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    一種用于動物成像的磁共振成像超導磁體制造技術

    技術編號:8656570 閱讀:208 留言:0更新日期:2013-05-02 00:19
    一種用于動物成像的磁共振成像超導磁體,其超導磁體由超導主線圈(2)、超導軸向屏蔽線圈(3)和超導徑向屏蔽線圈(4)組成,所有線圈均為以對稱軸(8)為中心軸的軸對稱螺線管線圈。超導主線圈(2)為三對通以正向電流的螺線管線圈,超導軸向屏蔽線圈(3)為一對通以反向電流的螺線管線圈。超導主線圈(2)和超導軸向屏蔽線圈(3)均關于對稱平面(9)正對稱布置;超導徑向屏蔽線圈(4)為一個通以反向電流的螺線管線圈,超導徑向屏蔽線圈的中平面與對稱平面(9)重合。超導磁體在中心位置的三個直徑分別為80mm、150mm和200mm同心球形區域(5、6和7)產生高度均勻的磁場分布,5高斯雜散場分別在徑向和軸向方向限制在1.5m和2.2m橢球范圍內。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及一種磁共振成像超導磁體。
    技術介紹
    磁共振成像(Magnetic Resonance Imaging, MRI)超導磁體系統一般由超導磁體、室溫勻場線圈、梯度線圈、射頻線圈、低溫容器、制冷機、磁場測量系統和計算機等部件組成。其中,超導磁體是MRI系統中造價最為昂貴的核心部件,其功能主要是在一個中心區域內產生高度均勻的磁場分布,中心區域的形狀一般為球形結構。MRI 一般還需對5高斯雜散場范圍進行約束,約束方法有被動屏蔽和主動屏蔽技術之分,被動屏蔽技術是指在放置MRI系統房間的墻壁內,布置磁性鐵片以構成磁通回路,使得5高斯雜散場的空間范圍降低到一定范圍內;主動屏蔽技術在超導磁體內安裝通以反向電流方向的線圈來降低5高斯雜散磁場范圍。主動屏蔽技術可有效降低整個超導磁體系統的重量和體積,已經廣泛應用于各類MRI超導磁體系統中。近年來,活體動物MRI成像技術廣泛應用于生物和醫療等研究領域,該成像技術可在活體完整的微循環下研究病理機制;在基因治療后表型改變前,評價基因治療的早期效果;同時還可開展活體介入式手術治療。動物成像MRI超導磁體一般需要在相對較小的球形區域內產生峰峰值磁場不均勻度優于5ppm的高均勻磁場分布,通常球形區域的直徑分別為80mm、150mm和200mm,以滿足不同尺寸的動物成像的需求。1989年日本日立研究和發展中心提出一種中心磁場強度為4.7T的磁共振成像超導磁體,超導磁體由七個超導主線圈組成,其室溫孔直徑為300_,七個超導主線圈共同在中心直徑為IOOmm球形區域產生的磁場峰峰值不均勻度為l.0ppm,該超導磁體沒有主動屏蔽線圈,因此對周圍電子產品產生影響。
    技術實現思路
    本專利技術的目的是克服現有磁共振成像超導磁體系統中心磁場強度低和雜散場范圍偏大等缺點,提出一種新的磁共振成像超導磁體。本專利技術超導磁體在空間產生中心磁感應強度為4.7T的高均勻度磁場分布,在保持傳統的一對超導軸向屏蔽線圈的基礎上,添加了一個超導徑向屏蔽線圈,使得5高斯雜散場分別在徑向和軸向方向限制在1.5m和2.2m橢球范圍內。本專利技術所提出的用于動物成像的磁共振成像超導磁體主要由三對超導主線圈、一對超導軸向屏蔽線圈和一個超導徑向屏蔽線圈組成。三對超導主線圈、一對超導軸向屏蔽線圈和一個超導徑向屏蔽線圈均布置在一個預布置線圈空間范圍內,所述的預布置線圈具有矩形截面。三對超導主線圈沿著軸向方向布置在預布置線圈空間矩形截面的內徑最小處,線圈的面積沿著軸向方向由對稱平面向兩端部方向逐漸變大。