本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其包括電路部分和驅(qū)動(dòng)時(shí)序部分；所述電路部分包括第一開關(guān)晶體管，第二開關(guān)晶體管，第三開關(guān)晶體管，第四開關(guān)晶體管，驅(qū)動(dòng)晶體管，第一電容，第二電容和有機(jī)發(fā)光二極管；所述驅(qū)動(dòng)時(shí)序部分包括第一掃描線，第二掃描線，發(fā)光控制線和數(shù)據(jù)線；所述驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)序可分為補(bǔ)償階段、數(shù)據(jù)輸入階段和顯示階段。本發(fā)明專利技術(shù)OLED像素驅(qū)動(dòng)電路不僅可以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓（Vth）不均勻而且可以消除電源IR壓降對AM-OLED顯示均勻性影響，從而最大限度改善了AM-OLED的顯示效果，提高了AM-OLED的顯示效果和顯示壽命，同時(shí)簡化了像素電路驅(qū)動(dòng)時(shí)序，改善了像素內(nèi)部平面layout和抗干擾性能。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種像素驅(qū)動(dòng)電路，尤其涉及一種應(yīng)用于LTPS的OLED像素驅(qū)動(dòng)電路及其類似電路。
技術(shù)介紹
低溫多晶娃技術(shù)LTPS (Low Temperature Poly-silicon)最初是日本北美的技術(shù)企業(yè)為了降低Note-PC顯示屏的能耗，令Note-PC顯得更薄更輕而研發(fā)的技術(shù)，大約在九十年代中期這項(xiàng)技術(shù)開始走向試用階段。由LTPS衍生的新一代有機(jī)發(fā)光液晶面板OLED也于1998年正式走上實(shí)用階段，它的最大優(yōu)勢在于超薄、重量輕、低耗電，同時(shí)其自身發(fā)光的特點(diǎn)，因而可以提供更艷麗的色彩和更清晰的影像，而更為重要的是，生產(chǎn)成本只有普通液晶面板的 1/3。AM-OLED (Active Matrix/Organic Light Emitting Diode)是有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板，相比傳統(tǒng)的液晶面板，AM-OLED具有反應(yīng)速度較快、對比度更高、視角較廣等特點(diǎn)。傳統(tǒng)AM-OLED采用2T1C驅(qū)動(dòng)方式，其中一個(gè)開關(guān)晶體管，一個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管和一個(gè)存儲(chǔ)電容，到掃描線有效時(shí)，開關(guān)晶體管打開，將數(shù)據(jù)信號存儲(chǔ)到存儲(chǔ)電容；存儲(chǔ)電容存儲(chǔ)的電壓信號控制驅(qū)動(dòng)晶體管的導(dǎo)通，將輸入的數(shù)據(jù)電壓信號轉(zhuǎn)換成OLED發(fā)光需要的電流信號來顯示不同的灰階。因目前LTPS制程采用的鐳射退火技術(shù)，制作的晶體管的閾值電壓(Vth)在空間上存在不均勻的特性，致使各個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓(Vth)存在較大的差異。在低灰階畫面下，使用2T1C結(jié)構(gòu)的LTPS AM-OLED在同一方向上小范圍的不均勻性會(huì)達(dá)到30% 40%，即使相鄰晶體管之間的差異可以達(dá)到20%。同時(shí)，在LTPS晶體管的像素電源線較長時(shí)，像素電路的電源會(huì)產(chǎn)生較大的IR壓降，造成AM-OLED顯示上嚴(yán)重的灰度不均。在低灰階畫面下，同樣2T1C結(jié)構(gòu)的電路1. OV的IR壓降，亮度不均就會(huì)達(dá)到70%以上。因此，實(shí)際應(yīng)用的AM-OLED像素電路多采用增加電路來補(bǔ)償閾值電壓(Vth)和IR壓降的方式，消除因?yàn)榫w管的閾值電壓(Vth)和IR壓降造成的AM-OLED顯示短程和長程不均的問題。圖1是LTPS AM-OLED常用的2T1C像素電路，Tl是開關(guān)晶體管，T2是驅(qū)動(dòng)晶體管，Cl是存儲(chǔ)電容。電路通過存儲(chǔ)電容Cl控制流過驅(qū)動(dòng)晶體管T2的電流，來實(shí)現(xiàn)OLED的灰階顯示。但此電路不能補(bǔ)償晶體管閾值電壓(Vth)不均勻和電源IR壓降(IR drop)對AM-OLED顯示不均的影響。針對LTPS晶體管閾值電壓(Vth)不均勻的問題，先前技術(shù)中提出了一種4T2C的補(bǔ)償電路，有效地補(bǔ)償了 LTPS晶體管閾值電壓(Vth)對AM-OLED造成顯示不均勻問題，附圖2是該先前技術(shù)像素電路結(jié)構(gòu)，附圖3是該先前技術(shù)的驅(qū)動(dòng)該電路的時(shí)序。從附圖3看出，需要拉出3條控制線和I條數(shù)據(jù)線，該像素電路在顯示時(shí)需要消耗額外的時(shí)間來做Vth補(bǔ)償?shù)膭?dòng)作，相鄰像素行的控制線也無法實(shí)現(xiàn)共享，每一行獨(dú)立引出的引線較多，從而影響到面板內(nèi)的layout。該電路不能補(bǔ)償IR壓降，并且使用了比較復(fù)雜的時(shí)序
