可撓性基板結構制造技術

本實用新型專利技術公開一種可撓性基板結構，其包括一核心層、一覆蓋層以及一電磁屏蔽層。核心層包括一核心介電層、一第一核心導電層以及一第二核心導電層。第一核心導電層與第二核心導電層分別配置于核心介電層的相對兩側。覆蓋層包括一第一粘著層以及一覆蓋介電層。覆蓋層通過第一粘著層而固定于核心層的第一核心導電層上。電磁屏蔽層包括一第二粘著層、一屏蔽介電層以及一屏蔽金屬層。電磁屏蔽層通過第二粘著層固定于核心層的第二核心導電層上。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

可撓性基板結構
本技術涉及一種基板結構，且特別是涉及一種可撓性基板結構。
技術介紹
現有的可撓性基板結構是由兩個覆蓋層、一個核心層以及一個電磁屏蔽層所構 成。一般來說，覆蓋層是由一粘著層以及一介電層所組成，而核心層是由一介電層以及二分 別配置于此介電層相對兩側的導電層所組成。電磁屏蔽層的組成則可為由一異方性導電膠 層、一金屬沉積層及一絕緣層依序堆疊所構成的一銀薄膜；或者是，由一粘著層、一金屬層 以及一介電層依序堆疊所組成的一單面板；或者是，由一粘著層以及印刷一銀漿于此粘著 層上所組成的一銀漿層。其中，核心層配置于兩個覆蓋層之間，且這些覆蓋層通過粘著層而 固定于核心層上，而電磁屏蔽層位于其中一個覆蓋層上若采用銀薄膜來作為電磁屏蔽層，則此電磁屏蔽層可通過異方性導電膠層而固定 于其中一個覆蓋層上。然而，由于銀薄膜的價錢較高，因此整體可撓性基板結構所需的生產 成本也會提高。再者，若采用單面板來作為電磁屏蔽層，則此電磁屏蔽層可通過粘著層而固 定于其中一個覆蓋層上。然而，由于單面板具有一定的厚度，因此整體的可撓性基板結構的 厚度無法有效降低，進而導致彎折效果不佳。此外，采用銀漿層做為電磁屏蔽層，則此電磁 屏蔽層可通過粘著層而固定于其中一個覆蓋層上。雖然銀漿層的價錢低于銀薄膜，但由于 銀漿層是采用印刷的方式將銀漿印刷至粘著層上，因此易因為印刷不均而產生阻抗漂移的 問題。因此，如何有效降低生產成本與整體可撓性基板結構的厚度以及提升整體結構的可 靠度，實為目前研發者亟欲解決的問題之一。
技術實現思路
本技術的目的在于提供一種可撓性基板結構，具有較薄的厚度與較低的生產 成本且可節省制造工時。為達上述目的，本技術提出一種可撓性基板結構，包括一核心層、一覆蓋層以 及一電磁屏蔽層。核心層包括一核心介電層、一第一核心導電層以及一第二核心導電層。第 一核心導電層與第二核心導電層分別配置于核心介電層的相對兩側。覆蓋層包括一第一粘 著層以及一覆蓋介電層。覆蓋層通過第一粘著層而固定于核心層的第一核心導電層上。電 磁屏蔽層包括一第二粘著層、一屏蔽介電層以及一屏蔽金屬層。電磁屏蔽層通過第二粘著 層固定于核心層的第二核心導電層上。在本技術的一實施例中，上述的屏蔽介電層配置于第二粘著層與屏蔽金屬層 之間。在本技術的一實施例中，上述的屏蔽金屬層配置于第二粘著層與屏蔽介電層 之間。在本技術的一實施例中，上述的電磁屏蔽層還包括一第三粘著層。第二粘著 層、第三粘著層、屏蔽介電層以及屏蔽金屬層交替堆疊。在本技術的一實施例中，上述的第二粘著層位于第二核心導電層與屏蔽介電層之間，而第三粘著層位于屏蔽介電層與屏蔽金屬層的間。在本技術的一實施例中，上述的第二粘著層位于第二核心導電層與屏蔽金屬層之間，而第三粘著層位于屏蔽金屬層與屏蔽介電層之間?；谏鲜?，本技術的優點在于，由于本技術的可撓性基板結構僅由核心層、覆蓋層以及電磁屏蔽層三層結構所構成，因此相較于現有由四層結構(包括兩個覆蓋層、一個核心層以及一個電磁屏蔽層)所構成的可撓性基板結構而言，本技術的可撓性基板結構除了可具有較薄的厚度與較佳的可撓曲性外，也可有效節省制造工時。此外，由于本技術的電磁屏蔽層是由第二粘著層、屏蔽介電層以及屏蔽金屬層所組成，相比較于現有采用銀薄膜或銀漿層作為電磁屏蔽層的可撓性基板結構而言，本技術的可撓性基板結構可有效降低生產成本且可具有較佳的結構可靠度。為讓本技術的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。附圖說明圖1為本技術的一實施例的一種可撓性基板結構的剖面示意圖。圖2為本技術的另一實施例的一種可撓性基板結構的剖面示意圖。圖3為本技術的又一實施例的一種可撓性基板結構的剖面示意圖。圖4為本技術的再一實施例的一種可撓性基板結構的剖面示意圖。