本發明專利技術是關于一種低電壓單管調頻無線話筒。該低電壓單管調頻無線話筒其技術特征在于它由1.5V電池、拾音電路、晶體管偏置電路、高頻振蕩及發射電路組成。本發明專利技術所述的低電壓單管調頻無線話筒采用單節1.5V電池、單只NPN型晶體管，通過改變高頻振蕩電路的振蕩頻率,?從而將聲音信號調制成為調頻波。因電路只使用一只NPN型晶體管，電路受前后級的牽扯和干擾少，使得振蕩電路的頻率比較穩定，適合用于無線耳機等高保真度信號傳輸，適用于課堂教學、旅游等領域。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于電子及通訊
，是關于一種低電壓單管調頻無線話筒。
技術介紹
本專利技術采用單節1.5V電池、單只NPN型晶體管，通過改變高頻振蕩電路的振蕩頻率，從而將聲音信號調制成為調頻波。因電路只使用一只NPN型晶體管，電路受前后級的牽扯和干擾少，使得振蕩電路的頻率比較穩定，適合用于無線耳機等高保真度信號傳輸，適用于課堂教學、旅游等領域。試驗證明:本專利技術使用普通分立元件制作一個低電壓單管調頻無線話筒，實現了調頻無線話筒電路結構簡單，制作容易、高頻振蕩頻率穩定、耗電少等目標。低電壓單管調頻無線話筒的發射距離可達30m。以下詳細說明本專利技術所述的低電壓單管調頻無線話筒在制作過程中涉及的相關
技術實現思路
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技術實現思路
專利技術目的及有益效果:本專利技術采用單節1.5V電池、單只NPN型晶體管，通過改變高頻振蕩電路的振蕩頻率，從而將聲音信號調制成為調頻波。因電路只使用一只NPN型晶體管，電路受前后級的牽扯和干擾少，使得振蕩電路的頻率比較穩定，適合用于無線耳機等高保真度信號傳輸，適用于課堂教學、旅游等領域。技術特征:低電壓單管調頻無線話筒，它由1.5V電池、拾音電路、晶體管偏置電路、高頻振蕩及發射電路組成，其特征包括:拾音電路:它由駐極體話筒MIC、電阻R1、電解電容Cl組成，駐極體話筒MIC的輸出端D接電阻Rl的一端和電解電容Cl的正極，駐極體話筒MIC的金屬外殼S與電路地GND相連，電阻Rl的另一端接電路正極VCC ；晶體管偏置電路:它由NPN型晶體管BGl、電阻R2組成，NPN型晶體管BGl的基極接電阻R2的一端，電阻R2的另一端接電路正極VCC ；高頻振蕩及發射電路:它由NPN型晶體管BG1、電容C2、高頻振蕩線圈LI和L2、負反饋電容C3、負反饋電阻R3、耦合電容C4及發射天線AT組成，NPN型晶體管BGl的集電極接電容C2的一端、高頻振蕩線圈L2的一端和負反饋電容C3的一端，高頻振蕩線圈L2的另一端接高頻振蕩線圈LI的一端和耦合電容C4的一端，電容C2的另一端和高頻振蕩線圈LI的另一端接電路正極VCC，耦合電容C4的另一端接發射天線AT，負反饋電容C3的另一端接NPN型晶體管BGl的發射極和負反饋電阻R3的一端，負反饋電阻R3的另一端與電路地GND相連。1.5V電池正極與電路正極VCC相連，1.5V電池的負極與電路地GND相連。電路工作原理:低電壓單管調頻無線話筒由駐極體話筒MIC將聲音信號轉變為音頻電流，接著由NPN型晶體管BGl、高頻振蕩線圈L1、L2和電容C2組成的高頻振蕩器，調制成調頻信號由發射天線AT輻射到空間。在距該調頻無線話筒30m范圍之內，由FM波段調頻廣播收音機接收，經收音機放大后由收音機的揚聲器還原成聲音。發射距離與NPN型晶體管BGl的工作電流大小有關。附圖說附圖1是本專利技術提供一個低電壓單管調頻無線話筒的實施例電路工作原理圖。具體實施例方式按照附圖1所示低電壓單管調頻無線話筒的電路工作原理圖和附圖說明，并且按照實施例所述的元器件技術要求進行實施即可實現本專利技術。