本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)提供一種緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，包括：框架；多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊，形成在框架的一內(nèi)側(cè)；多個(gè)載片臺(tái)，形成在框架的另一內(nèi)側(cè)，與多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊相對(duì)設(shè)置；多組功能信號(hào)引線(xiàn)模塊，分別由相鄰的兩個(gè)載片臺(tái)為一組彎曲后形成在框架上；絕緣層，設(shè)置在每組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊上；高壓控制芯片，設(shè)置在每個(gè)絕緣層上，每個(gè)高壓控制芯片分別相應(yīng)地靠近一組載片臺(tái)；MOSFET管，設(shè)置在每個(gè)載片臺(tái)上；以及金屬線(xiàn)，將高壓控制芯片、MOSFET管與框架電連接，通過(guò)框架結(jié)構(gòu)及芯片安裝方法的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)多個(gè)高壓控制芯片在不同功率場(chǎng)合實(shí)現(xiàn)封裝需求，以形成可以在更廣泛的電流、電壓及緊湊場(chǎng)合領(lǐng)域得到應(yīng)用的單相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊和三相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)屬于封裝
，尤其涉及一種緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊。
技術(shù)介紹
為了提高能源效率，促進(jìn)節(jié)能減排，在消費(fèi)電子和一般エ業(yè)應(yīng)用的電機(jī)中推廣高效電機(jī)意義非常重大。高效電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路的核心主要是智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，而在智能功率驅(qū)動(dòng)模塊的封裝結(jié)構(gòu)研發(fā)過(guò)程中，設(shè)計(jì)人員需要面臨如何實(shí)施穩(wěn)健設(shè)計(jì)、優(yōu)化工藝流程、提高良率、降低成本、擴(kuò)大產(chǎn)能等很多實(shí)際問(wèn)題。解決這些問(wèn)題的首要突破口是智能功率驅(qū)動(dòng)模塊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)本身，其中模塊結(jié)構(gòu)和互連方式設(shè)計(jì)對(duì)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)人員的想象力提出極大地挑戰(zhàn)，而器件應(yīng)用、可靠性及市場(chǎng)等因素又極大地制約了開(kāi)發(fā)人員創(chuàng)造性的發(fā)揮。如圖1所示的現(xiàn)有的功率驅(qū)動(dòng)模塊框架結(jié)構(gòu)中，包含高壓控制芯片(HVIC) 10、MOSFET芯片20、自舉ニ極管30，每個(gè)高壓控制芯片10和一個(gè)自舉ニ極管30共享ー個(gè)載片臺(tái)，共6個(gè)載片臺(tái)(圖中未示)。在一定的封裝尺寸內(nèi)，一旦所述載片臺(tái)大小被設(shè)定，所述高壓控制芯片10和MOSFET芯片20的尺寸均會(huì)受到載片臺(tái)大小的制約，不能實(shí)現(xiàn)更大功率驅(qū)動(dòng)的封裝要求。如果要實(shí)現(xiàn)功率驅(qū)動(dòng)模塊更大功率的輸出要求，則所述高壓控制芯片10和MOSFET芯片20的尺寸及載片臺(tái)尺寸會(huì)隨著增加。在布線(xiàn)密度及引線(xiàn)間距都達(dá)到エ藝極限的情況下，這樣必須增加封裝體體積。從而不能適應(yīng)緊湊安裝的場(chǎng)合。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的是提供一種緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，使基于一定的封裝尺寸內(nèi)，通過(guò)框架結(jié)構(gòu)及芯片安裝方法的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)多個(gè)高壓控制芯片在不同功率場(chǎng)合實(shí)現(xiàn)封裝需求，以形成可以在更廣泛的電流、電壓及緊湊場(chǎng)合領(lǐng)域得到應(yīng)用的単相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊和三相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊。為了解決上述問(wèn)題，本技術(shù)提供一種緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，包括 框架；多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊，形成在所述框架的ー內(nèi)側(cè)；多個(gè)載片臺(tái)，形成在所述框架的另ー內(nèi)側(cè)，與所述多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊相對(duì)設(shè)置；多組功能信號(hào)引線(xiàn)模塊，分別由相鄰的兩個(gè)所述載片臺(tái)為ー組彎曲后形成在所述框架上；絕緣層，設(shè)置在每組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊上；高壓控制芯片，設(shè)置在每個(gè)所述絕緣層上，每個(gè)所述高壓控制芯片分別相應(yīng)地靠近一組所述載片臺(tái)；MOSFET管，設(shè)置在每個(gè)所述載片臺(tái)上；以及金屬線(xiàn)，將所述高壓控制芯片、MOSFET管與框架電連接。優(yōu)選的，每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊具有的引線(xiàn)腳的數(shù)目為五至八個(gè)。優(yōu)選的，至少在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)弓I線(xiàn)模塊中的兩個(gè)弓I線(xiàn)腳上設(shè)有絕緣層。