本發明專利技術提供一種處理裝置，其具備：擴散處理部（10），一邊加熱R-T-B類燒結磁石體（1）和包含重稀土元素RH（包含Dy和Tb中的至少一種）的金屬或合金的RH擴散源（2），一邊進行旋轉；分離部（20），從由擴散處理部（10）接收的R-T-B類燒結磁石體（1）和RH擴散源（2）中選擇性地分離RH擴散源（2）；和熱處理部（30），對于擴散有重稀土元素RH的R-T-B類燒結磁石體（1），在去除RH擴散源（2）的狀態下進行熱處理。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及用于使重稀土元素RH (包含Dy和Tb中的至少一種)向R_T_B類燒結磁體的內部擴散的處理裝置。
技術介紹
以R2T14B型化合物為主相的R-T-B類燒結磁體，已知作為在永磁體中最高性能的磁體，使用于硬盤驅動器的音圈電機(VCM)、混合動力車搭載用發動機等各種發動機和家電制品等。R-T-B類燒結磁體在高溫域的矯頑力降低，因此，發生不可逆熱退磁。為了避免不可逆熱退磁，在使用于發動機用等的情況下，要求在高溫域中也維持高的矯頑力。已知在用重稀土元素RH (包含Dy、Tb中的至少一種)取代R2T14B型化合物相時， R-T-B類燒結磁體的矯頑力會提高。為了在高溫域也獲得高的矯頑力，可以認為有效的是向 R-T-B類燒結磁體中大量添加重稀土元素RH。但是，在R-T-B類燒結磁體中，用重稀土元素RH取代輕稀土元素RL (由NcUPr的至少一方構成)時，矯頑力提高，而另一方面，存在剩余磁通密度降低的問題。另外，重稀土元素RH為稀有資源，因此要求減少其使用量。因此，近年來，研究了不使剩余磁通密度降低，而通過更少的重稀土元素RH使燒結磁體的矯頑力提高的技術。本申請的申請人已經在專利文獻I中，公開了一邊向R-T-B類燒結磁石體表面供給Dy等重稀土元素RH，一邊從該表面使重稀土元素RH向R-T-B類燒結磁石體的內部擴散的方法(蒸鍍擴散)。在專利文獻I公開的方法中，在由高融點金屬材料構成的擴散處理裝置的內部，R-T-B類燒結磁石體和RH塊體離開規定間隔而相對配置。擴散處理裝置具備保持多個R-T-B類燒結磁石體的部件和保持RH塊體的部件。在使用這種裝置的方法中，必須要在擴散處理裝置內配置RH塊體工序； 放置保持部件和網的工序；在網上配置R-T-B類燒結磁石體的工序；再在其上放置保持部件和網的工序；在網上配置上方的RH塊體的工序；將擴散處理裝置密閉進行蒸鍍擴散的工序這樣的一系列的操作。專利文獻2公開有以提高R-T-B類金屬間化合物磁性材料的磁特性為目的，將低沸點的Yb金屬粉末和R-T-B類燒結磁體成形體封入耐熱密封容器內進行加熱的方法。在專利文獻2的方法中，在燒結磁體成形體的表面均勻地沉積Yb金屬的被膜，使稀土元素從該被膜向燒結磁體的內部擴散(專利文獻2的實施例5)。現有技術文獻專利文獻專利文獻1:日本再公表2007 / 102391號公報專利文獻2 :日本特開2004-296973號公報
技術實現思路