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
針對上述存在的問題，本專利技術(shù)的目的是提供一種OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，對閾值電壓(Vth)和IR壓降都進(jìn)行了補(bǔ)償，可以有效改善因?yàn)閂th漂移和電源IR壓降對AM-OLED顯示不均的影響，同時(shí)采用簡單的驅(qū)動(dòng)時(shí)序，增加每幀內(nèi)的AM-OLED發(fā)光時(shí)間，有利于改善AM-OLED的亮度和提高OLED的壽命。本專利技術(shù)的目的是通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其中，包括電路部分和驅(qū)動(dòng)時(shí)序部分；所述電路部分包括第一開關(guān)晶體管，第二開關(guān)晶體管，第三開關(guān)晶體管，第四開關(guān)晶體管，驅(qū)動(dòng)晶體管，第一電容，第二電容和有機(jī)發(fā)光二極管；所述第一開關(guān)晶體管的柵極接當(dāng)前的第二掃描線，所述第一開關(guān)晶體管的第一電極接數(shù)據(jù)線，所述第一開關(guān)晶體管的第二電極與所述第二電容連接，所述第二電容的另一端連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一電極接第一電源，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二電極接所述第四開關(guān)晶體管的第一電極，所述第四開關(guān)晶體管的第二電極接所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極，柵極接發(fā)光控制線，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接地；在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一電極與柵極之間接第一電容，所述第三開關(guān)晶體管的第二電極接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，所述第三開關(guān)晶體管的第一電極接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二電極，所述第三開關(guān)晶體管的柵極接第一掃描線，所述第二開關(guān)晶體管的第一電極接參考電源，柵極接第一掃描線，所述第二開關(guān)晶體管的第二電極接所述第一開關(guān)晶體管的第二電極；所述驅(qū)動(dòng)時(shí)序部分包括第二掃描線，第一掃描線，發(fā)光控制線和數(shù)據(jù)線；所述驅(qū)動(dòng)的時(shí)序包括補(bǔ)償階段、數(shù)據(jù)輸入階段和顯示階段；在所述補(bǔ)償階段，所述第一掃描線上為低電平，所述發(fā)光控制線上為高電平，所述第二掃描線上為高點(diǎn)平，所述數(shù)據(jù)線為低電平；在所述數(shù)據(jù)輸入階段，所述第一掃描線上為高電平，所述發(fā)光控制線上為高電平，所述第二掃描線上為低電平，所述數(shù)據(jù)線為高電平；在所述顯示階段，所述第一掃描線上為高電平，所述發(fā)光控制線上為低電平，所述第二掃描線上為高電平，所述數(shù)據(jù)線為低電平。上述OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其中，要求一對依次施加到所述第一掃描線和所述第二掃描線的掃描信號，在時(shí)序上彼此的有效信號區(qū)域不能有交疊。上述OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其中，令所述第二開關(guān)晶體管的第二電極、所述第一開關(guān)晶體管的第二電極與所述第二電容的連接處為A點(diǎn)；在所述數(shù)據(jù)輸入階段，A點(diǎn)電壓變?yōu)樗鰯?shù)據(jù)線上電平，所述數(shù)據(jù)線上電平通過所述第二電容耦合到N點(diǎn)。