發光二極管晶粒制造技術

一種發光二極管晶粒，包括基板、依次形成于基板上的第一半導體層、有源層及第二半導體層，所述基板采用透明氧化銦錫材料，該基板中分布有納米氫化碳化硅顆粒，從而使發光二極管晶粒內部產生的熱量較易于向外散發，提高散熱效率。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體結構，尤其涉及一種發光二極管晶粒。
技術介紹
現有的發光二極管(Light Emitting Diode, LED)晶粒包括基板、在基板上生長的N型半導體層、有源層、P型半導體層以及電極，有源層形成于N型半導體和P型半導體之間。發光二極管通電后，來自N型半導體的電子和來自P型半導體的空穴發生復合，產生的能量一部分以光的形式發出，一部分以熱的形式發出。然而發光二極管產生的熱量如不及時消散，將會對有源層的發光特性產生不利的影響。通常采用的藍寶石或氮化鎵基板的導熱率不佳，因此熱量會長時間聚集在發光二極管晶粒內部而難于散發出去，不 但使晶粒的發光效率降低，而且進一步影響發光二極管晶粒的電學特性，從而加劇熱量的產生和累積，形成惡性循環，最終導致發光二極管的壽命縮短。
技術實現思路
有鑒于此，有必要提供一種散熱效果良好的發光二極管晶粒。一種發光二極管晶粒，包括基板、依次形成于基板上的第一半導體層、有源層及第二半導體層，所述基板采用透明氧化銦錫材料，該基板中分布有納米氫化碳化硅顆粒。本專利技術采用透明氧化銦錫作為基板的材料，并于基板內分布具有良好熱傳導率的納米氫化碳化硅顆粒，使發光二極管晶粒內部產生的熱量較易于向外散發，提高散熱效率。此外，基板還可以作為電極使用，因為基板的主要材質氧化銦錫及其內部的納米氫化碳化硅顆粒均為透明的且具有良好的導電性，所以該基板不但能夠提高發光二極管晶粒的電流分布均勻度，還能夠提高出光效率。附圖說明圖1是本專利技術一實施方式提供的一種發光二極管晶粒的剖視示意圖。主要元件符號說明

【技術保護點】
一種發光二極管晶粒，包括基板、依次形成于基板上的第一半導體層、有源層及第二半導體層，其特征在于：所述基板采用透明氧化銦錫材料，該基板中分布有納米氫化碳化硅顆粒。

【技術特征摘要】
1.一種發光二極管晶粒，包括基板、依次形成于基板上的第一半導體層、有源層及第二半導體層，其特征在于:所述基板采用透明氧化銦錫材料，該基板中分布有納米氫化碳化硅顆粒。2.如權利要求1所述的發光二極管晶粒，其特征在于:所述納米氫化碳化硅顆粒的粒徑為20至200納米。3.如權利要求1所述的發光二極管晶粒，其特征在于:所述第二半導體層上還形成有電極，該電極內分布有納米氫化碳化硅顆粒。4.如權利要求1所述的發光二極管晶粒，其特征在于:所述第一半導體層內分布有第二納米...

【專利技術屬性】
技術研發人員：張秀萍，
申請(專利權)人：富士邁半導體精密工業上海有限公司，晶鼎能源科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：