晶體生長溫度梯度測試方法技術

本發明專利技術涉及一種晶體生長溫度梯度測試方法，包括以下步驟：（1）向單晶生長爐內的坩堝中裝入原料，抽真空；（2）加熱熔融原料得到熔體，降溫至下種溫度，記下發熱體的電流I及電勢U；（3）降溫開爐，將籽晶桿更換成裝有鉑-銠熱電偶的雙孔陶瓷管；（4）重復步驟（2），使發熱體的電流及電勢分別為I和U；（5）軸向溫度測試：將雙孔陶瓷管的底端移至坩堝上方，間隔3~5mm測量一次溫度，得到多組軸向溫度；（6）徑向溫度測試：以坩堝上方一水平面為基準面，將雙孔陶瓷管底端移至保溫罩左側，沿徑向每間隔3~5mm測量溫度，得到多組徑向溫度。本發明專利技術可以準確測量得到單晶生長爐內軸向、徑向的溫度及溫度梯度，快速得到晶體生長所需要的溫度分布。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種，屬于晶體生長

技術介紹
晶體在生長過程中，溫度梯度的控制十分重要，控制坩堝中的溫度梯度是生長出優質晶體材料的關鍵。不同的晶體材料不同的生長方法，對溫度梯度要求不同，因此，溫度梯度成為生長出優質晶體的關鍵技術之一。
技術實現思路
本專利技術的目的是克服現有技術中存在的不足，提供一種，測量準確、快速。按照本專利技術提供的技術方案，一種，特征是，包括以下步驟: (O向單晶生長爐內的坩堝中裝入原料，坩堝外罩設保溫罩，對單晶生長爐進行抽真空至1.0Χ1(Γ3 1.0XKT4Pa ； (2)對單晶生長爐內的發熱體通電，對坩堝內的原料進行加熱，至原料完全熔融得到熔體后，降溫直至下種溫度，恒溫2 3小時；記下此時發熱體的電流I及電勢U，作為溫度梯度檢測時的參考值； (3)將籽晶提離熔體的液面，降溫開爐；開爐后，將籽晶桿更換成內部裝有鉬-銠熱電偶的雙孔陶瓷管，將陶瓷管內部鉬-銠熱電偶的引線與島電控制表連接，以測試實時溫度； (4)重復步驟(2)，并使發熱體的電流及電勢分別為I和U; (5)軸向溫度測試:將雙孔陶瓷管的底端下移至離坩堝口6(T70mm高度處，該位置為檢測軸向溫度的初始位置；從初始位置開始，每間隔:T5mm測量一次溫度，每次停留IOlOmin島電控制表顯示的數值即為該位置的軸向實時溫度，記錄該溫度Τη，η為正整數；當雙孔陶瓷管底部距離熔體液面2 5_處時，檢測結束；得到多組軸向溫度Tn ； (6)徑向溫度測試:選擇坩堝上方一水平面為基準水平面，將雙孔陶瓷管底端移至距離保溫罩左側內壁處，該位置為檢測徑向溫度的初始位置；從初始位置開始，沿保溫罩的徑向每間隔3 5mm，將雙孔陶瓷管水平右移一次并測量溫度，每次停留l(T20min島電控制表顯示的數值即為該位置的徑向實時溫度，記錄該溫度Τη’，η為正整數；當雙孔陶瓷管底部距離保溫罩右側內壁處時，檢測結束，得到多組徑向溫度Τη’。本專利技術可以準確測量得到單晶生長爐內軸向、徑向的溫度及溫度梯度，以快速得到不同晶體生長所需要的溫度分布，進而在實際操作過程中可準確把握晶體生長的溫度需求，既提聞了晶體尺寸和品質，也使研發和生廣效率得到提聞。 具體實施例方式下面結合具體實施例對本專利技術作進一步說明。實施例一:一種，包括以下步驟: (O向單晶生長爐內的坩堝中裝入原料(如氟化鈣、氧化鋁等)，坩堝外罩設保溫罩，對單晶生長爐進行抽真空至1.0X10_3Pa，采用銥金坩堝，尺寸為07OmmX4Omm ； (2)對單晶生長爐內的發熱體通電，對坩堝內的原料進行加熱，至原料完全熔融得到熔體后，降溫直至下種溫度，恒溫2小時；記下此時發熱體的電流I及電勢U，作為溫度梯度檢測時的參考值； (3)將籽晶提離熔體的液面，降溫開爐；開爐后，將籽晶桿更換成內部裝有鉬-銠熱電偶的雙孔陶瓷管，將陶瓷管內部鉬-銠熱電偶的引線與島電控制表連接，以測試實時溫度； (4)重復步驟(2)，并使發熱體的電流及電勢分別為I和U; (5)軸向溫度測試:將雙孔陶瓷管的底端下移至離坩堝口62_高度處，該位置為檢測軸向溫度的初始位置；從初始位置開始，每間隔3mm測量一次溫度，每次停留IOmin島電控制表顯示的數值即為該位置的軸向實時溫度，記錄該溫度Τη，η為正整數；當雙孔陶瓷管底部距離熔體液面2mm處時，檢測結束；得到20組軸向溫度Tn ； (6)徑向溫度測試:選擇坩堝上方一水平面為基準水平面，將雙孔陶瓷管底端移至距離保溫罩左側內壁IOmm處，該位·置為檢測徑向溫度的初始位置；從初始位置開始，沿保溫罩的徑向每間隔3_，將雙孔陶瓷管水平右移一次并測量溫度，每次停留IOmin島電控制表顯示的數值即為該位置的徑向實時溫度，記錄該溫度Τη’，η為正整數；當雙孔陶瓷管底部距離保溫罩右側內壁IOmm處時，檢測結束，得到多組徑向溫度Τη’。