元器件的選擇及其技術參數選擇NPN型晶體管BGl時，要求晶體管的特征頻率fT大于300MHz，選用2SC9018中功率晶體管，要求β ^ 110 ；MIC為駐極體話筒,駐極體話筒MIC應選用兩端輸出式的話筒,其漏極D為音頻信號輸出端，駐極體話筒的金屬外殼與源極S相連后接電路地GND ;將場效應管接成漏極D為輸出端，這樣有利于提高輸出信號電壓增益，可使駐極體話筒的靈敏度增加；為提高電路的抗干擾性要求駐極體話筒MIC的金屬外殼S接電路地GND ;駐極體話筒靈敏度越高，無線話筒的效果越好；駐極體話筒MIC可選用型號為CM-18W型(<t 10mmX6.5mm)；電阻選用功率為1/8W金屬膜電阻或碳膜電阻，電阻Rl的阻值為6.2ΚΩ ;電阻R2的阻值為IOK Ω ;負反饋電阻R3的阻值為6.2 Ω ；Cl為電解電容，容量是10 μ F/1OV ；C2為瓷片電容，容量是8.2PF ；C3為瓷片電容，容量是18PF ；C4為瓷片電容，容量是47PF。電路制作要點及電路調試1.高頻振蕩線圈L制作:高頻振蕩線圈分為兩段線圈繞制，要求繞向相同，高頻振蕩線圈LI用0 0.5mm漆包線在0 5mm骨架上繞4匝，高頻振蕩線圈L2繞3匝；2.發射天線AT用一根0.6m長的拉桿天線，或選用0.Sm長的軟導線，發射天線AT的一端焊在耦合電容C4的一端上，發射天線AT的另一端伸展開；3.先檢查印刷電路板和焊接質量，應無短路和虛、假焊現象，然后即可接通1.5V電池。用萬用表直流電壓檔測量NPN型晶體管BGl的基極與發射極之間電壓應該> 0.75V,將高頻振蕩線圈LI的兩端短路一下，NPN型晶體管BGl的基極與發射極之間電壓應有有所變化，這說明高頻振蕩電路已經開始工作；4.晶體管偏置電路中的電阻R2阻值大小可改變NPN型晶體管BGl的工作電流；5.打開調頻收音機，將調頻無線話筒的發射天線AT靠近調頻收音機，然后對駐極體話筒MIC講話，慢慢同時轉動調頻收音機調諧旋鈕，調諧到調頻收音機收到聲音信號聲為止；6.若調頻收音機在調諧范圍內收 不到調頻無線話筒發射的信號，可適當拉伸或壓縮高頻振蕩線圈LI，改變高頻振蕩線圈LI的間距寬度，再仔細調諧調頻收音機，直至能收到清晰的聲音信號；接著逐漸拉開無線話筒和調頻收音機之間的距離，直到距離達到30m時，仍能收到清晰的聲音信號為止。本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種低電壓單管調頻無線話筒，它由1.5V電池、拾音電路、晶體管偏置電路、高頻振蕩及發射電路組成，其特征包括：所述的拾音電路由駐極體話筒MIC、電阻R1、電解電容C1組成，駐極體話筒MIC的輸出端D接電阻R1的一端和電解電容C1的正極，駐極體話筒MIC的金屬外殼S與電路地GND相連，電阻R1的另一端接電路正極VCC；所述的晶體管偏置電路由NPN型晶體管BG1、電阻R2組成，NPN型晶體管BG1的基極接電阻R2的一端，電阻R2的另一端接電路正極VCC；所述的高頻振蕩及發射電路由NPN型晶體管BG1、電容C2、高頻振蕩線圈L1和L2、負反饋電容C3、負反饋電阻R3、耦合電容C4及發射天線AT組成，NPN型晶體管BG1的集電極接電容C2的一端、高頻振蕩線圈L2的一端和負反饋電容C3的一端，高頻振蕩線圈L2的另一端接高頻振蕩線圈L1的一端和耦合電容C4的一端，電容C2的另一端和高頻振蕩線圈L1的另一端接電路正極VCC，耦合電容C4的另一端接發射天線AT，負反饋電容C3的另一端接NPN型晶體管BG1的發射極和負反饋電阻R3的一端，負反饋電阻R3的另一端與電路地GND相連。
【技術特征摘要】
1.一種低電壓單管調頻無線話筒，它由1.5V電池、拾音電路、晶體管偏置電路、高頻振蕩及發射電路組成，其特征包括: 所述的拾音電路由駐極體話筒MIC、電阻R1、電解電容Cl組成，駐極體話筒MIC的輸出端D接電阻Rl的一端和電解電容Cl的正極，駐極體話筒MIC的金屬外殼S與電路地GND相連，電阻Rl的另一端接電路正極VCC ； 所述的晶體管偏置電路由NPN型晶體管BG1、電阻R2組成，NPN型晶體管BGl的基極接電阻R2的一端，電阻R2的另一端接電路正極VCC ； 所述的高頻振蕩及發射電路由NPN型晶體管BG1、電容C2、高頻振蕩線圈LI和L2、負反饋電容...
【專利技術屬性】
技術研發人員：周蕓，
申請(專利權)人：周蕓，
類型：發明
國別省市：
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