超導軸向屏蔽線圈布置在預布置線圈空間內軸向位置距離中平面最遠處,且超導軸向屏蔽線圈的徑向位置在最小內徑至最大外徑的2/3位置處。超導徑向屏蔽線圈布置在預布置線圈空間的最大外徑處,超導徑向屏蔽線圈的中平面與對稱面重合。超導主線圈提供中心磁感應強度為5.4757T,超導軸向屏蔽線圈和超導徑向屏蔽線圈共同產生中心磁感應強度為-0.7757T,超導主線圈、超導軸向屏蔽線圈和超導徑向屏蔽線圈共同產生4.7T的中心磁場。超導磁體具有水平室溫孔,室溫孔的直徑大于300mm,超導主線圈、超導軸向屏蔽線圈和超導徑向屏蔽線圈在中心區域三個直徑分別為80mm、150mm和200mm的同心球形區域共同產生0.03ppm、0.40ppm和2.0Oppm高度均勻的磁場分布,5高斯雜散場分別在徑向和軸向方向限制在1.5m和2.2m橢球范圍內。附圖說明圖1本專利技術實施例的超導磁體結構示意圖;圖2本專利技術實施例的超導磁體在三個中心球形區域產生的磁場均勻度等高線分布圖;圖3本專利技術實施例的超導磁體在空間產生的5高斯雜散場等高線圖。具體實施例方式以下結合附圖及具體實施方式進一步說明本專利技術。圖1為本專利技術實施例的超導磁體結構示意圖。如圖1所示,超導磁體由超導主線圈2、超導軸向屏蔽線圈3和超導徑向屏蔽線圈4組成。所述的超導主線圈2、超導軸向屏蔽線圈3和超導徑向屏蔽線圈4共同作用產生中心磁感應強度為4.7T的高度均勻的磁場分布,磁感應強度方向朝向對稱軸8的正方向。超導主線圈2、超導軸向屏蔽線圈3和超導徑向屏蔽線圈4均安裝在預布置線圈空間I內,預布置線圈空間I的截面為矩形,該矩形軸向位置為-0.5m ^ z ^ 0.5m,徑向位置為0.25m彡r彡0.673m。三對超導主線圈2沿著軸向方向布置在預布置線圈空間I矩形截面的內徑最小處。三對超導主線圈2的面積沿著軸向方向由對稱平面9向兩端部方向逐`漸變大,三對主線圈2的面積之比為1:1.5:4.5。超導軸向屏蔽線圈3布置在預布置線圈空間I內,位于軸向位置距離中平面9最遠處,且超導軸向屏蔽線圈3的徑向位置在最小內徑至最大外徑的2/3位置處。超導徑向屏蔽線圈4布置在預布置線圈空間I的最大外徑處,其中平面與對稱面9重合。若超導主線圈2、超導軸向屏蔽線圈3和超導徑向屏蔽線圈4中電流方向與對稱軸8符合右手定則,則將線圈中電流方向定義為正向電流;若超導主線圈2、超導軸向屏蔽線圈3和超導徑向屏蔽線圈4中電流方向與對稱軸8不符合右手定則,則將線圈中電流方法定義為反向電流。超導主線圈2為三對通以正向電流的螺線管線圈,超導軸向屏蔽線圈3為一對反向電流的螺線管線圈,超導主線圈2和超導軸向屏蔽線圈3均關于對稱平面9正對稱布置;超導徑向屏蔽線圈4為一個通以反向電流的螺線管線圈,超導徑向屏蔽線圈的中平面與對稱平面9重合。超導主線圈2提供中心磁感應強度為5.4757T,超導軸向屏蔽線圈3和超導徑向屏蔽線圈4共同產生中心磁感應強度為-0.7757T,超導主線圈2、超導軸向屏蔽線圈3和超導徑向屏蔽線圈4共同產生4.7T的中心磁場。超導磁體具有水平室溫孔直徑大于300mm,水平室溫孔以對稱軸8為中心軸,超導主線圈2、超導軸向屏蔽線圈3和超導徑向屏蔽線圈4共同作用在中心區域三個直徑分別為80mm、150mm和200mm的同心球形區域5、6和7共同產生0.03ppm、0.40ppm和2.0Oppm高度均勻的磁場分布。圖2為本專利技術實施例的超導磁體在三個中心球形區域產生的磁場均勻度等高線分布圖。三個中心球形區域分別由三個同心圓直徑分別為80mm、150mm和200mm表不,超導磁體在三個中心球形區域分別產生磁場峰峰值不均勻度分別為0.03ppm、0.40ppm和2.0Oppnio圖3為本專利技術實施例的超導磁體在空間產生的5高斯雜散場等高線圖,超導軸向屏蔽線圈主要功能是約束5高斯雜散場的軸向范圍,超導徑向屏蔽線圈主要功能是約束5高斯雜散場的徑向范圍,超導軸向屏蔽線圈和超導徑向屏蔽線圈共同作用使得5高斯雜散場分別在徑向和軸向方向限制在1.5m和2.2m橢球范圍內。本文檔來自技高網
