固接于所述固定孔使所述透光罩體與所述座體合形成一容置空間，所述散熱基板、所述的多個發(fā)光二極管晶片及熱交換機構位于所述容置空間。與現有技術相比，本技術的光源模組的發(fā)光二極管晶片直接地設置于散熱基板上，可以降低相鄰的兩發(fā)光二極管晶片的排列距離，以提升光源模組的出光均勻度 ’另夕卜，可以降低透光罩體與發(fā)光二極管晶片之間的設置距離，使光源模組的整體高度降低并提升光源模組的輻射照度，以適用于干燥、固化及微影的需求。通過以下的描述并結合附圖，本技術將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本技術的實施例。附圖說明圖1為現有技術中的紫外光發(fā)光二極體光源模組的局部剖視圖。圖2為本技術光源模組第一實施例的光源模組的立體分解圖。圖3為本技術光源模組第一實施例的光源模組的組合圖。圖4為本技術光源模組第一實施例的光源模組的剖視圖。圖5為本技術光源模組第一實施例的光源模組的局部剖視圖及光行進路徑示意圖。圖6中(a)、(b)為本技術光源模組第一實施例的光源模組的局部放大圖。圖7為本技術光源模組第二實施例的發(fā)光二極管晶片在電路基板上的排列示意圖。圖8為本技術光源模組第三實施例的發(fā)光二極管晶片在電路基板上的排列示意圖。具體實施方式現在參考附圖描述本技術的實施例，附圖中類似的元件標號代表類似的元件。—般而言，發(fā)光二極管晶片(light emitting diode chip,或稱發(fā)光二極體晶粒)，是指于一單晶片(如:藍寶石基板)上通過磊晶成長法做成的磊晶片，于形成金屬電極后再行切割而成的多個單元，并且各個切割而得的單元可以獨立發(fā)光。配合參閱圖2、圖3及圖4，分別為本技術第一實施例的光源模組的立體分解圖、組合圖及剖視圖。光源模組10供設置于干燥機、固化機或曝光機，并朝向照射物投射光線，照射物對應設置有光源模組10專用的油墨、(樹脂)膠材及光阻，光源模組10主要用以提升油墨的干燥速度、使(樹脂)膠材固化以及于光阻上形成對應光罩的圖案。光源模組10包含一散熱基板110、多個發(fā)光二極管晶片120、一透光罩體130及一熱交換機構140。散熱基板110大致呈矩形，但不以此為限。散熱基板110為具有高熱傳導性的基板，其可以使用銅、鋁等金屬、復合性金屬或陶瓷等低熱阻材料制成，并且散熱基板110的其中的一表面111形成有一電路層112，電路層112可以為銀漿線路或銅箔線路。于本實施例中，電路層112形成于散熱基板110的上表面。發(fā)光二極管晶片120的發(fā)光本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種光源模組，包括：一散熱基板，具有一電路層；多個發(fā)光二極管晶片，直接地排列于所述散熱基板的一側并電連接于所述電路層，所述的多個發(fā)光二極管晶片的發(fā)光波段為220～450納米；以及一熱交換機構，設置于所述散熱基板的另一側。

【技術特征摘要】
2011.12.30 TW 1002251541.一種光源模組，包括: 一散熱基板，具有一電路層； 多個發(fā)光二極管晶片，直接地排列于所述散熱基板的一側并電連接于所述電路層，所述的多個發(fā)光二極管晶片的發(fā)光波段為220 450納米；以及 一熱交換機構，設置于所述散熱基板的另一側。2.如權利要求1所述的光源模組，其特征在于:還包括一透光罩體，撐立于所述散熱基板設置有所述的多個發(fā)光二極管晶片的一側并罩合所述的多個發(fā)光二極管晶片。3.如權利要求1所述的光源模組，其特征在于:所述的多個發(fā)光二極管晶片的發(fā)光波段為365納米、385納米及395納米的其中之一。4.如權利要求1所述的光源模組，其特征在于:所述的多個發(fā)光二極管晶片呈矩陣排列。5.如權利要求1所述的光源模組，其特征在于:相鄰的兩列沿著一第一軸向排列的多個發(fā)光二極管晶片分別于一垂直于所述第一軸向的第二軸向呈錯位設置。6.如權利要求4或5所述的光源模組，其特征在于:所述的多個發(fā)光二極管晶片包含: 多個第一發(fā)光二極管晶片，所...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：陳建仰，
申請(專利權)人：志圣工業(yè)股份有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44