一種浪涌抑制電路制造技術(shù)

本實用新型專利技術(shù)公開了一種浪涌抑制電路，包括有電源管理芯片、為電源管理芯片供電的線性穩(wěn)壓電路、以電源管理芯片為核心組成的升壓電路、分別與電源管理芯片連接的二極管倍壓電路、反饋回路以及限幅電路。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型專利技術(shù)浪涌抑制電路解決了P-MOS管在過壓浪涌發(fā)生時輸出電壓震蕩、導(dǎo)通電阻大、效率低的問題。（*該技術(shù)在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)屬于數(shù)據(jù)查詢統(tǒng)計
，涉及一種浪涌抑制電路。
技術(shù)介紹
當(dāng)用戶需要設(shè)計一款浪涌抑制器，要求其對GJB181-1986中規(guī)定的尖峰電壓±600V/10us和過壓浪涌80V/50ms進行有效抑制，使其輸出電壓抑制在40V以下，在低壓8V輸入時將輸出電壓升壓到18V以上，以保障后級的DC/DC變換器不受瞬態(tài)電壓的影響。該需求之浪涌抑制器指標(biāo)要求最大輸出功率50W，過壓浪涌(80V/50ms)發(fā)生時輸出電壓40V以下，低壓輸入(8V)時輸出電壓18V以上。目前現(xiàn)有浪涌抑制電路已難以實現(xiàn)。目前，現(xiàn)有的浪涌抑制電路大多是采用P-MOS管作為限幅器件，后級加一個升壓(Boost)電路，檢測輸入電壓超過設(shè)定電壓時控制P-MOS管關(guān)斷來抑制輸出電壓，輸入電壓低于設(shè)定值時啟動升壓(Boost)電路升壓，該結(jié)構(gòu)的電路優(yōu)點是驅(qū)動方式簡單，然而其存在諸多缺陷，如過壓浪涌發(fā)生時輸出電壓振蕩，有較大的毛刺，需外接大電容濾波，且P-MOS導(dǎo)通電阻較大，效率較低。故，針對上述現(xiàn)有技術(shù)在浪涌抑制電路方面存在的缺陷，實有必要進行研究，以提供一種浪涌抑制電路，以解決P-MOS管在過壓浪涌發(fā)生時輸出電壓震蕩、導(dǎo)通電阻大、效率低的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
為解決上述問題，本技術(shù)的目的在于提供一種浪涌抑制電路，以解決P-MOS管在過壓浪涌發(fā)生時輸出電壓震蕩、導(dǎo)通電阻大、效率低的問題。為實現(xiàn)上述目的，本技術(shù)的技術(shù)方案為—種浪涌抑制電路，包括有電源管理芯片、為電源管理芯片供電的線性穩(wěn)壓電路、以電源管理芯片為核心組成的升壓電路、分別與電源管理芯片連接的二極管倍壓電路、反饋回路以及限幅電路。進一步地，所述線性穩(wěn)壓電路包括有第一三極管(Ql)、連接第一三極管(Ql)基極的第一穩(wěn)壓二極管(BI)與第一電阻(Rl)、連接于第一三極管(Ql)發(fā)射極的第一電容Cl ；其中，第一三極管(Ql)的發(fā)射極通過該第一電容(Cl)連接至地。進一步地，所述二極管倍壓電路包括有第二三極管(Q2)、第五三極管(Q5)、以及分別連接于第五三極管(Q5)的集電極的第六電阻(R6)與第六電容(C6)、與第六電容(C6)連接的第四二極管(B4)、第五二極管(B5)、以及與第五二極管(B5)連接的第四電容(C4)。進一步地，所述第二三極管(Q2)的發(fā)射極通過一第八電阻(R8)連接至第五三極管(Q5)的基極，第五三極管(Q5)的發(fā)射極直接連接至地，而第五三極管(Q5)的基極通過一第七電阻(R7)連接至地；第四電容(C4)連接至一 N-MOS管(Ml)的源極。