硅片及硅太陽電池片缺陷檢測方法技術

一種硅片及硅太陽電池片缺陷檢測方法，通過包含有LED光源激發機構、激光器激發機構、紅外成像機構和計算機的硅片缺陷檢測裝置實施。該方法包括以下步驟：A、設置LED光源激發機構的發光強度，或設置激光器激發機構的發光強度；B、待測硅片或硅太陽電池片在LED光源或激光器發出的光的激發下發出特定波長的發光信號；C、紅外成像機構檢測待測硅片或硅太陽電池片發出的特定波長的發光信號；D、紅外成像機構將發光信號傳輸到計算機，由計算機內安裝的圖像采集、圖像處理及數據分析軟件得出待測硅片的缺陷參數。本發明專利技術的方法能方便快速地檢測出硅片及硅太陽電池片材料本身的缺陷、結晶缺陷、碎片、材料污染等缺陷，并且實現了無接觸檢測，具有結構簡單、使用方便、缺陷參數檢測可靠精確等優點和特點。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種質量檢測設備，尤其涉及一種。
技術介紹
硅片及硅太陽電池片可能存在材料本身的缺陷、結晶缺陷、碎片、材料污染等故障，這些故障在后繼的制造過程或使用中，會使太陽電池的性能劣化，所以需要在前期予以檢測。目前，太陽電池生產線上，硅片及硅太陽電池片的缺陷檢測手段大多是依靠人工目視的檢測方法，漏檢率和誤差率非常高，影響了太陽電池生產的質量和進度。因此，無接觸式的動態監測規模生產中硅片缺陷故障的狀況，在串焊和層壓之前對硅片可能的缺陷故障問題進行統計分析，對盡可能早地鑒別缺陷類型及其可能的成因以便于能及時發現工藝或設備中的問題而避免更多的成品率損失顯得非常必要。
技術實現思路
本專利技術的目的，就是為了提供一種，以實現在生產線上對硅片及硅太陽電池片進行動態檢測。為了達到上述目的，本專利技術采用了以下技術方案一種，通過硅片及硅太陽電池片缺陷檢測裝置實施，硅片缺陷檢測裝置設置在生產線中硅片及硅太陽電池片的路徑上，包括LED光源激發機構、激光器激發機構、紅外成像機構和計算機；LED光源激發機構設置在待檢測硅片或硅太陽電池片的正下方，激光器激發機構設置在待檢測硅片或硅太陽電池片的斜上方，紅外成像機構設置在待檢測硅片或硅太陽電池片的正上方，計算機與紅外成像機構電信號相連；包括以下步驟A、設置LED光源激發機構的發光強度，或設置激光器激發機構的發光強度；B、待測硅片或硅太陽電池片在LED光源或激光器發出的光的激發下發出特定波長的發光信號；C、紅外成像機構檢測待測硅片或硅太陽電池片發出的特定波長的發光信號；D、紅外成像機構將發光信號傳輸到計算機，由計算機內安裝的圖像采集、圖像處理及數據分析軟件得出待測硅片或硅太陽電池片的缺陷參數。所述的LED光源激發機構包括LED光源和第一光源電源，在LED光源前端設有第一濾光片，LED光源與第一濾光片連成一體設置在娃片的下方，LED光源將發出的光通過第一濾光片處理成特定波長的發光信號投射到娃片上激發娃片發光，第一光源電源與LED光源相連向LED光源提供電能并控制其發光強度。所述的激光器激發機構包括激光器和第二光源電源，激光器設置在硅片或硅太陽電池片的斜上方，激光器將發出的光投射到硅片上激發硅片或硅太陽電池片發光，第二光源電源與激光器相連向激光器提供電能并控制其發光強度。 所述的紅外成像機構前端設有第二濾光片。本專利技術的通過LED光源或激光器激發待測硅片或硅太陽電池片產生特定波長的發光信號，通過紅外成像機構和計算機檢測并處理硅片或硅太陽電池片發出的特定波長的發光信號，得到其可靠的缺陷參數數據。能方便快速地檢測出硅片材料本身的缺陷、結晶缺陷、碎片、材料污染等缺陷，并且實現了無接觸檢測，具有結構簡單、使用方便、缺陷參數檢測可靠精確等優點和特點。附圖說明圖1是本專利技術硅片缺陷檢測方法的結構示意圖。具體實施例方式參見圖1，本專利技術中采用的硅片及硅太陽電池片缺陷檢測裝置，設置在生產線中硅片或硅太陽電池片I的路徑上，包括LED光源激發機構2、激光器激發機構3、紅外成像機構4和計算機5。