顯示裝置制造方法及圖紙

根據(jù)本發(fā)明專利技術(shù)一實(shí)施例的顯示裝置包括：具有顯示圖像的多個(gè)顯示像素的顯示部；以及具有在所述顯示部的周邊形成的多個(gè)虛擬像素的虛擬部；所述虛擬像素內(nèi)部可以形成有靜電測(cè)試元件組。從而，根據(jù)本發(fā)明專利技術(shù)一實(shí)施例的顯示裝置通過在顯示部的周邊所形成的虛擬像素內(nèi)部形成靜電測(cè)試元件組，使得靜電測(cè)試元件組的靜電晶體管的變化能夠表示顯示部內(nèi)的晶體管的變化，從而可以加強(qiáng)監(jiān)測(cè)工序中發(fā)生的靜電。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
顯示裝置
本專利技術(shù)涉及顯示裝置，尤其涉及顯示圖像的顯示裝置。
技術(shù)介紹
為了確認(rèn)制造顯示裝置的各個(gè)工序的實(shí)施結(jié)果是否達(dá)到較佳的狀態(tài)，需要測(cè)量各個(gè)工序結(jié)果物的厚度、電阻、濃度、受污染的程度、臨界值及器件的電學(xué)特性等，但是由于在測(cè)量過程中會(huì)使器件受損，因此對(duì)于工序特性而言，有時(shí)不能以實(shí)際基板為對(duì)象進(jìn)行監(jiān)測(cè)。這種情況下，在形成有器件的基板的特定部分或者在另外的空白(blank)區(qū)域形成稱做測(cè)試元件組(TestElementGroup，簡稱為TEG)的圖案并且相同地實(shí)施在形成有實(shí)際器件的基板實(shí)施的工序之后，測(cè)量測(cè)試元件組以評(píng)價(jià)相應(yīng)的工序。為了監(jiān)測(cè)在顯示裝置的制造工序中發(fā)生的靜電，在顯示裝置的周邊區(qū)域形成包括晶體管的測(cè)試元件組并測(cè)量晶體管，從而由晶體管的變化監(jiān)測(cè)靜電。但是，測(cè)試元件組內(nèi)部的晶體管是獨(dú)立形態(tài)的晶體管，其不能表示從整體上連接的、顯示區(qū)域內(nèi)部的多個(gè)晶體管。因此，即使測(cè)試元件組內(nèi)部的晶體管因靜電發(fā)生劣化，顯示區(qū)域內(nèi)部的晶體管也可以正常驅(qū)動(dòng)，從而存在下述的缺點(diǎn)，即測(cè)試元件組內(nèi)部的晶體管不能表示顯示區(qū)域內(nèi)部的晶體管。如上所述，由于測(cè)試元件組內(nèi)部的晶體管是獨(dú)立結(jié)構(gòu)，因此不能監(jiān)測(cè)在柔性顯示裝置的保護(hù)膜裝卸工序、膜劃線(scribing)工序、激光剝離(LaserLiftOff，簡稱為LLO)工序以及模組(module)工序等中發(fā)生的靜電。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供能夠?qū)ば蛑兴l(fā)生的靜電加強(qiáng)監(jiān)測(cè)的顯示裝置。根據(jù)本專利技術(shù)一實(shí)施例的顯示裝置包括：包括顯示圖像的多個(gè)顯示像素的顯示部；以及包括在所述顯示部的周邊形成的多個(gè)虛擬像素的虛擬部；所述虛擬像素內(nèi)部可以形成有靜電測(cè)試元件組。所述靜電測(cè)試元件組可以包括多個(gè)靜電晶體管。所述多個(gè)靜電晶體管的靜電源電極可以通過源連接部而互相連接。所述多個(gè)靜電晶體管的靜電漏電極可以通過漏連接部而互相連接。所述靜電晶體管包括：與靜電柵電極連接的靜電柵焊盤；與所述靜電源電極連接的靜電源焊盤；以及與所述靜電漏電極連接的靜電漏焊盤；所述靜電柵焊盤、靜電源焊盤以及靜電漏焊盤可以設(shè)置在相同的線上。所述顯示裝置還可以包括圍繞所述靜電晶體管的單一護(hù)環(huán)。所述單一護(hù)環(huán)的寬度可以為40μm至200μm。所述單一護(hù)環(huán)可以由與所述靜電柵電極或者所述靜電漏電極相同的物質(zhì)形成。所述顯示裝置還可以包括圍繞所述靜電測(cè)試元件組的總護(hù)環(huán)。