高響度電子助聽器制造技術

本發明專利技術提供了一種高響度電子助聽器。它包括3V直流電源、拾音電路及音頻前置放大電路、音頻信號調節電路、BTL方式放大電路，其特征在于：所述的BTL方式放大電路中的音頻放大器芯片IC1使用的型號為TDA2822M。本發明專利技術所述的高響度電子助聽器所用的音頻功率放大器芯片，它常用在隨身聽、便攜式的微小型收錄機、電腦音響中作功率放大、DVD等音響設備上；該音頻放大器芯片具有集成度高、外圍元件少、且工作電壓范圍寬、在電壓低于1.8V時仍能正常工作、具有靜態電流小、耗電少、音質好等特點。本發明專利技術所述的高響度電子助聽器有著電路簡單、輸出功率完全滿足聽覺有障礙人的要求，彌補了市場上有些助聽器存在的一些缺憾。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術屬于電子技術與音頻放大
，是關于一種高響度電子助聽器。
技術介紹
品牌助聽器多用專用集成功放電路設計制作，電路中的集成電路外圍元件較多，且電路結構較為復雜。本專利技術所述的高響度電子助聽器所用的音頻放大器芯片(TDA2822M)，它常用在隨身聽、便攜式的微小型收錄機、DVD等音響設備、電腦音響中作功率放大；音頻功率放大器芯片具有集成度高、外圍元件少、且工作電壓范圍寬、在電壓低于1.8V時仍能正常工作，具有靜態電流小、耗電少、音質好等特點。本專利技術所述的高響度電子助聽器有著電路簡單、輸出功率·完全滿足聽覺有障礙人的要求，彌補了市場上有些助聽器存在的一些缺憾等問題。以下詳細說明本專利技術所述的高響度電子助聽器在實施過程中所涉及的有關
技術實現思路
。
技術實現思路
專利技術目的及有益效果:品牌助聽器多用專用集成功放電路設計制作，電路中的集成電路外圍元件較多，且電路結構較為復雜。本專利技術所述的高響度電子助聽器所用的音頻放大器芯片(TDA2822M)，它常用在隨身聽、便攜式的微小型收錄機、DVD等音響設備、電腦音響中作功率放大；音頻功率放大器芯片具有集成度高、外圍元件少、且工作電壓范圍寬、在電壓低于1.8V時仍能正常工作，具有靜態電流小、耗電少、音質好等特點。本專利技術所述的高響度電子助聽器有著電路簡單、輸出功率完全滿足聽覺有障礙人的要求，彌補了市場上有些助聽器存在的一些缺憾等問題。電路工作原理:高響度電子助聽器采用2節1.5V五號電池供電，很便于攜帶。由駐極體話筒MIC拾取到的聲音信號，由NPN型晶體管BGl及其相關元器件構成音頻前置放大電路，經電解電容C3退偶掉3V直流電源中的雜亂成分后為音頻前置放大電路提供工作電源。電阻Rl為駐極體話筒MIC內部電路提供適當的偏置電壓，使其能夠正常工作。音頻前置放大電路輸出音頻信號經過電解電容C2和音量控制電位器RP送至音頻功率放大器。此音頻功率放大器由音頻放大器芯片ICl (DTA2822M)及周圍元器件構成。這種音頻放大器芯片為便攜式、小功率電器而專門設計，它采用8腳雙列直插式DIP封裝。音頻放大器芯片中放大器的輸出接成BTL方式放大電路，它可直接驅動32 Ω單聲道高阻耳機，電容C6是為改善音頻信號的音質，為保證音頻信號的輸出質量。高響度電子助聽器電路的音頻輸出功率為1W，靜態工作電流彡1mA。技術方案:高響度電子助聽器，它包括3V直流電源、拾音電路及音頻前置放大電路、音頻信號調節電路、BTL方式放大電路，其特征在于:拾音電路及音頻前置放大電路:它由駐極體話筒MIC、電阻R1、耦合電容C1、NPN型晶體管BG1、負反饋電阻R2、負載電阻R3和交流負反饋電阻R4組成，駐極體話筒MIC的輸出端接電阻Rl的一端和耦合電容Cl的一端，電阻Rl的另一端接電路正極VCC，駐極體話筒MIC的外殼端接電路地GND，耦合電容Cl的另一端和負反饋電阻R2的一端接NPN型晶體管BGl的基極，NPN型晶體管BGl的集電極接負反饋電阻R2的另一端和負載電阻R3的一端，負載電阻R3的另一端接電路正極VCC，NPN型晶體管BGl的發射極通過交流負反饋電阻R4接電路地GND ；音頻信號調節電路:電解電容Cl的正極接NPN型晶體管BGl的集電極，電解電容Cl的負極接線性電位器RP的活動端，線性電位器RP的一端接音頻放大器芯片ICl的第7腳,線性電位器RP的另一端接電路地GND ；BTL方式放大電路:音頻放大器芯片ICl使用的型號為TDA2822M，音頻放大器芯片ICl的第8腳接電解電容C4的正極，音頻放大器芯片ICl的5腳接電解電容C4的負極和電容C5的一端，電容C5的另一端接電路地GND，音頻放大器芯片ICl的第2腳接電路正極VCC,音頻放大器芯片ICl的第4腳與第6腳接電路地GND，音頻放大器芯片ICl的第I腳接電容C6的一端和耳塞機EP的一端,音頻放大器芯片ICl的第3腳接電容C6的另一端和耳塞機EP的另一端； 3V直流電源正極與電路正極VCC相連，3V直流電源負極與電路地GND相連。附圖說明附圖1是本專利技術提供一個高響度電子助聽器的實施例電路工作原理圖；為減少電磁信號的干擾，要求駐極體話筒MIC的外殼接電路地GND。具體實施例方式按照附圖1所示的高響度電子助聽器電路工作原理圖和附圖說明，并按照
