一種PDP模組局部低放電消除方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種PDP模組局部低放電消除方法的技術(shù)方案，該方案通過調(diào)整每根掃描電極輸出掃描脈沖寬度的大小，調(diào)整對應區(qū)域?qū)ぶ贩烹姷膹娙酰M一步調(diào)整尋址放電后壁電荷的量，使單元產(chǎn)生穩(wěn)定正常的維持放電。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及的是一種等離子模組的調(diào)試方法，尤其是一種PDP模組局部低放電消除方法。
技術(shù)介紹
在現(xiàn)有技術(shù)中，公知的技術(shù)是PDP模組驅(qū)動波形主要由復位期(reset)、尋址期(address)及維持期(sustain)組成。復位期通過斜坡波形對屏施加較高的電壓，使所有的放電單元產(chǎn)生放電，并使各單元在尋址期開始前，放電狀態(tài)盡可能趨于一致。尋址期Y電極施加掃描脈沖，并且對需要點亮的單元在A電極施加尋址脈沖信號，使需要點亮的單元產(chǎn)生放電，并積重新累壁電荷，以便于維持期正常放電。維持期X、Y電極交替施加維持脈沖信號，需點亮的單元持續(xù)放電發(fā)光。PDP屏由多個單獨的放電單元組成，每一個放電單元受屏材料、結(jié)構(gòu)及制造工藝等影響，放電特性可能不同，并且可能產(chǎn)生放電不良。為消除放電不良，一般措施是對復位期的波形或電壓進行調(diào)整，但調(diào)整的范圍、效果都有一定限制，而且可能影響尋址放電特性。尋址期放電差異體現(xiàn)在，要選定的單元如果不能放電或放電較弱時，在維持區(qū)間就可能會出現(xiàn)放電失敗(低放電)；尋址放電時不應該放電的單元出現(xiàn)放電，則會在sustain區(qū)間發(fā)生連續(xù)放電誤放電。目前的應對方法是根據(jù)不同的子場，設置不同的尋址波形，消除子場間尋址放電差異，但對于因單元狀態(tài)差異導致的尋址放電狀態(tài)偏差并沒有很好的效果。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的，就是針對現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足，而提供一種PDP模組局部低放電消除方法的技術(shù)方案，該方案能夠通過調(diào)整每根掃描電極輸出掃描脈沖寬度的大小，調(diào)整對應區(qū)域?qū)ぶ贩烹姷膹娙?，進一步調(diào)整尋址放電后壁電荷的量，使單元產(chǎn)生穩(wěn)定正常的維持放電。本方案是通過如下技術(shù)措施來實現(xiàn)的一種PDP模組局部低放電消除方法 a.針對任意區(qū)域的第一行尋址放電較弱的情況，增加該區(qū)域放電較弱單元第一行的Y電極輸出掃描脈沖的寬度； b.針對任意區(qū)域的尋址放電較弱的情況，增加該區(qū)域放電較弱單元對應行的Y電極輸出掃描脈沖的寬度； c.針對任意區(qū)域的維持期誤放電的情況，減少該區(qū)域誤放電單元對應行的Y電極輸出的掃描脈沖的寬度。作為本方案的優(yōu)選步驟a中，在不同的子場，增加的第一行Y電極輸出掃描脈沖的寬度可不相同；步驟b中，在不同的子場，增加該區(qū)域放電較弱單元對應行的Y電極輸出掃描脈沖的寬度可不相同；步驟c中，在不同的子場中，減少該區(qū)域誤放電單元對應行的Y電極輸出的掃描脈沖的寬度可不相同。本方案的有益效果可根據(jù)對上述方案的敘述得知，由于在該方案中通過調(diào)整每根掃描電極輸出掃描脈沖寬度的大小，調(diào)整對應區(qū)域?qū)ぶ贩烹姷膹娙酰M一步調(diào)整尋址放電后壁電荷的量能夠使單元產(chǎn)生穩(wěn)定正常的維持放電；該方法通過在一個子場內(nèi)對不同放電狀態(tài)區(qū)域?qū)男惺┘硬煌瑢挾鹊膾呙杳}沖，針對性改善低放電或誤放電不良，比以前使用的對每個子場設置不同掃描脈沖寬度的方法更有效的控制所有子場不同區(qū)域的放電狀態(tài)差異。由此可見，本專利技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有突出的實質(zhì)性特點和顯著地進步，其實施的有益效果也是顯而易見的。附圖說明圖1為本專利技術(shù)等離子顯示器電極的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為驅(qū)動波形組成圖。圖3為Y電極輸出的掃描脈沖波形圖。具體實施例方式為能清楚說明本方案的技術(shù)特點，下面通過一個具體實施方式，并結(jié)合其附圖，對本方案進行闡述。由于PDP尋址期按照掃描電極順序進行放電，且相鄰行之間存在空隙，尋址放電時，當前行產(chǎn)生的帶電粒子可移動到下一行，使下一行的尋址放電增強(priming效應)。但第一行并不存在有帶電粒子流入的情況，因此尋址放電較弱，壁電荷不足，導致維持期不能正常持續(xù)放電。這時，可將第一行掃描脈沖寬度設置為比其他行更寬，以產(chǎn)生足夠的壁電荷，保證維持放電正常。另外，因PDP屏結(jié)構(gòu)等偏差導致的其他部位的尋址放電較弱的情況，也可通過增加對應行的掃描脈沖寬度方法進行調(diào)整。當屏的部分區(qū)域存在著火電壓較低的單元，尋址放電時，如果相鄰單元放電流入的帶電粒子較多，則可能造成不被選中的單元出現(xiàn)尋址放電，導致維持期出現(xiàn)誤放電。這時，可將對應區(qū)域掃描脈沖設置為比其他行更窄，減少priming效應阻止誤放電發(fā)生。該措施通過在一個子場內(nèi)對屏不同放電狀態(tài)區(qū)域?qū)男惺┘硬煌瑢挾鹊膾呙杳}沖，針對性改善低放電或誤放電不良，比以前使用的對每個子場設置不同掃描脈沖寬度的方法更有效的控制所有子場不同區(qū)域的放電狀態(tài)差異。本專利技術(shù)并不局限于前述的具體實施方式。本專利技術(shù)擴展到任何在本說明書中披露的新特征或任何新的組合，以及披露的任一新的方法或過程的步驟或任何新的組合。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種PDP模組局部低放電消除方法，其特征是：a.針對任意區(qū)域的第一行尋址放電較弱的情況，增加該區(qū)域放電較弱單元第一行的Y電極輸出掃描脈沖的寬度；b.針對任意區(qū)域的尋址放電較弱的情況，增加該區(qū)域放電較弱單元對應行的Y電極輸出掃描脈沖的寬度；c.針對任意區(qū)域的維持期誤放電的情況，減少該區(qū)域誤放電單元對應行的Y電極輸出的掃描脈沖的寬度。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種PDP模組局部低放電消除方法，其特征是: a.針對任意區(qū)域的第一行尋址放電較弱的情況，增加該區(qū)域放電較弱單元第一行的Y電極輸出掃描脈沖的寬度； b.針對任意區(qū)域的尋址放電較弱的情況，增加該區(qū)域放電較弱單元對應行的Y電極輸出掃描脈沖的寬度； c.針對任意區(qū)域的 維持期誤放電的情況，減少該區(qū)域誤放電單元對應行的Y電極輸出的掃描...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：周超，衛(wèi)偉，鐘文建，柳希武，
申請(專利權(quán))人：四川虹歐顯示器件有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：