所述總護(hù)環(huán)的寬度可以為40μm至200μm。所述總護(hù)環(huán)可以由與所述靜電柵電極或者所述靜電漏電極相同的物質(zhì)形成。所述多個(gè)靜電測(cè)試元件組可以與所述顯示部的四個(gè)角落部相鄰而成。所述多個(gè)靜電測(cè)試元件組可以沿著所述顯示部的邊緣形成。根據(jù)本專利技術(shù)一實(shí)施例的顯示裝置通過在顯示部的周邊所形成的虛擬像素內(nèi)部形成靜電測(cè)試元件組，使得靜電測(cè)試元件組的靜電晶體管的變化能夠表示顯示部內(nèi)的晶體管的變化，從而可以加強(qiáng)監(jiān)測(cè)工序中發(fā)生的靜電。另外，由此通過正確地監(jiān)測(cè)由靜電引起的顯示裝置的不良，可以改善工序。附圖說明圖1是根據(jù)本專利技術(shù)第一實(shí)施例的顯示裝置的平面圖；圖2是圖1的A部分的放大圖；圖3是在圖2的虛擬像素上形成的靜電測(cè)試元件組的平面圖；圖4是沿著圖3的IV-IV線截取的截面圖；圖5是根據(jù)本專利技術(shù)第二實(shí)施例的顯示裝置的靜電測(cè)試元件組的平面圖；圖6是沿著圖5的VI-VI線截取的截面圖；圖7是顯示單一護(hù)環(huán)(guardring)的寬度小的顯示裝置在靜電發(fā)生之前和之后靜電晶體管的閾值電壓變化的圖表；圖8是顯示單一護(hù)環(huán)的寬度小的顯示裝置在靜電發(fā)生之前和之后靜電晶體管的亞閾值斜率(SubthresholdSlope，簡稱為S.S)變化的圖表；圖9是顯示根據(jù)本專利技術(shù)第二實(shí)施例的顯示裝置在靜電發(fā)生之前和之后靜電晶體管的閾值電壓變化的圖表；圖10是顯示根據(jù)本專利技術(shù)第二實(shí)施例的顯示裝置在靜電發(fā)生之前和之后靜電晶體管的亞閾值斜率(SubthresholdSlope，簡稱為S.S)變化的圖表；圖11是根據(jù)本專利技術(shù)第三實(shí)施例的顯示裝置的平面圖。附圖標(biāo)記說明1：總護(hù)環(huán)；2：單一護(hù)環(huán)；30：靜電柵焊盤；50：靜電源焊盤；60：靜電漏焊盤；73：源連接部；75：漏連接部；130：靜電半導(dǎo)體層；150：靜電柵電極；173：靜電源電極；175：靜電漏電極；400：靜電測(cè)試元件組；410：靜電晶體管。具體實(shí)施方式下面，參考附圖說明本專利技術(shù)的實(shí)施例，使得本專利技術(shù)所屬
的技術(shù)人員能夠簡單地實(shí)施本專利技術(shù)。本專利技術(shù)能夠以多種不同的形態(tài)實(shí)施，而并不限于在此說明的實(shí)施例。圖1是根據(jù)本專利技術(shù)第一實(shí)施例的顯示裝置的平面圖，圖2是圖1的A部分的放大圖。如圖1所示，根據(jù)本專利技術(shù)第一實(shí)施例的顯示裝置100包括：顯示基板110；覆蓋顯示基板110的密封部件210；以及設(shè)置在顯示基板110和密封部件210之間的密封劑(sealant)350。密封劑350是沿著密封部件210的邊緣設(shè)置的，密封劑350使顯示基板110與密封部件210互相貼合密封。下面，將被密封劑350圍繞的、顯示基板110和密封部件210之間的內(nèi)部空間稱為顯示區(qū)域DA。另外，在顯示區(qū)域DA形成有多個(gè)顯示像素，從而顯示圖像。密封部件210以相比顯示基板110更小的尺寸形成。另外，未被密封部件210覆蓋的顯示基板110的一側(cè)邊緣可以設(shè)置(mount)有驅(qū)動(dòng)電路芯片550。顯示基板110的邊緣形成有將驅(qū)動(dòng)電路芯片550和形成在被密封劑350密封的空間內(nèi)部的器件電連接的多個(gè)導(dǎo)電排線510。從而，導(dǎo)電排線510和密封劑350是部分重疊的。如圖1和圖2所示，密封劑350內(nèi)部的顯示區(qū)域DA包括：具有顯示圖像的多個(gè)顯示像素191的顯示部S；以及具有在顯示部S的周邊形成的多個(gè)虛擬像素192的虛擬部P。