一種煎烤器制造技術

本實用新型專利技術公開一種煎烤器，包括烤盤和鉚壓在烤盤上的加熱管，在烤盤的底部直接向內(nèi)凹陷形成凹槽，加熱管嵌置在凹槽中，烤盤深度大于25mm。本實用新型專利技術加熱管直接與烤盤充分接觸，可以更好地對烤盤整體加熱，熱量利用率大大提高，加熱效果好，特別針對較深烤盤的加熱效果更好，滿足了煎烤食物能均勻加熱至熟透，實現(xiàn)煎烤四周溫度均勻化加熱的效果，克服了傳統(tǒng)較深烤盤加熱不均勻的弊端。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本技術涉及一種煎烤器。
技術介紹
現(xiàn)有技術中，一般的煎烤器是在靠近烤盤的底部安裝加熱管，加熱管是通過對烤盤底部局部加熱再傳遞至整個烤盤的，熱能利用率低，局部溫度過高，加熱效果欠佳，特別是針對較深的烤盤來說，因為僅在底部附近有加熱管，所以，加熱不均勻，食物無法均勻熟透。 有鑒于此，本專利技術人對煎烤器的加熱結構加以改進，本案由此產(chǎn)生。
技術實現(xiàn)思路
本技術的目的在于提供一種煎烤器，以提升均勻加熱效果。為了達成上述目的，本技術的解決方案是一種煎烤器，包括烤盤和鉚壓在烤盤上的加熱管，在烤盤的底部直接向內(nèi)凹陷形成凹槽，加熱管嵌置在凹槽中。所述用于放置加熱管的凹槽環(huán)繞在烤盤的底部四周。所述烤盤沿凹槽外側的整個壁面形成利于烤盤蓄熱和熱傳導的加厚壁。所述烤盤的底部至少一側加厚形成用于放置溫控器的安裝部。所述烤盤分上烤盤和下烤盤，下烤盤的深度大于25mm。采用上述結構后，本技術因為將加熱管嵌置在向內(nèi)凹陷的凹槽中，加熱管直接與烤盤四周充分接觸，可以更好地對烤盤整體加熱，熱量利用率大大提高，加熱效果好，特別針對較深烤盤的加熱效果更好，滿足了煎烤食物能均勻加熱至熟透，實現(xiàn)煎烤四周溫度均勻化加熱的效果，克服了傳統(tǒng)較深烤盤加熱不均勻的弊端。本技術用途廣泛，適用于烹飪餡餅類食品，深度大于一般餡餅機(深度大于25mm)，其湯汁更豐富。以下結合附圖及具體實施例對本技術做進一步詳述。附圖說明圖1是本技術的下烤盤立體示意圖；圖2是本技術的上下烤盤立體分解圖；圖3是本技術的下烤盤俯視圖；圖4是本技術的縱向剖視圖。標號說明下烤盤I凹槽11加厚壁12安裝部13加熱管2上烤盤3凹槽31加熱管4。具體實施方式如圖1至圖4所示，本技術揭示的一種煎烤器，包括烤盤(分為上烤盤3和下烤盤I)和鉚壓在烤盤上的加熱管2、4，在上烤盤3和下烤盤I的底部直接向內(nèi)凹陷形成凹槽31和11。加熱管2和4嵌置在凹槽31和11中。此實施例進一步將凹槽31和11環(huán)繞在上烤盤3和下烤盤I的底部四周，使加熱管2和4通過四周對上烤盤3和下烤盤I進行加熱。為了方便放置溫控器，此實施例在下烤盤I的底部至少一側加厚形成安裝部13，此加厚的安裝部13屬于溫度不敏感區(qū)域，適用于放置溫控器。另外，此實施例在下烤盤I沿凹槽11外側的整個壁面形成加厚壁12，以利于烤盤蓄熱和熱傳導。其中，下烤盤I的深度都大于25mm。上烤盤3容槽深度較淺，在上烤盤3的底部直接向內(nèi)凹陷形成凹槽31，加熱管4嵌置在凹槽31中，設在上烤盤3背面的加熱管4直接橫跨兩個容槽中間即可加熱均勻。本技術與傳統(tǒng)結構相比，加熱管2直接與烤盤I充分接觸，可以更好地對烤盤I整體加熱，加熱效果好，特別針對較深烤盤I的加熱效果更好，滿足了煎烤食物能均勻加熱至熟透，實現(xiàn)煎烤四周溫度均勻化加熱的效果，克服了傳統(tǒng)較深烤盤加熱不均勻的弊端。以上所述僅為本技術的一個實施例，并非對本案設計的限制，凡依本案的設計關鍵所做的等同變化，均落入本案的保護范圍。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種煎烤器，其特征在于：包括烤盤和鉚壓在烤盤上的加熱管，在烤盤的底部直接向內(nèi)凹陷形成凹槽，加熱管嵌置在凹槽中。

【技術特征摘要】
1.一種煎烤器，其特征在于包括烤盤和鉚壓在烤盤上的加熱管，在烤盤的底部直接向內(nèi)凹陷形成凹槽，加熱管嵌置在凹槽中。2.如權利要求1所述的一種煎烤器，其特征在于用于放置加熱管的凹槽環(huán)繞在烤盤的底部四周。3.如權利要求1所述的一種煎烤器，其特征在于...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：李文輝，
申請(專利權)人：廈門信得通工貿(mào)有限公司，
類型：實用新型
國別省市：