支撐基板制造技術

本發明專利技術涉及一種支撐基板，所述支撐基板是被貼附在被支撐基板上以支撐被支撐基板的支撐基板，具備：具有貼附在上述被支撐基板上的貼附面的支撐基板主體；和至少形成在上述支撐基板主體的表面中的貼附面的相反側的表面上的以摻氟氧化錫為主體的導電膜。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及支撐半導體晶片等基板的支撐基板，特別涉及能夠通過靜電吸附固定的支撐基板。
技術介紹
近年，隨著手機、數碼AV機器以及IC卡等的高功能化，對搭載的半導體(硅)芯片的小型化、薄型化以及高度集成化的要求正在變高。因此，對于半導體基板，要求使厚度更薄，進行使用磨床磨削形成了電路的半導體基板的內表面的內表面磨削(backgrind)。此外,在所述半導體基板上形成氧化膜等薄膜，涂布光刻膠將圖案曝光后，通過等離子體處理等干蝕刻進行不需要的薄膜的除去。半導體基板的磨削工序和干蝕刻工序中，伴隨著磨削的摩擦熱和通過等離子體照射等基板的溫度過度上升，因此，存在基板上形成的器件(電路)受到損傷的擔憂。因此，進行基板的磨削工序等時，要求固定在冷卻性能優異的基板支撐臺上進行。作為上述基板支撐臺上的固定方法，可以例舉通過向基板施加電壓使可移動離子移動從而靠靜電吸附基板的所謂靜電吸盤法。靜電吸盤法，具體地，例如圖10所示，通過由直流電源25、26構成的吸附電源24在設置于陶瓷這樣的絕緣體21內的電極22、23上施加電壓，在作為吸附物的基板P和上述電極22、23之間產生正、負電荷，通過在其間活動的靜電力(例如庫侖力)將基板P吸附并保持在保持臺(以下也表示為靜電吸盤)20上(例如，參照專利文獻I)。這些工序(基板磨削工序、干蝕刻工序)中，對于經磨削、干蝕刻等的基板，貼合玻璃、硬質塑料等支撐基板，保持基板的強度。藉此，可以防止在經磨削的半導體基板上產生裂紋和翹曲。但是，玻璃基板等絕緣基板中，由于基板中存在的可移動離子少，有時通過靜電吸盤法不能充分固定。因此，提出在由絕緣基板構成的支撐基板的一個表面上設置(I)通過施加電場產生電場極化的膜或(2)具有導電性的膜等(例如，參照專利文獻2)。現有技術文獻專利文獻專利文獻1:日本專利特開平6-334024號公報專利文獻2:日本專利特開2000-208594號公報
技術實現思路
專利技術所要解決的技術問題作為具有導電性的膜，例如使用由摻錫氧化銦構成的導電膜(以下表示為ITO膜)。但是，ITO膜對藥品等的耐久性低，容易產生膜的劣化。如果膜的劣化進展下去，則支撐基板主體的外周部被蝕刻、支撐基板主體和膜之間產生間隙，存在不能穩定支撐半導體基板的擔憂。此外，再利用支撐基板時，如果由于用于表面清洗的藥品而產生膜的劣化，則需要在支撐基板主體上再次形成膜，存在妨礙有效的再循環的擔憂。本專利技術是為了解決上述課題而完成的專利技術，目的在于提供使采用靜電吸盤的吸附保持成為可能，能夠抑制由經磨削等的被支撐基板的熱引起的損傷，且耐久性優異的支撐基板。解決技術問題所采用的技術手段S卩，本專利技術的支撐基板是被貼附在被支撐基板上以支撐該被支撐基板的支撐基板，具備:具有貼附在上述被支撐基板上的貼附面的支撐基板主體；和至少形成在上述支撐基板主體的表面中的貼附面和相反面上的以摻氟氧化錫為主體的導電膜。此外，上述支撐基板，理想的是上述支撐基板主體的全部表面被上述導電膜覆蓋。此外，上述導電膜的厚度理想的是5nm 2 y m。此外，上述支撐基板主體的端面的曲率半徑R優選為50 800 iim。此外，上述導電膜的薄膜電阻理想的是IOOkQ/ □以下。專利技術的效果根據本專利技術，通過在支撐基板主體的表面設置以摻氟氧化錫為主體的導電膜，可制成能夠通過靜電吸盤對研磨器械等吸附保持，能夠抑制經磨削、蝕刻等的被支撐基板由于熱產生的損傷，且耐久性優異的支撐基板。附圖說明圖1是表示本專利技術的支撐基板的一例的剖面圖。圖2是表示使本專利技術的支撐基板和被該支撐基板支撐的半導體晶片貼合的狀態的剖面圖。圖3是表示適用于本專利技術的支撐基板的支撐基板主體的一例的剖面圖。圖4是表示本專利技術的支撐基板的一例的斜視圖。