進一步地，所述升壓電路包括有電感(LI)、與電感(LI)串聯(lián)連接的第三二極管(B3)、以及一第二 MOS管(M2)與一第十三電容(C13);其中，所述第二 MOS管(M2)為一 N型MOS管，其柵極連接于電源管理芯片(Ul)的第6腳，而所述第十三電容(C13) —端連接于第三二極管(B3)，另一端接地。進一步地，所述反饋回路包括有連接電源管理芯片(Ul)的第I腳的第八電容(CS)，與第八電容(CS)串聯(lián)連接的第十一電阻(R11)、一端連接第十一電阻(Rll)，另一端連接至輸出端的第十電阻(Rio)、以及一端連接第十一電阻(Rll)，另一端接地的第十電阻(RlO)。進一步地，所述限幅電路包括有第三三極管(Q3)、連接第三三極管(Q3)的第四三極管(Q4)、并聯(lián)連接于第三三極管(Q3)基極的第三電阻(R3)與第四電阻(R4)、以及連接于第三三極管(Q3)、第四三極管(Q4)發(fā)射極的第五電阻(R5)。進一步地，所述第三三極管(Q3)、第四三極管(Q4)的發(fā)射極通過第五電阻(R5)連接至地。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本技術(shù)浪涌抑制電路采用N-MOS管，解決了 P-MOS管在過壓浪涌發(fā)生時輸出電壓震蕩、導(dǎo)通電阻大、效率低的問題。附圖說明圖1是本技術(shù)浪涌抑制電路的電路原理圖。具體實施方式為了使本專利技術(shù)的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本專利技術(shù)進行進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本專利技術(shù)，并不用于限定本專利技術(shù)。請參照圖1所示，本技術(shù)浪涌抑制電路包括有電源管理芯片U1、為電源管理芯片供電的線性穩(wěn)壓電路、以電源管理芯片為核心組成的升壓電路、分別與電源管理芯片連接的二極管倍壓電路、反饋回路以及限幅電路。本專利技術(shù)實施例中的電源管理芯片為UCC2803,電源管理芯片UCC2803的第4腳提供的振蕩源組成倍壓電路驅(qū)動N-MOS管M1，而電源管理芯片UCC2803的第8腳提供的4V基準(zhǔn)用于組成過壓限幅電路的基準(zhǔn)，當(dāng)輸入電壓為8V-18V時，該電路輸出升壓電壓18V。當(dāng)輸入電壓在18V-40V時，輸出電壓跟隨輸入電壓。而當(dāng)輸入電壓高于40V以上時，輸出電壓為限幅40V，以保障后級的DC/DC變換器不受電壓瞬變的影響。所述線性穩(wěn)壓電路包括有第一三極管Q1、連接第一三極管基極的第一穩(wěn)壓二極管BI與第一電阻R1、連接于第一三極管發(fā)射極的第一電容Cl，第一三極管Ql的發(fā)射極通過該第一電容Cl連接至地，另外，該第一三極管Ql的發(fā)射極還連接有電源Vcc。所述二極管倍壓電路包括有第二三極管Q2、第五三極管Q5、以及分別連接于第五三極管Q5的集電極的第六電阻R6與第六電容C6、與第六電容C6連接的第四二極管B4、第五二極管B5、以及與第五二極管B5連接的第四電容C4。其中，第二三極管Q2的發(fā)射極通過一第八電阻R8連接至第五三極管Q5的基極，第五三極管Q5的發(fā)射極直接連接至地，而第五三極管Q5的基極通過一第七電阻R7連接至地；第四電容C4連接至一 N-MOS管Ml的源極。當(dāng)輸入電壓為18V-40V時，N-MOS管Ml的G極電壓高于S極，驅(qū)動N-MOS管Ml完全開通，輸出電壓跟隨輸入電壓。