主要元件符號說明100a、100b、100c、100d；:可撓性基板結構110 ；:核心層112 ；:核心介電層114 ；:第一核心導電層116 ；:第二核心導電層120 ；:覆蓋層122 ；:第一粘著層124 ；:覆蓋介電層130a、130b、130c、130d；:電磁屏蔽層132a、132b、132c、132d；:第二粘著層134a、134b、134c、134d；:屏蔽介電層136a、136b、136c、136d；:屏蔽金屬層138c、138d :第三粘著層具體實施方式圖1繪示為本技術的一實施例的一種可撓性基板結構的剖面示意圖。請參考圖1，在本實施例中，可撓性基板結構IOOa包括一核心層110、一覆蓋層120以及一電磁屏蔽層130a。詳細來說，核心層110包括一核心介電層112、一第一核心導電層114以及一第二核心導電層116。第一核心導電層114與第二核心導電層116分別配置于核心介電層112 的相對兩側。覆蓋層120包括一第一粘著層122以及一覆蓋介電層124。覆蓋層120可通 過第一粘著層122而固定于核心層110的第一核心導電層114上。電磁屏蔽層130a包括 一第二粘著層132a、一屏蔽介電層134a以及一屏蔽金屬層136a,其中屏蔽介電層134a配 置于第二粘著層132a與屏蔽金屬層136a之間。電磁屏蔽層130a通過第二粘著層132a固 定于核心層110的第二核心導電層116上。在本實施例中，核心介電層112的材質例如是聚酰亞胺(polyimide，PI)、聚對苯 二 甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚酸胺亞胺(polyamide-1mide)、聚 醚(Poly-ether)酸亞胺、聚嗍諷(Poly-sulfon)、聚苯撐硫醚(Poly-phenylene-sulfide)、 聚醚醚酮(Poly-ether-ether-ketone)、聚碳酸鹽(Poly-carbonate)、聚丙烯酸酯 (Poly-acrylatc)、聚醚嗍砜、液晶高分子、氟素樹脂、環氧樹脂等等之類的玻璃轉移溫 度(Tg)在150°C以上、可利用鑄造(cast)、擠出成形等方法而薄膜化的樹脂所構成的 樹脂膜等。第一核心導電層114的材質與第二核心導電層116的材質例如是銅箔，如 電解銅箔、壓延銅箔或不銹銅箔，或者是鋁箔。覆蓋介電層124的材質例如是聚酰亞 胺(polyimide, PI )、聚對苯二 甲酸乙二 酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚酸 胺亞胺(polyamide-1mide)、聚 Bi (Poly-ether)酰亞胺、聚嗍砜(Poly-sulfon)、聚苯 撐硫醚(Poly-phenylene-sulf ide)、聚醚醚酮(Poly-ether-ether-ketone)、聚碳酸鹽 (Poly-carbonate)、聚丙烯酸酯(Poly-acrylatc)、聚醚嗍砜、液晶高分子、氟素樹脂、環氧 樹脂等等之類的玻璃轉移溫度(Tg)在150°C以上、可利用鑄造(cast)、擠出成形等方法而 薄膜化的樹脂所構成的樹脂膜等。第一粘著層122的材質例如是環氧樹脂。上述環氧樹脂 復合材料由環氧樹脂復合材料組成，其中環氧樹脂復合材料的粘度為25000厘泊至50本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種可撓性基板結構，包括：核心層，包括核心介電層、第一核心導電層以及第二核心導電層，其中該第一核心導電層與該第二核心導電層分別配置于該核心介電層的相對兩側；覆蓋層，包括第一粘著層以及覆蓋介電層，其中該覆蓋層通過該第一粘著層而固定于該核心層的該第一核心導電層上；以及電磁屏蔽層，包括第二粘著層、屏蔽介電層以及屏蔽金屬層，其中該電磁屏蔽層通過該第二粘著層固定于該核心層的該第二核心導電層上。

【技術特征摘要】
1.一種可撓性基板結構，包括 核心層，包括核心介電層、第一核心導電層以及第二核心導電層，其中該第一核心導電層與該第二核心導電層分別配置于該核心介電層的相對兩側； 覆蓋層，包括第一粘著層以及覆蓋介電層，其中該覆蓋層通過該第一粘著層而固定于該核心層的該第一核心導電層上；以及 電磁屏蔽層，包括第二粘著層、屏蔽介電層以及屏蔽金屬層，其中該電磁屏蔽層通過該第二粘著層固定于該核心層的該第二核心導電層上。2.如權利要求1所述的可撓性基板結構，其特征在于，該屏蔽介電層配置于該第二粘著層與該屏蔽金屬層之間。3.如權利要求1所述的可...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李長明，賴永偉，張宏麟，李少謙，宋尚霖，
申請(專利權)人：欣興電子股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：