優(yōu)選的，所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中，包括設(shè)置在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊中的每個(gè)引線(xiàn)腳上的一加強(qiáng)孔。進(jìn)ー步的，所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中，包括每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊中的一個(gè)引線(xiàn)腳的寬度比每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊中的其余的引線(xiàn)腳的寬度要寬。進(jìn)ー步的，所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中，包括設(shè)置在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊中寬度較寬的引線(xiàn)腳上的ー自舉ニ極管。優(yōu)選的，所述絕緣層采用的材料為環(huán)氧樹(shù)脂薄膜。優(yōu)選的，所述金屬線(xiàn)采用的材料為金或銅線(xiàn)。進(jìn)ー步的，每個(gè)所述高壓控制芯片分別驅(qū)動(dòng)與其鄰近的兩個(gè)所述MOSFET管。進(jìn)ー步的，所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊為單相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊和三相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊。由上述技術(shù)方案可見(jiàn)，本技術(shù)公開(kāi)的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊具有以下優(yōu)勢(shì)1.所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊包括ー框架，并在所述框架上設(shè)有多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊和多組功能信號(hào)引線(xiàn)模塊，并且每個(gè)高壓控制芯片分別通過(guò)絕緣層粘合和隔離在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)弓I線(xiàn)模塊上，而不是安裝在專(zhuān)門(mén)的載片臺(tái)，因此省卻了安裝每個(gè)所述高壓控制芯片的載片臺(tái)，而使封裝體積減小，因此，可以實(shí)現(xiàn)內(nèi)置電機(jī)安裝。2.所述緊湊型 智能功率驅(qū)動(dòng)模塊可以根據(jù)功率輸出要求，通過(guò)調(diào)整每個(gè)所述絕緣層的大小而相應(yīng)地調(diào)節(jié)每個(gè)所述高壓控制芯片的大小，并且根據(jù)每個(gè)所述絕緣層大小，在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊中選擇一定數(shù)目的引線(xiàn)腳與相應(yīng)的每個(gè)所述絕緣層固定連接。因此，本技術(shù)可以適用不同芯片尺寸、芯片功率及功能可以多元化。3.在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊的每個(gè)引腳上均設(shè)有加強(qiáng)孔，可以增強(qiáng)所述框架與塑封料的結(jié)合力。4.在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊中寬度設(shè)置的較寬的一引線(xiàn)腳上可以設(shè)置ー自舉ニ極管，由于所述自舉ニ極管與所述高壓控制芯片集成在同一框架上，因此，各芯片之間的可靠性提高，也降低了額外的貼裝成本。同時(shí)，所述框架在空余之處，還可以安裝具有一定靈活性的周邊元件，例如増加阻容元件，以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)溫度控制等。可見(jiàn)，本技術(shù)基于一定的封裝尺寸內(nèi)，通過(guò)框架結(jié)構(gòu)及芯片安裝方法的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)多個(gè)高壓控制芯片在不同功率場(chǎng)合實(shí)現(xiàn)封裝需求，以形成可以在更廣泛的電流、電壓及緊湊場(chǎng)合領(lǐng)域得到應(yīng)用的単相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊和三相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊。附圖說(shuō)明圖1為現(xiàn)有技術(shù)中框架結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本技術(shù)實(shí)施例中的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊的封裝方法的流程圖；圖3為本技術(shù)實(shí)施例中的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中框架結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本技術(shù)實(shí)施例中的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中高壓控制芯片與引線(xiàn)腳連接的側(cè)視示意圖；圖5為本技術(shù)實(shí)施例中的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中安裝芯片后的框架示意圖；圖6為本技術(shù)實(shí)施例中的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中芯片與框架鍵合后具有自舉ニ極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本技術(shù)實(shí)施例中的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中芯片與框架鍵合后具有自舉ニ極管和阻容元件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本技術(shù)實(shí)施例中的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中芯片與框架鍵合后不具有自舉ニ極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本技術(shù)實(shí)施例ニ的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中芯片與框架鍵合后的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下100框架；110驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊；120載片臺(tái)；130功能信號(hào)引線(xiàn)模塊；140加強(qiáng)孔；210高壓控制芯片；220M0SFET管；230自舉ニ極管；R阻容元件；300絕緣材料；310電連接。