【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及通信
，特別涉及一種LLC變壓器及電源設備。
技術介紹
隨著人們對電磁干擾的重視，目前幾乎所有的電源產品必須進行電磁干擾測試，產品的電磁噪聲必須低于國際上關于電磁干擾規定的限值。現有技術中為了減少產品對外的電磁干擾，通常做法是在產品的端口增加EMI(Electromagnetic Interference,電磁干擾)濾波電路。通過該EMI濾波電路來降低電源的電磁干擾。但是隨著電源特別是開關電源、開關頻率和開關速度的不斷提高以及業界對電磁干擾的要求越來越嚴，對EMI濾波電路的性能要求也越來越高，隨著EMI濾波電路性能的提高，需要的EMI濾波電路的尺寸也越來越大。所以怎樣實現在降低電源的電磁噪聲的同時，又減少EMI濾波電路的尺寸是需要解決的問題。
技術實現思路
為了降低對EMI濾波電路的尺寸的要求，本專利技術實施例中提供了一種LLC變壓器及電源設備。所述技術方案如下第一方面，提供了一種LLC變壓器，所述變壓器包括磁芯中柱，依次圍繞所述磁芯中柱的第一原邊繞組、第一副邊繞組，第二副邊繞組和第二原邊繞組，所述變壓器還包括至少兩個屏蔽層；所述第一屏蔽層位于所述第一原邊繞組和所述第一副邊繞組之間，所述第二屏蔽層位于所述第二原邊繞組和所述第二副邊繞組之間，且所述第一屏蔽層的一端和所述第二屏蔽層的一端分別接地；其中，所述第一副邊繞組的內側面與所述第一屏蔽層的外側面間的距離及所述第二副邊繞組的外側面與所述第二屏蔽層的內側面間的距離分別為(13和d4，所述第一副邊繞組的內側面與所述第一屏蔽層的外側面之間的絕緣層的介電常數及所述第二副邊繞組的外側面與所述第二屏蔽...
【技術保護點】
一種串并聯諧振變換LLC變壓器，所述變壓器包括磁芯中柱，依次圍繞所述磁芯中柱的第一原邊繞組、第一副邊繞組、第二副邊繞組和第二原邊繞組，其特征在于，所述變壓器還包括：至少兩個屏蔽層；所述第一屏蔽層位于所述第一原邊繞組和所述第一副邊繞組之間，所述第二屏蔽層位于所述第二原邊繞組和所述第二副邊繞組之間，且所述第一屏蔽層的一端和所述第二屏蔽層的一端分別接地；其中，所述第一副邊繞組的內側面與所述第一屏蔽層的外側面間的距離及所述第二副邊繞組的外側面與所述第二屏蔽層的內側面間的距離分別為d3和d4，所述第一副邊繞組的內側面與所述第一屏蔽層的外側面之間的絕緣層的介電常數及所述第二副邊繞組的外側面與所述第二屏蔽層的內側面之間的絕緣層的介電常數分別為ε3和ε4，所述第一副邊繞組在所述第一屏蔽層上感應出的電勢及所述第二副邊繞組在所述第二屏蔽層上感應出的電勢分別為E3和E4，所述第一副邊繞組到所述磁芯中柱的圓環的半徑及所述第二副邊繞組到所述磁芯中柱的圓環的半徑分別為r3和r4，分別調整d3和d4，ε3和ε4，E3和E4，使得所述第一原邊繞組和所述第一副邊繞組上的感應電荷與所述第二原邊繞組和所述第二副邊繞組上的感...
【技術特征摘要】
1.一種串并聯諧振變換LLC變壓器，所述變壓器包括磁芯中柱，依次圍繞所述磁芯中柱的第一原邊繞組、第一副邊繞組、第二副邊繞組和第二原邊繞組，其特征在于，所述變壓器還包括至少兩個屏蔽層； 所述第一屏蔽層位于所述第一原邊繞組和所述第一副邊繞組之間，所述第二屏蔽層位于所述第二原邊繞組和所述第二副邊繞組之間，且所述第一屏蔽層的一端和所述第二屏蔽層的一端分別接地； 其中，所述第一副邊繞組的內側面與所述第一屏蔽層的外側面間的距離及所述第二副邊繞組的外側面與所述第二屏蔽層的內側面間的距離分別為d3和d4，所述第一副邊繞組的內側面與所述第一屏蔽層的外側面之間的絕緣層的介電常數及所述第二副邊繞組的外側面與所述第二屏蔽層的內側面之間的絕緣層的介電常數分別為83和S4，所述第一副邊繞組在所述第一屏蔽層上感應出的電勢及所述第二副邊繞組在所述第二屏蔽層上感應出的電勢分別為E3和E4，所述第一副邊繞組到所述磁芯中柱的圓環的半徑及所述第二副邊繞組至IJ所述磁芯中柱的圓環的半徑分別為rjPr4，分別調整屯和山，83和e4，EjPE4，使得所述第一原邊繞組和所述第一副邊繞組上的感應電荷...
【專利技術屬性】
技術研發人員：宋清亮，陳慶彬，
申請(專利權)人：華為技術有限公司，福州大學，
類型：發明
國別省市：
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