專利技術所要解決的課題在專利文獻I的方法中，在擴散處理裝置內，需要使由R-T-B類燒結磁石體和重稀土元素RH構成的RH塊體離開配置。因此，存在用于配置的工序繁瑣、批量生產性差之類的問題。另外，Dy和Tb的供給通過升華來進行，因此要增加向R-T-B類燒結磁石體的擴散量， 獲得更高的矯頑力，就需要長的時間。另一方面，根據專利文獻2的公開，只要為Yb、Eu、Sm那樣的飽和蒸氣壓高的稀土金屬，就可以通過同一溫度范圍(例如800 850°C)的熱處理施行被膜在燒結磁石體的形成和從被膜的擴散。但是，要使Dy和Tb那樣蒸氣壓低的稀土元素在R-T-B類燒結磁石體表面形成被膜、進行沉積，就需要通過使用高頻加熱用線圈的感應加熱來選擇性地將稀土金屬加熱到高溫。這樣，在將Dy和Tb加熱到比R-T-B類燒結磁石體更高的溫度時，需要使 Dy和Tb與R-T-B類燒結磁石體離開。特別是根據專利文獻2的技術思想和方法，在R-T-B 類燒結磁石體的表面形成較厚(例如數十μ m以上)的Dy和/或Tb的被膜，因此，在R-T-B 類燒結磁石體的表面附近，Dy和/或Tb就會向主相晶粒的內部擴散，從而產生剩余磁通密度4的降低。本專利技術是鑒于上述情況而完成的，其目的在于，提供一種處理裝置，該裝置適用于不會使剩余磁通密度降低而用于使Dy和Tb的重稀土元素RH從R-T-B類燒結磁石體的表面向內部擴散的批量生產。用于解決課題的方法
本專利技術的處理裝置，其具備擴散處理部，其一邊加熱包含重稀土元素RH (包含 Dy和Tb中的至少一種)的金屬或合金的RH擴散源和R-T-B類燒結磁石體一邊進行旋轉； 分離部，其與上述擴散處理部鄰接，用于從由上述擴散處理部送出的上述RH擴散源和上述 R-T-B類燒結磁石體中選擇性地分離上述RH擴散源而進行旋轉；傾斜單元，其使上述擴散處理部和上述分離部傾斜。在優選的實施方式中，上述分離部具有將上述RH擴散源向外部排出的多個開口部，上述開口部的大小比R-T-B類燒結磁石體小。在優選的實施方式中，上述分離部一邊旋轉，一邊將上述R-T-B類燒結磁石體向上述擴散處理部送出，上述擴散處理部進行對于從上述分離部移動而來的上述R-T-B類燒結磁石體的熱處理。在優選的實施方式中，上述擴散處理部具有收容第一內壁部的第一外壁部，上述分離部具有收容第二內壁部的第二外壁部，至少上述第一內壁部為圓筒形，包含選自Mo、W、 Nb、Ta中的至少I種金屬或合金。在更加優選的實施方式中，在上述內壁部和上述外壁部之間配置有片狀的緩沖部件。在優選的實施方式中，在上述擴散處理部的內壁部設有螺旋狀的擋板，上述擴散處理部的擋板在第一方向上旋轉時，將上述擴散處理部內的上述RH擴散源和上述R-T-B類燒結磁石體向上述分離部送出，且在與上述第一方向相反的第二方向上旋轉時，將上述擴散處理部內的上述RH擴散源和上述R-T-B類燒結磁石體保持在上述擴散處理部內。本專利技術的另一種處理裝置，其具備擴散處理部，其一邊加熱包含重稀土元素RH (包含Dy和Tb中的至少一種)的金屬或合金的RH擴散源和R-T-B類燒結磁石體一邊進行旋轉；分離部，其與上述擴散處理部鄰接，用于從由上述擴散處理部送出的上述RH擴散源和上述R-T-B類燒結磁石體中選擇性地分離上述RH擴散源而進行旋轉；熱處理部，其與上述分離部鄰接，對于在上述擴散處理部中擴散有重稀土元素RH的上述R-T-B類燒結磁石體， 在去除上述RH擴散源的狀態下一邊旋轉一邊進行熱處理；傾斜單元，其至少使上述擴散處理部、上述分離部和上述熱處理部傾斜。在優選的實施方式中，上述分離部具有多個開口部，該開口部一邊使從上述擴散處理部接受的上述RH擴散源和上述R-T-B類燒結磁石體向上述熱處理部移動，一邊將上述 RH擴散源向外部排出。