攝像器件制造技術

本發明專利技術公開了一種攝像器件。所述攝像器件包括：多個第一像素，所述多個第一像素每一者均包含光電二極管和像素內晶體管，并且設置有對入射至對應的所述第一像素的光的一部分進行遮光的遮光金屬膜；以及多個第二像素，所述多個第二像素每一者均包含光電二極管和像素內晶體管，并且未設置有遮光金屬膜。所述攝像器件的特征在于，各所述第一像素或各所述第二像素中含有的所述光電二極管每一者均被金屬框架包圍著。根據本發明專利技術，能夠提供在不影響焦點檢測精度和圖像質量等的前提下具有低成本和高自由度的攝像器件。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及攝像器件，具體地，涉及ー種被設計成在不影響焦點檢測精度和圖像質量等的前提下具有低成本和高自由度的攝像器件。
技術介紹
過去，已經提出了包含有均形成在一個芯片上的用于輸出攝像信號的像素(下文中稱為普通像素)和用于檢測焦距的像素(下文中稱為AF(自動對焦)像素)的攝像器件(例如參見日本專利申請特開第2000-292686號公報)。根據日本專利申請特開第2000-292686號公報中所披露的技術，在攝像器件的芯片上的多個區域中形成有光瞳分割(pupil-division)微透鏡以及用于接收光瞳分割光的成對的受光元件等，并且基于受光元件的輸出來進行焦點檢測。這使得能夠在不添加例如新機構或光學系統從而節省了空間的同時提供更寬的焦點檢測區域，還能夠提高AF速度并且執行準確的對焦。另外，為了提高焦點檢測精度，必須用入射光從恒定方向上照射AF像素。為此原因，已經提出了采用例如如下結構的技術方案該結構中，在AF像素的一部分上設置有遮光膜(例如，參見日本專利申請特開第2009-105358號公報)。根據日本專利申請特開第2009-105358號公報的技術，具有開ロ的遮光膜被布置在AF像素的光入射側，并且該開ロ規定了這樣的區域入射光通過該區域而入射至光電轉換部。因此，AF像素的光電轉換部選擇性地接收通過攝影鏡頭的出射光瞳之中的某個區域(該區域從出射光瞳的中心在-Y方向上實質上偏心)而射過來的光束，并進行光電轉換。然而，當在AF像素的一部分上布置有遮光膜吋，AF像素的電容(也就是說，AF像素的轉換效率)可能依賴于遮光膜的布置位置或遮光膜的形狀而改變。也即是，各個AF像素間存在著電特性差異。此外，在上述攝像器件中，跟AF像素相鄰的普通像素的電特性可能由于布置在該AF像素上的遮光膜的影響而改變。也即是，跟AF像素相鄰的普通像素與不跟該AF像素相鄰的另一普通像素之間出現了電特性差異。于是，AF像素間的電特性差異可能導致所輸出的焦距檢測用信號的差異，從而導致焦點檢測精度的下降。另外，普通像素間的電特性差異可能造成所輸出的攝像用信號的差異，從而導致圖像質量的顯著下降。此外，在現有的技術中，如上所述，由干與AF像素相鄰的普通像素的電特性可能依賴于該AF像素的存在而改變,所以不能在像素陣列中自由地布置AF像素。
技術實現思路
鑒于上述原因，期望提供一種被設計成在不影響焦點檢測精度和圖像質量等的前提下具有低成本和高自由度的攝像器件。本專利技術的實施例提供了一種攝像器件，所述攝像器件包括多個第一像素，所述多個第一像素每ー者均包含光電ニ極管和像素內晶體管，并且設置有對入射至對應的所述第一像素的光的一部分進行遮光的遮光金屬膜；以及多個第二像素，所述多個第二像素姆ー者均包含光電ニ極管和像素內晶體管，并且未設置有遮光金屬膜。各所述第一像素或各所述第二像素中含有的所述光電ニ極管每一者均被金屬框架包圍著。可以按照如下方式來設置所述多個第一像素和所述多個第二像素在所述多個第一像素和所述多個第二像素每ー者中，跟某個所述像素內晶體管的端子相連接的配線的ー部分與相鄰像素的所述金屬框架之間的距離是恒定的。 可以按照如下方式來設置所述多個第一像素和所述多個第二像素在所述多個第一像素和所述多個第二像素每ー者中，把各所述像素內晶體管之中的用于將電荷轉換為電壓信號的那個所述像素內晶體管的柵極端子跟電路中的浮動擴散部(floatingdiffusion ；FD)連接起來的配線與相鄰像素中的所述金屬框架之間的距離是恒定的。所述遮光金屬膜和所述金屬框架可以由用于形成把各所述像素內晶體管的預定端子連接起來的配線的同一金屬膜制成。所述第一像素被設置用來檢測焦距，并且所述第二像素被設置用來輸出攝像信號。根據本專利技術的上述實施例，設置有多個第一像素和多個第二像素。所述多個第一像素每ー者均包含光電ニ極管和像素內晶體管并且設置有對入射至對應的所述第一像素的光的一部分進行遮光的遮光金屬膜。