LED光源激發機構2設置在待檢測硅片或硅太陽電池片I的正下方，激光器激發機構3設置在待檢測硅片I的斜上方，紅外成像機構4設置在待檢測硅片或硅太陽電池片I的正上方，計算機5與紅外成像機構電信號相連。本專利技術中的LED光源激發機構2包括LED光源21和第一光源電源22，在LED光源21前端設有第一濾光片23, LED光源21與第一濾光片23連成一體設置在娃片或娃太陽電池片I的下方，LED光源21將發出的光通過第一濾光片23處理成特定波長的發光信號投射到娃片或娃太陽電池片I上激發娃片或娃太陽電池片發光，第一光源電源22與LED光源21相連向LED光源提供電能并控制其發光強度。本專利技術中的激光器激發機構3包括激光器31和第二光源電源32,激光器31設置在娃片I的斜上方，激光器31將發出的光投射到娃片I上激發娃片發光，第二光源電源32與激光器31相連向激光器提供電能并控制其發光強度。在紅外成像機構4的前端設有第二濾光片41。本專利技術是，首先確定是采用LED光源激發機構還是采用激光器激發機構作為激發光源，確定好后再設置相應激發機構的發光強度(LED光源的發光強度通過對第一光源電源的控制來實現；激光器的發光強度通過對第二光源電源的控制來實現)。在激發機構發出的光的激發下，待測硅片或硅太陽電池片發出特定波長的發光信號并投射到紅外成像機構，紅外成像機構檢測到待測硅片或硅太陽電池片發出的特定波長的發光信號并將發光信號傳輸到計算機，由計算機內安裝的圖像采集、圖像處理及數據分析軟件得出待測硅片或硅太陽電池片的缺陷參數。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種硅片及硅太陽電池片缺陷檢測方法，其特征在于：該方法通過硅片及硅太陽電池片缺陷檢測裝置實施，硅片及硅太陽電池片缺陷檢測裝置包括LED光源激發機構、激光器激發機構、紅外成像機構和計算機；LED光源激發機構設置在待檢測硅片或硅太陽電池片的正下方，激光器激發機構設置在待檢測硅片的斜上方，紅外成像機構設置在待檢測硅片的正上方，計算機與紅外成像機構電信號相連；所述的硅片及硅太陽電池片缺陷檢測方法包括以下步驟：A、設置LED光源激發機構的發光強度，或設置激光器激發機構的發光強度；B、待測硅片或硅太陽電池片在LED光源或激光器發出的光的激發下發出特定波長的發光信號；C、紅外成像機構檢測待測硅片或硅太陽電池片發出的特定波長的發光信號；D、紅外成像機構將發光信號傳輸到計算機，由計算機內安裝的圖像采集、圖像處理及數據分析軟件得出待測硅片或硅太陽電池片的缺陷參數。

【技術特征摘要】
1.一種硅片及硅太陽電池片缺陷檢測方法，其特征在于該方法通過硅片及硅太陽電池片缺陷檢測裝置實施，硅片及硅太陽電池片缺陷檢測裝置包括LED光源激發機構、激光器激發機構、紅外成像機構和計算機；LED光源激發機構設置在待檢測硅片或硅太陽電池片的正下方，激光器激發機構設置在待檢測硅片的斜上方，紅外成像機構設置在待檢測硅片的正上方，計算機與紅外成像機構電信號相連；所述的硅片及硅太陽電池片缺陷檢測方法包括以下步驟 A、設置LED光源激發機構的發光強度，或設置激光器激發機構的發光強度； B、待測硅片或硅太陽電池片在LED光源或激光器發出的光的激發下發出特定波長的發光信號； C、紅外成像機構檢測待測硅片或硅太陽電池片發出的特定波長的發光信號； D、紅外成像機構將發光信號傳輸到計算機，由計算機內安裝的圖像采集、圖像處理及數據分析軟件得出待測硅...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉小宇，薛永勝，丁葉飛，李紅波，張瀅清，
申請(專利權)人：上海太陽能工程技術研究中心有限公司，
類型：發明
國別省市：