【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種用于真空斷路器等真空開(kāi)關(guān)的真空滅弧室，尤其是一種可有效降低成本、提高耐壓水平的一字型串聯(lián)短間隙雙斷口真空滅弧室。
技術(shù)介紹
真空滅弧室應(yīng)用真空斷路器作為滅弧及絕緣介質(zhì)，具有熄弧能力強(qiáng)、體積小、重量輕、使用壽命長(zhǎng)、無(wú)火災(zāi)爆炸危險(xiǎn)及不污染環(huán)境等優(yōu)點(diǎn)。現(xiàn)有的真空斷路器基本上是具有單斷口滅弧室的真空斷路器，單斷口滅弧室的結(jié)構(gòu)是有絕緣外殼，在絕緣外殼的下部有置于導(dǎo)向套內(nèi)且上端位于真空滅弧室的動(dòng)導(dǎo)電桿，動(dòng)導(dǎo)電桿通過(guò)導(dǎo)線環(huán)與下部接線端子相接，動(dòng)導(dǎo)電桿上端有動(dòng)觸頭，在動(dòng)觸頭上方固定有靜導(dǎo)電桿，靜導(dǎo)電桿下端有靜觸頭，靜導(dǎo)電桿通過(guò)導(dǎo)線環(huán)與上部接線端子相接。使用時(shí)，通過(guò)上部接線端子和下部接線端子將設(shè)備串接于設(shè)備導(dǎo)線中。當(dāng)設(shè)備出現(xiàn)故障時(shí)，控制信號(hào)則控制操動(dòng)機(jī)構(gòu)，使動(dòng)觸頭和靜觸頭有效分離，并以兩者之間的真空間隙，實(shí)現(xiàn)絕緣。由于真空間隙的擊穿電壓和間隙長(zhǎng)度存在飽和現(xiàn)象，因此上述單斷口真空滅弧室的耐壓只能做到72. 5KV，使得真空斷路器只能在中低壓領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)優(yōu)勢(shì)。若要推進(jìn)真空滅弧室向超高壓、特高壓領(lǐng)域應(yīng)用，只能采取將多個(gè)具有單斷口滅弧室的真空斷路器串聯(lián)構(gòu)成，而串聯(lián)的真空滅弧室較多，斷口均壓和結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，均使產(chǎn)品成本加大，連線增多也使整機(jī)的可靠性受到影響
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)是為了解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的上述技術(shù)問(wèn)題，提供一種可有效降低了成本、提高耐壓水平的一字型串聯(lián)短間隙雙斷口真空滅弧室。本專利技術(shù)的技術(shù)解決方案是一種一字型串聯(lián)短間隙雙斷口真空滅弧室，有絕緣外殼，在絕緣外殼內(nèi)豎向內(nèi)側(cè)有絕緣支撐，在絕緣支撐內(nèi)側(cè)中部有橫向隔板，橫向隔板上下面對(duì)稱設(shè)有向上凸起的靜觸頭...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種一字型串聯(lián)短間隙雙斷口真空滅弧室，有絕緣外殼（6），其特征在于：在絕緣外殼（6）內(nèi)豎向內(nèi)側(cè)有絕緣支撐（8），在絕緣支撐（8）內(nèi)側(cè)中部有橫向隔板（11），橫向隔板（11）上下面對(duì)稱設(shè)有向上凸起的靜觸頭（4），在所述絕緣支撐（8）內(nèi)側(cè)還接有屏蔽罩（7）；在絕緣外殼（6）的上面有上導(dǎo)向套（2）及置于上導(dǎo)向套（2）內(nèi)的上導(dǎo)電桿（1），上導(dǎo)電桿（1）的下端有上動(dòng)觸頭（3），上動(dòng)觸頭（3）位于靜觸頭（4）的上方；在絕緣外殼（6）的下面有下導(dǎo)向套（9）及置于下導(dǎo)向套（9）內(nèi)的下導(dǎo)電桿（10），下動(dòng)導(dǎo)電桿（10）的上端有下動(dòng)觸頭（5），下動(dòng)觸頭（5）位于靜觸頭（4）的下方。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種一字型串聯(lián)短間隙雙斷口真空滅弧室，有絕緣外殼(6)，其特征在于在絕緣外殼(6)內(nèi)豎向內(nèi)側(cè)有絕緣支撐(8)，在絕緣支撐(8)內(nèi)側(cè)中部有橫向隔板(11)，橫向隔板(11)上下面對(duì)稱設(shè)有向上凸起的靜觸頭(4)，在所述絕緣支撐(8)內(nèi)側(cè)還接有屏蔽罩(7)；在絕緣外殼(6)的上面有上導(dǎo)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：廖敏夫，段雄英，葛國(guó)偉，鄒積巖，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：大連理工大學(xué)，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。