技術實現思路
所述的各部分電路中元器件之間連接關系，以及實施方式中所述的元器件技術參數要求和電路制作要點進行實施即可實現本專利技術，以下結合實施例對本專利技術的相關技術作進一步的描述。元器件的選擇及技術參數音頻放大器芯片ICl的型號為TDA2822M為8腳雙列直插式封裝結構，本專利技術實施例中選用的是TDA2822M集成電路；NPN型晶體管BGl選用2SC9014等型號，要求其放大倍數β彡120 ;電阻使用RTX-1/16W型金屬膜電阻、電阻Rl的阻值2.2Κ Ω、電阻R2的阻值330ΚΩ、電阻R3的阻值680Ω、電阻R4的阻值33Ω ;RP選用線性電位器，其阻值為12ΚΩ ；電容Cl、電容C5選用的容量均為0.0lyF ;電容C2、電容C6選用滌綸電容，其容量均為0.1yF ;電解電容C3、電解電容C4選用的容量分別為470yF/10V、10yF/10V ；MIC為駐極體話筒，選用兩輸出端子的駐極體話筒，駐極體話筒MIC的外殼接電路地 GND ；EP為耳塞機，選用動圈式耳塞機，其阻抗為32 40 Ω，注意選用耳塞機的阻抗越小，音頻輸出功率就 越大，但音質略有下降。電路制作要點與電路調試高響度電子助聽器，因音頻輸出功率不大，音頻放大器芯片ICl的散熱可以通過加寬PCB線路板的銅箔引線和焊盤的尺寸，利用音頻放大器芯片ICl的引腳直接由PCB線路板的銅箔引線和焊盤進行散熱；當音量開至最大時，音頻放大器芯片ICl (TDA2822M)的塑封外表只有一點微溫；電路焊好后經檢查無誤，首先不用接耳機，助聽器電路接上3V直流電源，線性電位器RP的活動端旋轉到音量最大的位置，讓助手對著駐極體話筒MIC講話或播放音樂，音頻放大器芯片ICl的輸出端第I腳與第3腳之間應有0.2V以上的音頻電壓；接著在音頻放大器芯片ICl的輸出端接上耳機，耳機應發出較大的聲音；改變電阻Rl的阻值可以使音質達到最佳；本專利技術不僅聲音洪亮、清晰，而且能夠清楚地聽到遠處發出的細弱聲音。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種高響度電子助聽器，它包括3V直流電源、拾音電路及音頻前置放大電路、音頻信號調節電路、BTL方式放大電路，其特征在于：所述的拾音電路及音頻前置放大電路由駐極體話筒MIC、電阻R1、耦合電容C1、NPN型晶體管BG1、負反饋電阻R2、負載電阻R3和交流負反饋電阻R4組成，駐極體話筒MIC的輸出端接電阻R1的一端和耦合電容C1的一端，電阻R1的另一端接電路正極VCC，駐極體話筒MIC的外殼端接電路地GND，耦合電容C1的另一端和負反饋電阻R2的一端接NPN型晶體管BG1的基極，NPN型晶體管BG1的集電極接負反饋電阻R2的另一端和負載電阻R3的一端，負載電阻R3的另一端接電路正極VCC，NPN型晶體管BG1的發射極通過交流負反饋電阻R4接電路地GND；所述的音頻信號調節電路中電解電容C1的正極接NPN型晶體管BG1的集電極，電解電容C1的負極接線性電位器RP的活動端，線性電位器RP的一端接音頻放大器芯片IC1的第7腳，線性電位器RP的另一端接電路地GND；所述的BTL方式放大電路中的音頻放大器芯片IC1使用的型號為TDA2822M，音頻放大器芯片IC1的第8腳接電解電容C4的正極，音頻放大器芯片IC1的5腳接電解電容C4的負極和電容C5的一端，電容C5的另一端接電路地GND，音頻放大器芯片IC1的第2腳接電路正極VCC，音頻放大器芯片IC1的第4腳與第6腳接電路地GND，音頻放大器芯片IC1的第1腳接電容C6的一端和耳塞機EP的一端，音頻放大器芯片IC1的第3腳接電容C6的另一端和耳塞機EP的另一端；所述的3V直流電源正極與電路正極VCC相連，3V直流電源負極與電路地GND相連。...

【技術特征摘要】
1.一種高響度電子助聽器，它包括3V直流電源、拾音電路及音頻前置放大電路、音頻信號調節電路、BTL方式放大電路，其特征在于: 所述的拾音電路及音頻前置放大電路由駐極體話筒MIC、電阻R1、耦合電容Cl、NPN型晶體管BG1、負反饋電阻R2、負載電阻R3和交流負反饋電阻R4組成，駐極體話筒MIC的輸出端接電阻Rl的一端和耦合電容Cl的一端，電阻Rl的另一端接電路正極VCC，駐極體話筒MIC的外殼端接電路地GND，耦合電容Cl的另一端和負反饋電阻R2的一端接NPN型晶體管BGl的基極，NPN型晶體管BGl的集電極接負反饋電阻R2的另一端和負載電阻R3的一端，負載電阻R3的另一端接電路正極VCC，NPN型晶體管BGl的發射極通過交流負反饋電阻R4接電路地GND ； 所述的音頻信號調節電路中電解電容Cl的正...

【專利技術屬性】
技術研發人員：吳建堂，
申請(專利權)人：吳建堂，
類型：發明
國別省市：