終端及其LCD背光驅(qū)動方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及通信領(lǐng)域，公開了一種終端及其LCD背光驅(qū)動方法。本發(fā)明專利技術(shù)中，將VBAT通過一個MOS管直接連接到LCD的背光LED進(jìn)行供電，利用CPU已有的PWM信號控制MOS管柵極來調(diào)整LCD背光亮度。由于是通過MOS管來控制整個電流回路的通斷，不需要增加外部硬件電路實(shí)現(xiàn)LCD背光驅(qū)動，大量減少了硬件設(shè)計的復(fù)雜度，降低了終端成本并減小了PCB的布板面積和功耗。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及通信領(lǐng)域，特別涉及終端的IXD背光驅(qū)動技木。
技術(shù)介紹
在類似手機(jī)的終端內(nèi)，液晶顯示器(IXD)背光的LED連接分為兩種串聯(lián)方式和并聯(lián)方式，并聯(lián)方式又分為共陰極和共陽極兩種連接方式。傳統(tǒng)的LCD背光驅(qū)動方式都需要増加一個專門的LCD背光驅(qū)動芯片來驅(qū)動背光LED燈。具體地說，以并聯(lián)共陽連接方式為例，IXD模塊的功能框圖如圖1所示，圖1中的LED A為IXD模塊中各LED共同的電源輸入端，圖1中的LEDJQ至LED_K6為IXD模塊中的各LED。如果按照傳統(tǒng)的背光電路設(shè)計，就需要使用一個專門的背光芯片來驅(qū)動LCD的6個發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，簡稱“LED”)燈，如圖2所示。傳統(tǒng)LCD背光實(shí)現(xiàn)原理如下(I)IXD背光驅(qū)動芯片內(nèi)部有ー個Charger pump (升壓器)，從管腳Vin輸入電壓，從管腳Vout輸出電壓，用于給IXD的背光LED供電。Charger pump有一個電壓轉(zhuǎn)換的功能，一般背光芯片還可以自動根據(jù)輸入電壓的變化輸出不同的電壓。(2)CPU(中央處理器)輸出ー個控制信號給背光芯片的En/Set管腳，這個管腳有兩個功能使能IXD背光驅(qū)動芯片和調(diào)整背光芯片的限流。CPU就可以通過控制這個管腳，來實(shí)現(xiàn)LCD不同亮度等級的背光控制。En/Set的控制方式，業(yè)界沒有ー個統(tǒng)ー的標(biāo)準(zhǔn)，但都是以單線串ロ的方式來調(diào)整各路LED燈的限流大小，以及開關(guān)控制。然而，由于專門的IXD背光驅(qū)動芯片成本高、功耗大，而且還需要増加PCB (印刷電路板)面積，因此越來越不能滿足產(chǎn)品和市場需求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種終端及其LCD背光驅(qū)動方法，使得在終端內(nèi)可以省去專門的LCD背光驅(qū)動芯片，從而降低了成本、減小了功耗和PCB面積。為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)的實(shí)施方式提供了ー種終端，包含中央處理器CPU、液晶顯示器IXD模塊，所述CPU與所述IXD模塊之間，連接有ー個MOS管；所述終端的電池電壓VBAT輸入到所述CPU，所述VBAT通過所述MOS管或直接輸入到所述IXD模塊中的發(fā)光二極管LED ；所述CPU輸出的脈寬調(diào)制PWM信號，輸入到所述MOS管的刪極，控制整個發(fā)光電路的導(dǎo)通和關(guān)閉。本專利技術(shù)的實(shí)施方式還提供了ー種IXD背光驅(qū)動方法，包含以下步驟液晶顯示器IXD模塊中的各發(fā)光二極管LED，通過ー個MOS管或直接獲取終端的電池電壓VBAT ；中央處理器CPU通過調(diào)整輸出的脈寬調(diào)制PWM信號的占空比，對所述各LED的發(fā)光亮度進(jìn)行控制。本專利技術(shù)實(shí)施方式相對于現(xiàn)有技術(shù)而言，將VBAT通過ー個MOS管或直接連接到IXD的背光LED進(jìn)行供電，利用CPU已有的PWM信號控制MOS管柵極來調(diào)整LCD背光亮度。由于是通過MOS管來控制整個電流回路的通斷，不需要増加外部硬件電路實(shí)現(xiàn)LCD背光驅(qū)動，大量減少了硬件設(shè)計的復(fù)雜度，降低了終端成本并減小了 PCB的布板面積和功耗。