具體實(shí)施方式為使本技術(shù)的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，以下結(jié)合附圖對(duì)本技術(shù)的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本技術(shù)。但是本技術(shù)能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本技術(shù)內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣，因此本技術(shù)不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。以圖2所示的流程圖為例，結(jié)合圖3至圖6，對(duì)本技術(shù)提供的一種緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊的封裝方法進(jìn)行詳細(xì)描述。所述封裝方法包括S1:參見(jiàn)圖3，提供ー框架100。S2 :參見(jiàn)圖3、圖6至圖8，在所述框架100的一內(nèi)側(cè)設(shè)有多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊110。在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊110中可以設(shè)置的引線(xiàn)腳的數(shù)目為五至八個(gè)。在本實(shí)施例中，參見(jiàn)圖6，如每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊110設(shè)置的引線(xiàn)腳的數(shù)目為六個(gè)，分別為第一引線(xiàn)腳(111)、第二引線(xiàn)腳(112)、第三引線(xiàn)腳(113)、第四引線(xiàn)腳(114)、第五引線(xiàn)腳(115)和第六引線(xiàn)腳(116);參見(jiàn)圖7，如每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊110設(shè)置的引線(xiàn)腳的數(shù)目為七個(gè)，分別為第一引線(xiàn)腳(111)、第二引線(xiàn)腳(112)、第三引線(xiàn)腳(113)、第四引線(xiàn)腳(114)、第五引線(xiàn)腳(115)、第六引線(xiàn)腳(116)和第七引線(xiàn)腳(117);參見(jiàn)圖8，如每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊110設(shè)置的引線(xiàn)腳的數(shù)目為五個(gè)，則分別為第一引線(xiàn)腳(111)、第二引線(xiàn)腳(112)、第三引線(xiàn)腳(1本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，包括：框架；多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊，形成在所述框架的一內(nèi)側(cè)；多個(gè)載片臺(tái)，形成在所述框架的另一內(nèi)側(cè)，與所述多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊相對(duì)設(shè)置；多組功能信號(hào)引線(xiàn)模塊，分別由相鄰的兩個(gè)所述載片臺(tái)為一組彎曲后形成在所述框架上；絕緣層，設(shè)置在每組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊上；高壓控制芯片，設(shè)置在每個(gè)所述絕緣層上，每個(gè)所述高壓控制芯片分別相應(yīng)地靠近一組所述載片臺(tái)；MOSFET管，設(shè)置在每個(gè)所述載片臺(tái)上；以及金屬線(xiàn)，將所述高壓控制芯片、MOSFET管與框架電連接。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，包括 框架； 多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊，形成在所述框架的一內(nèi)側(cè)； 多個(gè)載片臺(tái)，形成在所述框架的另一內(nèi)側(cè)，與所述多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊相對(duì)設(shè)置； 多組功能信號(hào)引線(xiàn)模塊，分別由相鄰的兩個(gè)所述載片臺(tái)為一組彎曲后形成在所述框架上; 絕緣層，設(shè)置在每組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊上； 高壓控制芯片，設(shè)置在每個(gè)所述絕緣層上，每個(gè)所述高壓控制芯片分別相應(yīng)地靠近一組所述載片臺(tái)； MOSFET管，設(shè)置在每個(gè)所述載片臺(tái)上；以及 金屬線(xiàn)，將所述高壓控制芯片、MOSFET管與框架電連接。2.如權(quán)利要求1所述的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，其特征在于，每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線(xiàn)模塊具有的引線(xiàn)腳的數(shù)目為五至八個(gè)。3.如權(quán)利要求2所述的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，其特征在于，至少在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)弓I線(xiàn)模塊中的兩個(gè)弓I線(xiàn)腳上設(shè)有絕緣層。4.如權(quán)利要求2所述的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，其特征在于...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：丁立國(guó)，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：杭州士蘭集成電路有限公司，
類(lèi)型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。