所述多個第二像素姆ー者均包含光電ニ極管和像素內晶體管并且未設置有遮光金屬膜。此外，各所述第一像素或各所述第二像素中含有的所述光電ニ極管姆一者均被金屬框架包圍著。根據本專利技術的上述實施例，能夠提供在不影響焦點檢測精度和圖像質量等的前提下具有低成本和高自由度的攝像器件。附圖說明圖1圖示了具有普通像素和AF像素的攝像器件的一種結構；圖2圖示了具有普通像素和AF像素的攝像器件的另ー結構；圖3圖示了普通像素的結構和AF像素的結構；圖4A和圖4B圖示了普通像素的電路結構；圖5A和圖5B圖示了普通像素的電路結構；圖6A和圖6B圖示了 AF像素的電路結構；圖7圖示了在現有的包含普通像素和AF像素的攝像器件中的電路布局；圖8圖示了當采用本專利技術的實施例時在包含普通像素和AF像素的攝像器件中的電路布局。具體實施例方式下面，將參照附圖來詳細說明本專利技術的實施例。首先，將說明攝像器件的結構。過去，已經提出了包含有用于輸出攝像信號的像素(下文中稱為普通像素)和用于檢測焦距的像素(下文中稱為AF(自動對焦)像素)的攝像器件。圖1圖示了包含有普通像素和AF像素的攝像器件的結構。如圖1中所示，在攝像器件10中，交替地布置有普通像素的行和AF像素的行，各普通像素以圖1中的寫有“N”的矩形來表示，各AF像素以圖1中的寫有“AF”的矩形來表示。此外，在另ー示例中，普通像素和AF像素可以被布置為如圖2中所示。在如圖2中所示的攝像器件20中，在布置了一行AF像素之后，布置兩行普通像素。 另外，存在這樣的攝像器件其中，在一行AF像素之后，布置三行、四行或更多行普通像素。此外，也能夠采用如下的結構其中，在一行普通像素之后，布置兩行、三行或更多行AF像素。圖3圖示了普通像素的結構和AF像素的結構。圖3的左邊部分圖示了普通像素51。如該圖中所示，普通像素51是由光電ニ極管51a和片上透鏡(on-chip lens)51b形成的。在該圖中，假設該圖的上側為光電ニ極管的受光面，并且該光電ニ極管被設置用來產生與進入受光面的入射光的強度相對應的電流。此夕卜，當需要時，在光電ニ極管51a的受光面上設置有濾色器等。圖3的右邊部分圖示了 AF像素52。如該圖中所示，AF像素52包括光電ニ極管52a、片上透鏡52b和遮光膜52c。在該圖中，假設該圖的上側為光電ニ極管的受光面，并且該光電ニ極管被設置用來產生與進入受光面的入射光的強度相對應的電流。此外，當需要時，在光電ニ極管52a的受光面上設置有濾色器等。為了提高焦點檢測精度，必須用入射光從恒定方向上照射AF像素。為此，在AF像素52上設置有遮光膜52c。遮光膜52c以如下方式設置著其對在特定方向上向光電ニ極管52a的受光面入射的光進行遮光。作為遮光膜52c的示例，可以使用也用來形成電路板上的配線圖形的銅膜。通過這樣的設置，在用來形成驅動電路等的配線的圖形化工序中，同時也將遮光膜圖形化。這使得能夠在不増加特殊的制造エ序的前提下制造出包含普通像素和AF像素的攝像器件。順便提及地，圖3中所示的結構是示意性結構。在實際的普通像素和AF像素中，還設置有像素內晶體管等。接著，將參照圖4A至圖6B來說明現有的普通像素或AF像素的具體結構。圖4A和圖4B圖示了普通像素的電路結構。圖4A是普通像素的電路圖，而圖4B是普通像素的電路本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種攝像器件，所述攝像器件包括：多個第一像素，所述多個第一像素每一者均包含光電二極管和像素內晶體管，并且設置有對入射至對應的所述第一像素的光的一部分進行遮光的遮光金屬膜；以及多個第二像素，所述多個第二像素每一者均包含光電二極管和像素內晶體管，并且未設置有遮光金屬膜，其特征在于，各所述第一像素或各所述第二像素中含有的所述光電二極管每一者均被金屬框架包圍著。

【技術特征摘要】
2011.09.26 JP 2011-2091021.一種攝像器件，所述攝像器件包括 多個第一像素，所述多個第一像素每一者均包含光電二極管和像素內晶體管，并且設置有對入射至對應的所述第一像素的光的一部分進行遮光的遮光金屬膜；以及 多個第二像素，所述多個第二像素每一者均包含光電二極管和像素內晶體管，并且未設置有遮光金屬膜， 其特征在于，各所述第一像素或各所述第二像素中含有的所述光電二極管每一者均被金屬框架包圍著。2.根據權利要求1所述的攝像器件，其特征在于，所述多個第一像素和所述多個第二像素以如下方式設置著在所述多個第一像素和所述多個第二像素每一者中，跟某個所述像素內晶體管的端子相連接...

【專利技術屬性】
技術研發人員：安達雄大，飯塚哲也，
申請(專利權)人：索尼公司，
類型：發明
國別省市：