而且，由于VBAT自己提供給IXD的背光LED燈供電，因此不需要像專門的IXD背光驅(qū)動芯片ー樣經(jīng)過ー個Charger pump (升壓器)進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換,可以提高電源效率。此外，利用CPU已有的PWM信號控制MOS管柵極來調(diào)整LCD背光亮度，可有效補(bǔ)償因VBAT變化影響LCD背光亮度的變化。進(jìn)ー步地，MOS管可以是P型MOS管，也可以是N型MOS管(此時IXD模塊中的LED連接為并聯(lián)共陽連接);LCD模塊中的LED連接可以是并聯(lián)共陽連接，也可以是并聯(lián)共陰連接。使得本專利技術(shù)的實(shí)施方式不受限于MOS管的類型、LED的連接方式，具備廣泛的應(yīng)用場景。附圖說明圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的以并聯(lián)共陽方式連接的LCD模塊功能示意圖；圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的IXD背光電路驅(qū)動示意圖；圖3是根據(jù)本專利技術(shù)第一實(shí)施方式的終端結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是根據(jù)本專利技術(shù)第二實(shí)施方式的終端結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是根據(jù)本專利技術(shù)第三實(shí)施方式的終端結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是根據(jù)本專利技術(shù)第四實(shí)施方式中的LCD背光等效電路示意圖；圖7是根據(jù)本專利技術(shù)第四實(shí)施方式中系統(tǒng)開機(jī)時的LCD背光驅(qū)動流程圖；圖8是根據(jù)本專利技術(shù)第四實(shí)施方式中終端使用過程中的LCD背光驅(qū)動流程圖。具體實(shí)施例方式本專利技術(shù)的第一實(shí)施方式涉及一種終端。在本實(shí)施方式中，CPU與！XD模塊之間,連接有ー個MOS管。終端的電池電壓VBAT輸入到該CPU和該MOS管中，VBAT電壓通過該MOS管輸入到IXD模塊中的LED，CPU輸出的脈寬調(diào)制PWM信號，輸入到MOS管的刪極，以通過調(diào)整輸出的PWM信號的占空比，對LCD模塊中的各LED的發(fā)光亮度進(jìn)行控制。在本實(shí)施方式中，MOS管為P型MOS管，IXD模塊中的LED連接為并聯(lián)共陽連接，具體結(jié)構(gòu)如圖3所示。VBAT輸入到該P(yáng) MOS管的源端(即S扱)，VBAT通過P MOS管輸入到LCD模塊中各LED共同的電源輸入端(即圖3中的LED A)，IXD模塊中的各LED(即圖3中的LEDJQ至LED_K6)陰極分別串ー個電阻再全部合成一路接地。也就是說，使用MOS管來控制整個電流回路的通斷，將VBAT連接PMOS管的S極(源端)，通過CPU輸出的PWM信號來控制MOS的G極(柵極)，使得CPU可通過調(diào)整適當(dāng)頻率的PWM信號占空比來實(shí)現(xiàn)LCD不同背光亮度的調(diào)節(jié)，具體調(diào)節(jié)方式將在后文中進(jìn)行詳細(xì)描述。不難發(fā)現(xiàn)，在本實(shí)施方式中，不需要増加外部硬件電路實(shí)現(xiàn)LCD背光驅(qū)動，大量減少了硬件設(shè)計的復(fù)雜度，降低了終端成本并減小了 PCB的布板面積和功耗。而且，由于VBAT自己提供給IXD的背光LED燈供電，因此不需要像專門的IXD背光驅(qū)動芯片ー樣經(jīng)過ー個Charger pump (升壓器)進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換，可以提高電源效率。本專利技術(shù)的第二實(shí)施方式涉及ー種終端。第二實(shí)施方式與第一實(shí)施方式大致相同，主要區(qū)別之處在于在第一實(shí)施方式中，IXD模塊中的LED連接為并聯(lián)共陽連接。而在本專利技術(shù)第二實(shí)施方式中，LCD模塊中的LED連接為并聯(lián)共陰連接。具體地說，如圖4所示，VBAT輸入到P MOS管的源端，IXD模塊中的各LED分別串一個電阻后合成一路連接至P MOS管的漏端，各LED陰極直接合成一路接地。