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    【技術保護點】
    一種用于動物成像的磁共振成像超導磁體,其特征在于,所述的超導磁體由超導主線圈(2)、超導軸向屏蔽線圈(3)和超導徑向屏蔽線圈(4)組成;所述的超導主線圈(2)、超導軸向屏蔽線圈(3)和超導徑向屏蔽線圈(4)均為以對稱軸(8)為中心軸的軸對稱螺線管線圈;超導主線圈(2)為三對通以正向電流的螺線管線圈;超導軸向屏蔽線圈(3)為一對通以反向電流的螺線管線圈;超導主線圈(2)和超導軸向屏蔽線圈(3)均關于對稱平面(9)正對稱布置;超導徑向屏蔽線圈(4)為一個通以反向電流的螺線管線圈,超導徑向屏蔽線圈(4)的中平面與對稱平面(9)重合;超導主線圈(2)、超導軸向屏蔽線圈(3)和超導徑向屏蔽線圈(4)在三個同心球形區域(5、6、7)共同產生磁場高度均勻的空間磁場分布;超導軸向屏蔽線圈(3)和超導徑向屏蔽線圈(4)共同作用使得5高斯雜散場約束在一個橢球形區域內。

    【技術特征摘要】
    1.一種用于動物成像的磁共振成像超導磁體,其特征在于,所述的超導磁體由超導主線圈(2)、超導軸向屏蔽線圈(3)和超導徑向屏蔽線圈(4)組成;所述的超導主線圈(2)、超導軸向屏蔽線圈(3)和超導徑向屏蔽線圈(4)均為以對稱軸(8)為中心軸的軸對稱螺線管線圈;超導主線圈(2)為三對通以正向電流的螺線管線圈;超導軸向屏蔽線圈(3)為一對通以反向電流的螺線管線圈;超導主線圈(2)和超導軸向屏蔽線圈(3)均關于對稱平面(9)正對稱布置;超導徑向屏蔽線圈(4)為一個通以反向電流的螺線管線圈,超導徑向屏蔽線圈(4)的中平面與對稱平面(9)重合;超導主線圈(2)、超導軸向屏蔽線圈(3)和超導徑向屏蔽線圈(4)在三個同心球形區域(5、6、7)共同產生磁場高度均勻的空間磁場分布;超導軸向屏蔽線圈(3)和超導徑向屏蔽線圈(4)共同作用使得5高斯雜散場約束在一個橢球形區域內。2.按照權利要求1所述的一種用于動物成像的磁共振成像超導磁體,其特征在于,所述的超導主線圈(2)、超導軸向屏蔽線圈(3)和超導徑向屏蔽線圈(4)共同產生中心磁感應強度為4.7T的磁場分布,磁場方向朝向對稱軸(8)的正方向;超導主線圈(2)、超導軸向屏蔽線圈(3)和超導徑向屏蔽線圈(4)均安裝在預布置線圈空間(I)內,預布置線圈空間(I)的截面為矩形,該矩形軸向位置為-0.5m ≤ z ≤ 0.5m,徑向位置為0.25m ≤ r ≤0.673m ;若線圈中電流方向與對稱軸(8)符合右手定則,則將線圈中電流方向定義為正向電流;若線圈中電流方向與對稱軸(8)不符合右手定則,則將線圈中電流方法定義為反向電流。超導主線圈(2)為三對通以正向電流的螺線管線圈,超導軸向屏蔽線圈(3)為一對反向電流的螺線管線圈,超導主線圈(2)和超導軸向屏蔽線圈(3)均關于對稱平面(9)正對稱布置;超導徑向屏蔽線圈(4...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:倪志鵬,王秋良,嚴陸光
    申請(專利權)人:中國科學院電工研究所
    類型:發明
    國別省市:

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