上述OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其中，在所述顯示階段，N點(diǎn)的電壓由所述第一電容保持，并保持所述數(shù)據(jù)輸入階段的電壓不變。上述OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述第三開關(guān)晶體管為雙柵M0SFET。上述OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其中，要求一對依次施加到所述第一掃描線和所述第二掃描線的掃描信號，在時(shí)序上彼此的有效信號區(qū)域不能有交疊。上述OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其中，施加到所述第一掃描線和所述第二掃描線的掃描信號維持時(shí)間不少于一個(gè)水平掃描周期。上述OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述參考電源所產(chǎn)生的參考電平為具有固定準(zhǔn)位的電壓信號，不會(huì)隨時(shí)間和顯示的內(nèi)容改變。上述OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述第一電源的電壓準(zhǔn)位高于所述第二電源的電壓準(zhǔn)位。上述OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其中，所有像素電路的參考電源(Vref )所產(chǎn)生的參考電平具有相同的電壓準(zhǔn)位。相比于現(xiàn)有的像素電路，本專利技術(shù)的有益效果在于(I)對Vth和IR Drop都進(jìn)行了補(bǔ)償，使Vth和電源線IR Drop對IOLED的影響可以減少到1. 6%和3%左右；(2)有效地改善了因?yàn)殚撝惦妷?Vth)漂移和電源IR壓降對AM-OLED顯示不均的影響；(3)消除電源IR drop對AM-OLED顯示均勻性影響，從而最大限度的改善了AM-OLED的顯示效果，提高了 AM-OLED的顯示效果和顯示壽命。同時(shí)本專利技術(shù)簡化了像素電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序，改善了平面layout和抗干擾性能，增加了每幀內(nèi)的AM-OLED發(fā)光時(shí)間，有利于改善AM-OLED的亮度和提高OLED的壽命。附圖說明圖1示出了傳統(tǒng)LTPS AM-OLED常用的2T1C像素電路結(jié)構(gòu)；圖2示出了先前技術(shù)中的一種4T2C的補(bǔ)償像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖3示出了圖2中4T2C補(bǔ)償像素電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖；圖本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于：包括電路部分和驅(qū)動(dòng)時(shí)序部分；所述電路部分包括第一開關(guān)晶體管（T1），第二開關(guān)晶體管（T2），第三開關(guān)晶體管（T3），第四開關(guān)晶體管（T4），驅(qū)動(dòng)晶體管（T5），第一電容（C1），第二電容（C2）和有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）；所述第一開關(guān)晶體管（T1）的柵極接當(dāng)前的第二掃描線（Gn），所述第一開關(guān)晶體管（T1）的第一電極接數(shù)據(jù)線（Dn），所述第一開關(guān)晶體管（T1）的第二電極與所述第二電容（C2）連接，所述第二電容（C2）的另一端連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管（T5）的柵極，所述驅(qū)動(dòng)晶體管（T5）的第一電極接第一電源（ELVDD），所述驅(qū)動(dòng)晶體管（T5）的第二電極接所述第四開關(guān)晶體管（T4）的第一電極，所述第四開關(guān)晶體管（T4）的第二電極接所述有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）的陽極，柵極接發(fā)光控制線（EMn），所述有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）的陰極接第二電源（ELVSS）；在所述驅(qū)動(dòng)晶體管（T5）的第一電極與柵極之間接第一電容（C1），所述第三開關(guān)晶體管（T3）的第二電極接所述驅(qū)動(dòng)晶體管（T5）的柵極，所述第三開關(guān)晶體管（T3）的第一電極接所述驅(qū)動(dòng)晶體管（T5）的第二電極，所述第三開關(guān)晶體管（T3）的柵極接第一掃描線（Gn?1），所述第二開關(guān)晶體管（T2）的第一電極接參考電源（Vref），柵極接第一掃描線（Gn?1），所述第二開關(guān)晶體管（T2）的第二電極接所述第一開關(guān)晶體管（T1）的第二電極；所述驅(qū)動(dòng)時(shí)序部分包括第二掃描線（Gn），第一掃描線（Gn?1）， 