一種SMD石英晶體諧振器鍍膜電極制造技術

本實用新型專利技術公開一種SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，鍍膜電極附著在晶片的表面，該鍍膜電極包括矩形區和與其連接的弓形區；該鍍膜電極對于SMD石英晶體諧振器的FDLD指標有明顯的改善，提高產品的性能。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及電子元器件領域，尤其涉及一種SMD石英晶體諧振器電極。
技術介紹
石英晶體諧振器是用壓電石英(即水晶)制成的壓電器件，它不僅具有高度穩定的物理化學性能，而且彈性振動損耗極小。與其它電子元器件相比，壓電石英晶體還有著很高的頻率穩定度和高Q值，使其成為穩定頻率和選擇頻率的重要元器件。隨著數字化電路的廣泛應用，市場對晶體元器件的可靠性能提出更高的要求，石英晶體諧振器的FDLD指標，反映的是石英晶體諧振器工作頻率隨激勵功率的不同，所產生的頻率變化最大值和最小值的差異，是石英晶體的品質的關鍵指標之一。現有技術是采用矩形鍍銀電極，量產過程中從0. Oluff至500uW進行30步掃描，對于FDLD〈±2ppm的規格，其CPK〈1. 33，只能通過全數檢查挑選來保證出貨產品的品質，生產成本高。
技術實現思路
本技術旨在提供一種SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，用于提高SMD石英晶體諧振器的FDLD指標,改善SMD石英晶體諧振器的性能。為達到上述目的，本技術是采用以下技術方案實現的本技術公開的SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，鍍膜電極附著在晶片的表面；其特征在于所述鍍膜電極包括矩形區和與其連接的弓形區；該鍍膜電極形狀對于FDLD改善有明顯的效果，對于從0. OluW至500uW進行30步掃描，FDLD〈±-2ppm的規格要求，其CPK可達到1. 67以上。進一步的，所述鍍膜電極包括由內到外依次排列的下鍍鉻層、鍍銀層、上鍍鉻層；下鍍鉻層可增強鍍膜電極和晶片之間的附著力，上鍍鉻層可防止鍍膜電極在石英晶體諧振器封裝工序前被空氣氧化。優選的，所述弓形區的弓形角為80至100度。優選的，所述弓形區的弦長等于矩形區的縱向寬度。優選的，所述鍍膜電極的橫向尺寸為1. 2mm，縱向尺寸為1. 0mm。優選的，所述下鍍鉻層的厚度為2至3nm。優選的，所述上鍍鉻層的厚度為I至2nm。本技術提供的SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，對于FDLD改善有著明顯的效果，對于從0. OluW至500uW進行30步掃描，FDLD〈±-2ppm的規格要求，其CPK可達到1. 67以上，制程良率大幅提升，產品性能得到提高；在封裝前制程中有效保護晶片表面電極不被氧化，封裝后的頻率變化和老化特性得到大幅提聞，等效年老化率可由原±5ppm提聞到±2. 5ppm,對于頻率的CPK可有原>1. 33提升到>1. 67。附圖說明圖1是本技術的結構示意圖；圖2是本技術的剖視圖；圖中1-晶片、2-鍍膜電極、3-下鍍鉻層、4-鍍銀層、5-上鍍鉻層、6-矩形區、7-弓形區。具體實施方式為了使本技術的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖，對本技術進行進一步詳細說明。如圖1，本技術公開的SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，鍍膜電極2附著在晶片I的表面；鍍膜電極2包括矩形區6和與其連接的弓形區7。如圖2，進一步的，鍍膜電極2包括由內到外依次排列的下鍍鉻層3、鍍銀層4、上鍍鉻層5。優選的，弓形區7的弓形角為80至100度。優選的，弓形區7的弦長等于矩形區6的縱向寬度。優選的，鍍膜電極2的橫向尺寸為1. 2mm，縱向尺寸為1. 0mm。優選的，下鍍鉻層3的厚度為2至3nm。優選的，上鍍鉻層5的厚度為I至2nm。當然，本技術還可有其它多種實施例，在不脫離本技術的精神及其實質的情況下，熟悉本領域的技術人員當可根據本技術做出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本技術所附的權利要求的保護范圍。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，鍍膜電極（2）附著在晶片（1）的表面；其特征在于：所述鍍膜電極（2）包括矩形區（6）和與其連接的弓形區（7）。

【技術特征摘要】
1.一種SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，鍍膜電極(2)附著在晶片(I)的表面；其特征在于所述鍍膜電極(2)包括矩形區(6)和與其連接的弓形區(7)。2.根據權利要求1所述的SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，其特征在于所述鍍膜電極(2)包括由內到外依次排列的下鍍鉻層(3)、鍍銀層(4)、上鍍鉻層(5)。3.根據權利要求1所述的SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，其特征在于所述弓形區(7)的弓形角為80至100度。4.根據權利要求1所述...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉青彥，梁羽杉，楊清明，
申請(專利權)人：成都晶寶時頻技術股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：