由于在本實(shí)施方式中，同樣不需要増加外部硬件電路實(shí)現(xiàn)LCD背光驅(qū)動，因此可以達(dá)到與第一實(shí)施方式類似的技術(shù)效果，即大量減少了硬件設(shè)計的復(fù)雜度，降低了終端成本并減小了 PCB的布板面積和功耗，以及提高了電源效率。本專利技術(shù)的第三實(shí)施方式涉及ー種終端。第三實(shí)施方式與第一實(shí)施方式大致相同，主要區(qū)別之處在于在第一實(shí)施方式中，MOS管為P型MOS管。而在本專利技術(shù)第三實(shí)施方式中，MOS管為N型MOS管。具體地說，在本實(shí)施方式中，IXD模塊中的LED連接為并聯(lián)共陽連接，VBAT輸入到LCD模塊中各LED共同的電源輸入端，LCD模塊中的各LED陰極分別串ー個電阻再全部合成一路連接到N MOS管的漏端，N MOS管的源端直接接地，如圖5所示。由此可見，MOS管可以是P型MOS管，也可以是N型MOS管；LCD模塊中的LED連接可以是并聯(lián)共陽連接，也可以是并聯(lián)共陰連接。使得本專利技術(shù)的實(shí)施方式不受限于MOS管的類型、LED的連接方式，具備廣泛的應(yīng)用場景。本專利技術(shù)第四實(shí)施方式涉及ー種LCD背光驅(qū)動方法，本實(shí)施方式可應(yīng)用于上述第一至第三實(shí)施方式中的終端。在本實(shí)施方式中，IXD模塊中的各LED，本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種終端，包含中央處理器CPU、液晶顯示器LCD模塊，其特征在于，所述CPU與所述LCD模塊之間，連接有一個MOS管；所述終端的電池電壓VBAT輸入到所述CPU，所述VBAT通過所述MOS管或直接輸入到所述LCD模塊中的發(fā)光二極管LED；所述CPU輸出的脈寬調(diào)制PWM信號，輸入到所述MOS管的刪極，控制整個發(fā)光電路的導(dǎo)通和關(guān)閉。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種終端，包含中央處理器CPU、液晶顯示器IXD模塊，其特征在于，所述CPU與所述IXD模塊之間，連接有一個MOS管； 所述終端的電池電壓VBAT輸入到所述CPU，所述VBAT通過所述MOS管或直接輸入到所述IXD模塊中的發(fā)光二極管LED ； 所述CPU輸出的脈寬調(diào)制PWM信號，輸入到所述MOS管的刪極，控制整個發(fā)光電路的導(dǎo)通和關(guān)閉。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的終端，其特征在于，所述MOS管為P型MOS管，所述VBAT通過所述MOS管輸入到所述IXD模塊中的發(fā)光二極管LED。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的終端，其特征在于，所述IXD模塊中的LED連接為并聯(lián)共陽連接； 其中，所述VBAT輸入到所述MOS管的源端，所述VBAT通過所述MOS管輸入到所述LCD模塊中各LED共同的電源輸入端，所述LCD模塊中的各LED陰極分別串一個電阻再全部合成一路接地。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的終端，其特征在于，所述LCD模塊中的LED連接為并聯(lián)共陰連接； 其中，所述VBAT輸入到所述MOS管的源端，所述LCD模塊中的各LED分別串一個電阻后合成一路連接至所述MOS管的漏端，所述各LED陰極直接合成一路接地。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的終端，其特征在于，所述MOS管為N型MOS管，所述VBAT直接輸入到所述IXD模塊中的發(fā)光二極管LED。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的終端，其特征在于，所述LCD模塊中的LED連接為并聯(lián)共陽連接； 其中，所述VBAT輸入到所述LCD模塊中各LED共同的電源輸入端，所述LCD模塊中的各LED陰極分...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：胡倫，王勇，
申請(專利權(quán))人：聯(lián)芯科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：