顯示像素191顯示圖像，虛擬像素192用于相對(duì)提高顯示部S的可視性、修復(fù)顯示像素或者防止因在制造工序中發(fā)生的周邊部的不良所引起的顯示不均勻性。在這種虛擬像素192的內(nèi)部形成有用于監(jiān)測(cè)在顯示裝置的制造工序中發(fā)生的靜電的靜電測(cè)試元件組400。這種靜電測(cè)試元件組400可以形成在顯示部S的四個(gè)角落部。具體而言，靜電測(cè)試元件組400可以形成于與顯示部S中的四個(gè)角落部的顯示部S相鄰的虛擬部P的虛擬像素192上。如上所述，通過在與發(fā)生靜電并易于匯聚的角落部相鄰的虛擬像素192上形成靜電測(cè)試元件組400，可以正確地監(jiān)測(cè)由顯示裝置的靜電引起的影響。圖3是在圖2的虛擬像素上形成的靜電測(cè)試元件組的平面圖，圖4是沿著圖3的IV-IV線截取的截面圖。如圖3所示，靜電測(cè)試元件組400包括多個(gè)靜電晶體管410。多個(gè)靜電晶體管410形成為預(yù)定的行列。一個(gè)靜電晶體管410包括：靜電半導(dǎo)體層130；與靜電半導(dǎo)體層130部分重疊并且傳輸柵信號(hào)的靜電柵電極150；以及各自與靜電半導(dǎo)體層130的源區(qū)域133及漏區(qū)域135連接的靜電源電極173及靜電漏電極175。通過靜電源電極173傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)。另外，靜電晶體管410包括：與靜電柵電極150連接的靜電柵焊盤30；與靜電源電極173連接的靜電源焊盤50；以及與靜電漏電極175連接的靜電漏焊盤60。靜電柵焊盤30、靜電源焊盤50以及靜電漏焊盤60較寬，使得能夠與輸入外部信號(hào)的探針(probe)接觸。從而，向靜電柵焊盤30輸入柵信號(hào)，此時(shí)通過測(cè)量經(jīng)過靜電源焊盤50及靜電漏焊盤60的數(shù)據(jù)信號(hào)，可以測(cè)量由靜電引起的靜電晶體管410的變化。如上所述本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種顯示裝置，包括：顯示部，包括顯示圖像的多個(gè)顯示像素；以及虛擬部，包括形成在所述顯示部的周邊的多個(gè)虛擬像素；在所述虛擬像素內(nèi)部形成有靜電測(cè)試元件組。

【技術(shù)特征摘要】
2011.10.14 KR 10-2011-01054271.一種顯示裝置，包括：顯示基板；密封部件，位于所述顯示基板之上；密封劑，位于所述顯示基板與所述密封部件之間；驅(qū)動(dòng)電路，位于所述密封劑的周界之外；顯示部，位于所述密封劑的周界之內(nèi)并包括顯示圖像的多個(gè)顯示像素；以及虛擬部，位于所述密封劑的周界之內(nèi)并包括形成在所述顯示部的周邊的多個(gè)虛擬像素，在所述虛擬像素內(nèi)部形成有靜電測(cè)試元件組，其中，所述靜電測(cè)試元件組包括多個(gè)靜電晶體管，并且其中，所述多個(gè)靜電晶體管的靜電源電極是通過源連接部而直接互相連接的。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述多個(gè)靜電晶體管的靜電漏電極是通過漏連接部而互相連接的。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，所述靜電晶體管包括：靜電柵焊盤，連接至靜電柵電極；靜電源焊盤，連接至所述靜電源電極；以及靜電漏焊盤，連接至所述靜電漏...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李在燮，鄭倉龍，樸容煥，權(quán)暻美，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：三星顯示有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：