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    一種像素補償電路制造技術

    技術編號:8563558 閱讀:239 留言:0更新日期:2013-04-11 05:27
    本發明專利技術提供了一種像素補償電路,包括:第一開關,其第一端連接至一數據信號,其控制端連接至一第一控制信號;第二開關,其第一端連接至一第一電壓,其控制端連接至一第二控制信號;第三開關,其控制端連接至第一開關的第二端,其第一端與控制端之間包括一第一電容;第四開關,其第一端連接至第一開關的第二端,其控制端連接至一第三控制信號;第五開關,其控制端連接至一第四控制信號;以及有機發光二極管,其陽極連接至第五開關的第二端,其陰極連接至一第二電壓。采用本發明專利技術,因第五開關僅在發光期間處于開通狀態,延長了OLED的使用壽命。此外,流經OLED的電流只與參考電壓和數據電壓有關,可克服制程上的差異和電流下降等影響。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及一種主動式矩陣有機發光二極管面板,尤其涉及該AMOLED面板的像 素補償電路。
    技術介紹
    有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode, 0LED)依驅動方式可分為被 動式矩陣驅動(Passive Matrix OLED, PM0LED)和主動式矩陣驅動(Active Matrix OLED, AM0LED)兩種。其中,PMOLED是當數據未寫入時并不發光,只在數據寫入期間發光。這種驅 動方式結構簡單、成本較低、較容易設計,主要適用于中小尺寸的顯示器。AMOLED與PMOLED最大的差異是在于,每一像素都有一電容存儲數據,讓每一像素 皆維持在發光狀態。由于AMOLED耗電量明顯小于PM0LED,加上其驅動方式適合發展大尺寸 與高解析度的顯示器,使得AMOLED成為未來發展的主要方向。在現有技術中,AMOLED的一 種像素電路為2T (兩個薄膜晶體管)IC (I個電容)架構。參照圖1,第一薄膜晶體管的源 極電性連接至一數據電壓Vdata,其柵極電性連接至一掃描線Scan。第二薄膜晶體管的柵 極電性連接至第一薄膜晶體管的漏極,第二薄膜晶體管的源極電性連接至一電壓OVDD且 與柵極之間包括一存儲電容C,第二薄膜晶體管的漏極連接至一有機發光二極管的陽極,而 該有機發光二極管的陰極電性連接至一電壓OVSS。由于AMOLED面板上的電壓OVDD于每個像素間都連接在一起,當驅動發光時,電壓 OVDD上會有電流流過。考慮到OVDD金屬線本身具有阻抗,會有壓降存在,造成每一像素的 OVDD會出現差異,導致不同像素間存在電流差異。如此一來,流經OLED的電流不同,所產生 的亮度也不同,進而AMOLED面板不均勻。另外,由于制程的影響,每一像素中的薄膜晶體管 的閾值電壓均不相同,即使提供相同數值的電壓Vdata,其所產生的電流仍然會有差異,這 也將造成面板不均勻。此外,如果采用像素補償電路對上述電壓進行補償,大部分補償電路 又會受限于掃描時間太短而影響補償效果。有鑒于此,如何設計一種用于AMOLED面板的像素補償電路,以有效地改進或消除 上述面板不均勻等諸多缺陷,是業內相關技術人員亟待解決的一項課題。
    技術實現思路