第二穩(wěn)壓管B2為IOV穩(wěn)壓管,控制N-MOS管Ml的Ugs電壓，以免電壓過高而損壞N-MOS管。所述升壓電路包括有電感L1、與電感LI串聯(lián)連接的第三二極管B3、以及一第二MOS管M2與一第十三電容C13。其中，所述第二 MOS管M2為一 N型MOS管，其連接于電源管理芯片Ul的第6腳，而所述第十三電容R13 —端連接于第三二極管B3，另一端接地。當(dāng)輸入電壓為8V-18V時，升壓電路將會使輸出電壓升壓至18V。所述反饋回路包括有連接電源管理芯片Ul的第I腳的第八電容CS，與第八電容C8串聯(lián)連接的第^ 電阻R11、一端連接第i 電阻R11，另一端連接至輸出端的第十電阻R10、以及一端連接第十一電阻R11，另一端接地的第十電阻R10。所述限幅電路包括有第三三極管Q3、連接第三三極管Q3的第四三極管Q4、并聯(lián)連接于第三三極管Q3基極的第三電阻R3與第四電阻R4、以及連接于第三三極管Q3、第四三極管Q4發(fā)射極的第五電阻R5。其中，所述第三三極管Q3、第四三極管Q4的發(fā)射極通過第五電阻R5連接至地。當(dāng)輸入電壓大于40V時，所述限幅電路用來控制N-MOS管Ml的G極電壓，使N-MOS管Ml的S極輸出電壓在40V以下。其中電源管理芯片Ul的第8腳輸出4V基準(zhǔn)電壓，第三電阻R3與第四電阻R4的分壓連接第三三極管Q3的基極用來監(jiān)測N-MOS管的G極電壓，當(dāng)N-MOS管Ml的G極電壓高于40V時，第三三極管Q3導(dǎo)通，使N-MOS管Ml的G極電壓穩(wěn)定在本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種浪涌抑制電路，包括有電源管理芯片，其特征在于，還包括有為電源管理芯片供電的線性穩(wěn)壓電路、以電源管理芯片為核心組成的升壓電路、分別與電源管理芯片連接的二極管倍壓電路、反饋回路以及限幅電路。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種浪涌抑制電路，包括有電源管理芯片，其特征在于，還包括有為電源管理芯片供電的線性穩(wěn)壓電路、以電源管理芯片為核心組成的升壓電路、分別與電源管理芯片連接的二極管倍壓電路、反饋回路以及限幅電路。2.如權(quán)利要求1所述的浪涌抑制電路，其特征在于，所述線性穩(wěn)壓電路包括有第一三極管(Ql)、連接第一三極管(Ql)基極的第一穩(wěn)壓二極管(BI)與第一電阻(Rl)、連接于第一三極管(Ql)發(fā)射極的第一電容Cl ;其中，第一三極管(Ql)的發(fā)射極通過該第一電容(Cl)連接至地。3.如權(quán)利要求2所述的浪涌抑制電路，其特征在于，所述二極管倍壓電路包括有第二三極管(Q2)、第五三極管(Q5)、以及分別連接于第五三極管(Q5)的集電極的第六電阻(R6)與第六電容(C6)、與第六電容(C6)連接的第四二極管(B4)、第五二極管(B5)、以及與第五二極管(B5)連接的第四電容(C4)。4.如權(quán)利要求3所述的浪涌抑制電路，其特征在于，所述第二三極管(Q2)的發(fā)射極通過一第八電阻(R8)連接至第五三極管(Q5)的基極，第五三極管(Q5)的發(fā)射極直接連接至地，而第五三極管(Q5)的基極通過一第七電阻(R7)連接至地；第四電容(C4)連接至一N-MOS管(Ml)的源極。...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：謝永梁，李迪伽，朱建國，李加取，陳建功，元金皓，
申請(專利權(quán))人：深圳市振華微電子有限公司，
類型：實用新型
國別省市：