在優選的實施方式中，上述擴散處理部具有收容上述RH擴散源和上述R-T-B類燒結磁石體的圓筒形狀的第一內壁部，一邊通過上述驅動部使之旋轉，一邊將上述RH擴散源和上述R-T-B類燒結磁石體向上述分離部送出，上述分離部具有收容有上述RH擴散源和上述R-T-B類燒結磁石體且設有開口部的圓筒形狀的第二內壁部，一邊通過上述驅動部使之旋轉，一邊將上述RH擴散源從上述開口部向外部排出，且將上述R-T-B類燒結磁石體向上述熱處理部送出，上述熱處理部具有收容上述R-T-B類燒結磁石體的圓筒形狀的第三內壁部，一邊通過上述驅動部使之旋轉，一邊將上述R-T-B類燒結磁石體向排出口送出。在優選的實施方式中，在上述擴散處理部和上述熱處理部的內壁部設有螺旋狀的擋板，上述擴散處理部的擋板以螺旋方向與上述熱處理部的擋板為反方向的方式保持。在優選的實施方式中，上述擴散處理部具有收容上述第一內壁部的第一外壁部， 上述分離部具有收容上述 第二內壁部的第二外壁部，上述熱處理部具有收容上述第三內本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2010.07.13 JP 2010-1583631.一種處理裝置，其特征在于，具備擴散處理部，一邊加熱包含重稀土元素RH的金屬或合金的RH擴散源和R-T-B類燒結磁石體，一邊進行旋轉，所述重稀土元素RH包含Dy和Tb中的至少一種；分離部，與所述擴散處理部鄰接，用于從由所述擴散處理部送出的所述RH擴散源和所述R-T-B類燒結磁石體中選擇性地分離所述RH擴散源而進行旋轉；和傾斜單元，使所述擴散處理部和所述分離部傾斜。2.如權利要求1所述的處理裝置，其特征在于所述分離部具有將所述RH擴散源向分離部外側排出的多個開口部，所述開口部的大小比R-T-B類燒結磁石體小。3.如權利要求1或2所述的處理裝置，其特征在于所述分離部一邊旋轉，一邊將所述R-T-B類燒結磁石體向所述擴散處理部送出， 所述擴散處理部進行對于從所述分離部移動而來的所述R-T-B類燒結磁石體的熱處理。4.如權利要求1 3中任一項所述的處理裝置，其特征在于所述擴散處理部具有收容第一內壁部的第一外壁部，所述分離部具有收容第二內壁部的第二外壁部，至少所述第一內壁部為圓筒形，包含選自Mo、W、Nb、Ta中的至少I種金屬或合金。5.如權利要求4所述的處理裝置，其特征在于在所述第一內壁部和所述第一外壁部之間或所述第二內壁部和所述第二外壁部之間配置有片狀的緩沖部件。6.如權利要求1 4中任一項所述的處理裝置，其特征在于在所述擴散處理部的內壁部設有螺旋狀的擋板，所述擴散處理部的擋板在第一方向上旋轉時，將所述擴散處理部內的所述RH擴散源和所述R-T-B類燒結磁石體向所述分離部送出，并且，在與所述第一方向相反的第二方向上旋轉時，將所述擴散處理部內的所述RH擴散源和所述R-T-B類燒結磁石體保持在所述擴散處理部內。7.—種處理裝置，其特征在于，具備擴散處理部，一邊加熱包含重稀土元素RH的金屬或合金的RH擴散源和R-T-B類燒結磁石體，一邊進行旋轉，所述重稀土元素RH包含Dy和Tb中的至少一種；分離部...
【專利技術屬性】
技術研發人員：國吉太，中山昭二，
申請(專利權)人：日立金屬株式會社，
類型：
國別省市：
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