發(fā)光控制線（EMn）和數(shù)據(jù)線（Dn）；所述驅(qū)動(dòng)的時(shí)序包括補(bǔ)償階段、數(shù)據(jù)輸入階段和顯示階段；在所述補(bǔ)償階段，所述第一掃描線（Gn?1）上為低電平，所述發(fā)光控制線（EMn）上為高電平，所述第二掃描線（Gn）上為高點(diǎn)平，所述數(shù)據(jù)線（Dn）為低電平；在所述數(shù)據(jù)輸入階段，所述第一掃描線（Gn?1）上為高電平，所述發(fā)光控制線（EMn）上為高電平，所述第二掃描線（Gn）上為低電平，所述數(shù)據(jù)線（Dn）為高電平；在所述顯示階段，所述第一掃描線（Gn?1）上為高電平，所述發(fā)光控制線（EMn）上為低電平，所述第二掃描線（Gn）上為高電平，所述數(shù)據(jù)線（Dn）為低電平。...
【技術(shù)特征摘要】
1.一種OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:包括電路部分和驅(qū)動(dòng)時(shí)序部分； 所述電路部分包括第一開關(guān)晶體管(Tl)，第二開關(guān)晶體管(T2)，第三開關(guān)晶體管(T3)，第四開關(guān)晶體管(T4)，驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)，第一電容(Cl)，第二電容(C2)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)； 所述第一開關(guān)晶體管(Tl)的柵極接當(dāng)前的第二掃描線(Gn)，所述第一開關(guān)晶體管(Tl)的第一電極接數(shù)據(jù)線(Dn)，所述第一開關(guān)晶體管(Tl)的第二電極與所述第二電容(C2)連接，所述第二電容(C2)的另一端連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的柵極，所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的第一電極接第一電源(ELVDD)，所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的第二電極接所述第四開關(guān)晶體管(T4)的第一電極，所述第四開關(guān)晶體管(T4)的第二電極接所述有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的陽極，柵極接發(fā)光控制線(EMn)，所述有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的陰極接第二電源(ELVSS)； 在所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的第一電極與柵極之間接第一電容(Cl)，所述第三開關(guān)晶體管(T3)的第二電極接所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的柵極，所述第三開關(guān)晶體管(T3)的第一電極接所述驅(qū)動(dòng)晶體管(T5)的第二電極，所述第三開關(guān)晶體管(T3)的柵極接第一掃描線(Gn-Ι)，所述第二開關(guān)晶體管(T2)的第一電極接參考電源(Vref)，柵極接第一掃描線(Gn-Ι)，所述第二開關(guān)晶體管(T2)的第二電極接所述第一開關(guān)晶體管(Tl)的第二電極； 所述驅(qū)動(dòng)時(shí)序部分包括第二掃描線(Gn)，第一掃描線(Gn-1 )，發(fā)光控制線(EMn)和數(shù)據(jù)線(Dn);所述驅(qū)動(dòng)的時(shí)序包括補(bǔ)償階段、數(shù)據(jù)輸入階段和顯示階段； 在所述補(bǔ)償階段，所述第一掃描線(Gn-1)上為低電平，所述發(fā)光控制線(EMn)上為高電平，所述第二掃描線(Gn)上為高點(diǎn)平，所述數(shù)據(jù)線(Dn)為低電平； 在所述數(shù)據(jù)輸入階段，所述第一掃描線(Gn-1)上為高電平，所述發(fā)光控制線(EMn)上為高電平，所述第二掃描線(...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：秦永亮，陳志宏，黃初旺，
申請(專利權(quán))人：上海和輝光電有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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