實施例二:一種，包括以下步驟: (O向單晶生長爐內的坩堝中裝入原料(如氟化鈣、氧化鋁等)，坩堝外罩設保溫罩，對單晶生長爐進行抽真空至1.0X10_4Pa，采用銥金坩堝，尺寸為09OmmX8Omm ； (2)對單晶生長爐內的發熱體通電，對坩堝內的原料進行加熱，至原料完全熔融得到熔體后，降溫直至下種溫度，恒溫3小時；記下此時發熱體的電流I及電勢U，作為溫度梯度檢測時的參考值； (3)將籽晶提離熔體的液面，降溫開爐；開爐后，將籽晶桿更換成內部裝有鉬-銠熱電偶的雙孔陶瓷管，將陶瓷管內部鉬-銠熱電偶的引線與島電控制表連接，以測試實時溫度； (4)重復步驟(2)，并使發熱體的電流及電勢分別為I和U; (5)軸向溫度測試:將雙孔陶瓷管的底端下移至離坩堝口70_高度處，該位置為檢測軸向溫度的初始位置；從初始位置開始，每間隔5mm測量一次溫度，每次停留20min島電控制表顯示的數值即為該位置的軸向實時溫度，記錄該溫度Τη，η為正整數；當雙孔陶瓷管底部距離熔體液面5mm處時，檢測結束；得到13組軸向溫度Tn ； (6)徑向溫度測試:選擇坩堝上方一水平面為基準水平面，將雙孔陶瓷管底端移至距離保溫罩左側內壁15mm處，該位置為檢測徑向溫度的初始位置；從初始位置開始，沿保溫罩的徑向每間隔5_，將雙孔陶瓷管水平右移一次并測量溫度，每次停留20min島電控制表顯示的數值即為該位置的徑向實時溫度，記錄該溫度Τη’，η為正整數；當雙孔陶瓷管底部距離保溫罩右側內壁15mm處時，檢測結束，得到多組徑向溫度Τη’。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種晶體生長溫度梯度測試方法，其特征是，包括以下步驟：（1）向單晶生長爐內的坩堝中裝入原料，坩堝外罩設保溫罩，對單晶生長爐進行抽真空至1.0×10?3~1.0×10?4Pa；（2）對單晶生長爐內的發熱體通電，對坩堝內的原料進行加熱，至原料完全熔融得到熔體后，降溫直至下種溫度，恒溫2～3小時；記下此時發熱體的電流I及電勢U，作為溫度梯度檢測時的參考值；?（3）將籽晶提離熔體的液面，降溫開爐；開爐后，將籽晶桿更換成內部裝有鉑?銠熱電偶的雙孔陶瓷管，將陶瓷管內部鉑?銠熱電偶的引線與島電控制表連接，以測試實時溫度；（4）重復步驟（2），并使發熱體的電流及電勢分別為I和U；（5）軸向溫度測試：將雙孔陶瓷管的底端下移至離坩堝口60~70mm高度處，該位置為檢測軸向溫度的初始位置；從初始位置開始，每間隔3~5mm測量一次溫度，每次停留10~20min島電控制表顯示的數值即為該位置的軸向實時溫度，記錄該溫度Tn，n為正整數；當雙孔陶瓷管底部距離熔體液面2~5mm處時，檢測結束；得到多組軸向溫度Tn；（6）徑向溫度測試：選擇坩堝上方一水平面為基準水平面，將雙孔陶瓷管底端移至距離保溫罩左側內壁10~15mm處，該位置為檢測徑向溫度的初始位置；從初始位置開始，沿保溫罩的徑向每間隔3~5mm，將雙孔陶瓷管水平右移一次并測量溫度，每次停留10~20min島電控制表顯示的數值即為該位置的徑向實時溫度，記錄該溫度Tn’，n為正整數；當雙孔陶瓷管底部距離保溫罩右側內壁10~15mm處時，檢測結束，得到多組徑向溫度Tn’。...

【技術特征摘要】
1.一種晶體生長溫度梯度測試方法，其特征是，包括以下步驟: (1)向單晶生長爐內的坩堝中裝入原料，坩堝外罩設保溫罩，對單晶生長爐進行抽真空至1.0Χ1(Γ3 1.0XKT4Pa ； (2)對單晶生長爐內的發熱體通電，對坩堝內的原料進行加熱，至原料完全熔融得到熔體后，降溫直至下種溫度，恒溫2 3小時；記下此時發熱體的電流I及電勢U，作為溫度梯度檢測時的參考值； (3)將籽晶提離熔體的液面，降溫開爐；開爐后，將籽晶桿更換成內部裝有鉬-銠熱電偶的雙孔陶瓷管，將陶瓷管內部鉬-銠熱電偶的引線與島電控制表連接，以測試實時溫度； (4)重復步驟(2)，并使發熱體的電流及電勢分別為I和U; (5)軸向溫度測試:將雙孔陶瓷管的底端下移至離坩堝口6(T70...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王佳麒，李佼，高興，
申請(專利權)人：元亮科技有限公司，
類型：發明
國別省市：