    針對現有技術中的用于AMOLED面板的像素補償電路所存在的上述缺陷,本專利技術 提供了一種新穎的像素補償電路。依據本專利技術的一個方面,提供了一種像素補償電路,包括一第一開關,所述第一開關的第一端電性連接至一數據信號,所述第一開關的控 制端電性連接至一第一控制信號;一第二開關,所述第二開關的第一端電性連接至一第一電壓,所述第二開關的控 制端電性連接至一第二控制信號,所述第二開關的第二端與第一端之間包括一第二電容;一第三開關,所述第三開關的第一端電性連接至所述第二開關的第二端,所述第三開關的控制端電性連接至所述第一開關的第二端,所述第三開關的第一端與控制端之間 包括一第一電容;一第四開關,所述第四開關的第一端電性連接至所述第一開關的第二端以及所述 第三開關的控制端,所述第四開關的第二端電性連接至所述第三開關的第二端,所述第四 開關的控制端電性連接至一第三控制信號;一第五開關,所述第五開關的控制端電性連接至一第四控制信號,所述第五開關 的第一端電性連接至所述第三開關的第二端以及所述第四開關的第二端;以及一有機發光二極管,其陽極電性連接至所述第五開關的第二端,其陰極電性連接至一第二電壓。優選地,第一開關、第二開關、第三開關、第四開關以及第五開關均為一薄膜晶體管。優選地,像素補償電路依次包括一復位期間、一電壓存儲期間、一數據寫入期間和 一發光期間。在其中的一實施例中,所述復位期間內,第一控制信號為一低電平,第二控制信號 為一低電平,第三控制信號為一高電平,所述第四控制信號為一高電平。進一步,第一開關 和所述第二開關均處于開通狀態,所述第三開關的第一端的電位等于所述第一電壓,所述 第三開關的控制端的電位等于一參考電壓。在其中的一實施例中,所述電壓存儲期間內,所述第一控制信號為一低電平,所述 第二控制信號為一高電平,所述第三控制信號為一低電平,所述第四控制信號為一高電平。 進一步,第一開關處于開通狀態,所述第二開關處于關斷狀態,所述第三開關的第一端的電 位等于所述參考電壓與一閾值電壓之差,所述第三開關的控制端的電位仍然等于所述參考 電壓。在其中的一實施例中,所述數據寫入期間內,所述第一控制信號為一低電平,所述 第二控制信號為一高電平,所述第三控制信號為一高電平,所述第四控制信號為一高電平。 進一步,第一開關處于開通狀態,所述第二開關處于關斷狀態,所述第三開關的控制端的電 位由所述參考電壓切換為一數據電壓。在其中的一實施例中,所述發光期間內,所述第一控制信號為一高電平,所述第二 控制信號為一低電平,所述第三控制信號為一高電平,所述第四控制信號為一低電平。采用本專利技術的像素補償電路,藉由第一開關至第五開關、兩個電容、一個OLED構 成5T2C架構,從而將該像素補償電路的運作時序依次劃分為復位期間、電壓存儲期間、數 據寫入期間和發光期間,由于第五開關在復位期間、電壓存儲期間和數據寫入期間均處于 關斷狀態,OLED上并不會發光,延長了 OLED的使用壽命。此外,第五開關在發光期間處于 開通狀態,流經OLED的電流只與參考電壓和數據電壓有關,因而能夠克服制程差異和電流 下降等影響,以達到像素補償和面板亮度均勻的效果。附圖說明讀者在參照附圖閱讀了本專利技術的具體實施方式以后,將會更清楚地了解本專利技術的 各個方面。其中,圖1示出現有技術中的一種像素補償電路采用“2T1C”架構的原理示意圖2示出依據本專利技術的一實施方式的像素補償電路的結構示意圖3示出圖2中的像素補償電路的關鍵信號的時序示意圖4示出圖2中的像素補償電路的第一開關至第五開關在復位期間內的狀態示意圖5示出圖2中的像素補償電路的第一開關至第五開關在電壓存儲期間內的狀態示意圖圖6示出圖2中的像素補償電路的第一開關至第五開關在數據寫入期間內的狀態以及示意圖圖7示出圖2中的像素補償電路的第一開關至第五開關在發光期間內的狀態示意圖。具體實施方式為了使本申請所揭示的
    技術實現思路