圖5是表示本專利技術的支撐基板的一例的剖面圖。圖6是表示被本專利技術的支撐基板支撐的半導體晶片的一例的斜視圖。圖7是表示在支撐基板主體上貼附半導體晶片時的狀態的斜視圖。圖8是表示在支撐基板主體上貼附了半導體晶片的狀態的斜視圖。圖9是表示被本專利技術的支撐基板支撐的半導體晶片的磨削加工工序中使用的磨削裝置的一例的斜視圖。圖10是表示吸附保持基板的方法的一例的圖。具體實施例方式以下，對本專利技術進行詳細說明。本專利技術是被貼附在被支撐基板上以支撐該被支撐基板的支撐基板，具備:具有貼附在上述被支撐基板上的貼附面的支撐基板主體；和至少形成在上述支撐基板主體的表面中的貼附面的相反面上的以摻氟氧化錫(以下稱為FT0)為主體的導電膜。根據本專利技術，通過在上述支撐基板主體的表面中的至少貼附面的相反面上形成以FTO為主體的導電膜，能夠通過靜電吸盤對磨削器械等吸附保持。因此，可以抑制由伴隨磨削處理、干蝕刻處理等生成的熱引起的被支撐基板的損傷。此外，通過形成以FTO為主體的導電膜，耐久性被提高，可以提高循環性能。圖1是表示使本專利技術的支撐基板的一例的剖面圖，圖2是表示將本專利技術的支撐基板和被該支撐基板支撐的半導體晶片貼合的狀態的剖面圖。支撐基板I具有略平板狀的支撐基板主體2。使支撐基板主體2的一個主面為貼附在半導體晶片等被支撐基板(以下表示為半導體晶片)4上的貼附面2a。此外，貼附面2a的另一個主面為在磨削工序等中被支撐在基板支撐臺11 (參照圖9)上的保持面2b，設置導電膜3以覆蓋該保持面2b —帶。支撐基板I例如如圖2所示，通過用粘合劑6在貼附面2a上貼附半導體晶片4的器件形成面4a，支撐半導體晶片4。導電膜3是用于使支撐基板I能夠通過靜電吸盤吸附支撐的構件，以FTO為主體構成。導電膜3不限于由FTO單獨形成的膜，例如可以含有用于提高由FTO構成的膜和支撐基板I的密合性的相當于中間層或中間膜等的膜。導電膜3的厚度優選5nm以上，更優選50nm以上，進一步優選IOOnm以上。優選2u m以下，特別優選Ium以下。如果導電膜的厚度不足5nm，則有不能充分得到靜電吸附的效果之虞，此外，有不能得到充分的耐久性之虞。另一方面，如果導電膜3的厚度超過2 u m，則膜形成需要的時間增加，有生產率降低之虞。導電膜3的薄膜電阻優選IOOkQ/ □以下。更優選IOkQ/ □以下。最優選1000Q/ □以下。如果導電膜3的薄膜電阻超過IOOkQ/ □，則不能充分得到靜電吸附的效果，有不能通過靜電吸盤吸附保持之虞。作為支撐基板主體2的材質，只要是具有能夠支撐經磨削、蝕刻的半導體晶片4的強度的材質即可，沒有特別限定，可以使用例如玻璃、金屬、陶瓷、硅等。其中，特別是從透光性的觀點，適合使用玻璃。此外，支撐基板主體2例如如圖3所示，其外周部的端面2S可以形成在圓弧上，優選該端面2S的曲率半徑R為50 800 ii m。如果支撐基板主體2的外周部的端面2S的曲率半徑R不足50 u m,則有例如與支撐基板主體2的保持面2b —并在側面2c、2d等上也設置導電膜3時，不能形成均勻的厚度之虞。另一方面，如果支撐基板主體2的外周部的端面2S的曲率半徑R超過800 u m，則外周部的機械強度有降低之虞。支撐基板主體2的厚度沒有特別限定，從穩定支撐半導體晶片4的觀點考慮，優選為 300 1000 u m。如果支撐基板主體2的厚度不足300 u m,則由于操作性差，耐久性下降等，有作為支撐基板的成品率下降低之虞。另一方面，支撐基板主體2的厚度超過100本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2010.08.06 JP 2010-1777461.一種支撐基板，所述支撐基板是被貼附在被支撐基板上以支撐該被支撐基板的支撐基板，具備:具有貼附在上述被支撐基板上的貼附面的支撐基板主體；和至少形成在上述支撐基板主體的表面中的貼附面的相反側的表面上的以摻氟氧化錫為主體的導電膜。2.如...

【專利技術屬性】
技術研發人員：古川一也，西原芳幸，
申請(專利權)人：旭硝子株式會社，
類型：
國別省市：