    更加詳盡與完備,可參照附圖以及本專利技術的下述各種具體實施例,附圖中相同的標記代表相同或相似的組件。然而,本領域的普通技術人員應當理解,下文中所提供的實施例并非用來限制本專利技術所涵蓋的范圍。此外,附圖僅僅用于示意性地加以說明,并未依照其原尺寸進行繪制。下面參照附圖,對本專利技術各個方面的具體實施方式作進一步的詳細描述。圖1示出現有技術中的一種像素補償電路采用“2T1C”架構的原理示意圖。參照圖1,該像素補償電路為一“2T1C”架構,這里的2T即薄膜晶體管Tll和薄膜晶體管T12,IC 即為薄膜晶體管T12的柵極與源極之間所跨接的存儲電容Cl。亦即,術語“mTnC”表示薄膜晶體管的數目為m,存儲電容的數目為n, m、η均為自然數。其中,薄膜晶體管Tll的柵極電性連接至一掃描信號Scan,源極用于接收一數據電壓信號,漏極與薄膜晶體管T12的柵極相連接。薄膜晶體管T12的源極電性連接至一公共電壓0VDD,漏極經由有機發光二極管OLED連接至一接地電壓0VSS。當驅動發光時,OVDD 上面會有電流流過,由于本文檔來自技高網
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    【技術保護點】
    一種像素補償電路,其特征在于,所述像素補償電路包括:一第一開關,所述第一開關的第一端電性連接至一數據信號,所述第一開關的控制端電性連接至一第一控制信號;一第二開關,所述第二開關的第一端電性連接至一第一電壓,所述第二開關的控制端電性連接至一第二控制信號,所述第二開關的第二端與第一端之間包括一第二電容;一第三開關,所述第三開關的第一端電性連接至所述第二開關的第二端,所述第三開關的控制端電性連接至所述第一開關的第二端,所述第三開關的第一端與控制端之間包括一第一電容;一第四開關,所述第四開關的第一端電性連接至所述第一開關的第二端以及所述第三開關的控制端,所述第四開關的第二端電性連接至所述第三開關的第二端,所述第四開關的控制端電性連接至一第三控制信號;一第五開關,所述第五開關的控制端電性連接至一第四控制信號,所述第五開關的第一端電性連接至所述第三開關的第二端以及所述第四開關的第二端;以及一有機發光二極管,其陽極電性連接至所述第五開關的第二端,其陰極電性連接至一第二電壓。

    【技術特征摘要】
    1.一種像素補償電路,其特征在于,所述像素補償電路包括 一第一開關,所述第一開關的第一端電性連接至一數據信號,所述第一開關的控制端電性連接至一第一控制信號; 一第二開關,所述第二開關的第一端電性連接至一第一電壓,所述第二開關的控制端電性連接至一第二控制信號,所述第二開關的第二端與第一端之間包括一第二電容; 一第三開關,所述第三開關的第一端電性連接至所述第二開關的第二端,所述第三開關的控制端電性連接至所述第一開關的第二端,所述第三開關的第一端與控制端之間包括一第一電容; 一第四開關,所述第四開關的第一端電性連接至所述第一開關的第二端以及所述第三開關的控制端,所述第四開關的第二端電性連接至所述第三開關的第二端,所述第四開關的控制端電性連接至一第三控制信號; 一第五開關,所述第五開關的控制端電性連接至一第四控制信號,所述第五開關的第一端電性連接至所述第三開關的第二端以及所述第四開關的第二端;以及 一有機發光二極管,其陽極電性連接至所述第五開關的第二端,其陰極電性連接至一第二電壓。2.根據權利要求1所述的像素補償電路,其特征在于,所述第一開關、第二開關、第三開關、第四開關以及第五開關均為一薄膜晶體管。3.根據權利要求1所述的像素補償電路,其特征在于,所述像素補償電路依次包括一復位期間、一電壓存儲期間、一數據寫入期間和一發光期間。4.根據權利要求3所述的像素補償電路,其特征在于,在所述復位期間...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:陳怡倩張華罡
    申請(專利權)人:友達光電股份有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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