本發明專利技術提供一種閃爍器陣列的制造方法,在第一及第二閃爍器基板上分別形成多個槽之后在與槽正交的方向上進行切斷,從而形成具有單元部的第一及第二閃爍器條塊,將多組第一及第二閃爍器條塊按照單元部朝下的方式隔著隔離體而排列固定在支撐板上,通過研磨除去第一及第二閃爍器條塊各自的連結部,形成第一及第二單元分別排成一列的第一及第二單元陣列,向第一及第二單元陣列的槽及間隙中填充反射材料用樹脂,使其硬化后將支撐板除去,從而形成一體的樹脂硬化集合體,通過將第一及第二單元陣列的相鄰的組之間的樹脂層切斷,將樹脂硬化集合體按第一及第二單元陣列的組進行分割,來制造雙陣列型的閃爍器陣列。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及高精度且高效地制造放射線檢測器用的雙陣列型的閃爍器陣列的方法。
技術介紹
作為放射線檢查裝置之一有計算機斷層攝影裝置(ComputedTomography(CT)裝置)。CT裝置具有放射X射線扇形射束的X射線管;和排列設置了多個放射線檢測元件的放射線檢測器。X射線管和放射線檢測器將測定對象置于中心而對置配置。從X射線管放射的X射線扇形射束透過測定對象,由放射線檢測器進行檢測。按每次照射而改變照射角度來收集X射線吸收數據,通過計算機解析來算出測定對象的斷層面上的各個位置的X射線吸收率,構成與X射線吸收率相應的圖像。放射線檢測元件由多個閃爍器單元構成。作為放射線檢測器,可采用組合了閃爍器及硅光電二極管的檢測器、或組合了閃爍器及光電子倍增管的檢測器。利用了 X射線能量的檢測靈敏度分布不同的兩種閃爍器的雙能量檢測器例如公開于美國專利4,511,799號及WO 2006/114715(日本特表2008-538966號)中。美國專利4,511,799號公開了一個閃爍器的發光由一個二極管接收、另一個閃爍器的發光由另一個二極管接收的雙能量檢測器,但并未公開具體制造方法。另外,WO 2006/114715中也未具體公開閃爍陣列的制造方法。日本特開2002-236182號(美國專利6,793,857號)公開了制造將寬度不同的閃爍器單元組合而成的一維或多維檢測器陣列的方法。在該方法中,(a)形成由含有對放射線敏感的材料的感測層和基層構成的復合層,(b)為了將感測層分割成相互絕緣的各個要素,從基層的相反側對復合層的材料進行切削,從而在感測層中形成隔壁。然而,在該方法中,隨著單元數量增加而工時增大,裝配精度下降。日本特開2001-174564號中公開了一種X射線檢測器陣列,其中,對能量分布不同的X射線進行檢測的兩種閃爍器元件在X射線的透過方向上配置,與各閃爍器元件對應的光檢測元件在與其閃爍器元件垂直的方向上配置,多個閃爍器元件及多個光檢測元件形成了列。多個閃爍器元件由光反射性物質一體地模制而成。然而,日本特開2001-174564號中并未具體公開X射線檢測器陣列的制造方法。日本特表2009-524015號中公開了一種制造閃爍陣列的方法,其中,制作閃爍陶瓷的晶片,在陶瓷晶片的上表面形成正交的兩個方向的多個狹縫,通過使陶瓷晶片的表面的一部分氧化來形成反射層,從而制造閃爍陣列。形成各個像素的間隙的狹縫也同樣被反射層填充。但是,該閃爍陣列由一種閃爍陶瓷形成。因此,日本特表2009-524015號中關于高精度地排列兩種閃爍單元的技術既沒有公開也沒有給出啟示。
技術實現思路
(專利技術所要解決的課題)因此,本專利技術的目的在于,提供一種高精度且高效率地制造利用了 X射線能量的檢測靈敏度分布不同的兩種閃爍器的雙陣列型的閃爍器陣列的方法。(用于解決課題的手段)制造雙陣列型的閃爍器陣列的本專利技術的第一方法包括(I)在第一閃爍器基板上形成多個槽之后,在與所述槽正交的方向上切斷所述第一閃爍器基板,從而形成第一閃爍器單元部以梳齒狀排列的第一閃爍器條塊的步驟;(2)在與所述第一閃爍器基板的組成不同的第二閃爍器基板上形成多個槽之后,在與所述槽正交的方向上切斷所述第二閃爍器基板,從而形成第二閃爍器單元部以梳齒狀排列的第二閃爍器條塊的步驟;(3)將多組所述第一及第二閃爍器條塊按照所述第一及第二閃爍器單元部朝下的方式排列固定在支撐板上的步驟;(4)通過對所述第一及第二閃爍器條塊各自的連結部進行研磨除去,使所述第一及第二閃爍器條塊的槽在表面露出,從而使多個由第一閃爍器單元排成一列的第一單元陣列和第二閃爍器單元排成一列的第二單元陣列構成的組平行排列的步驟;(5)向所述第一及第二單元陣列的至少槽及間隙中填充反射材料用樹脂,使其硬化后除去所述支撐板,從而形成具有多個由所述第一及第二單元陣列并排排列而成的組的一體的樹脂硬化集合體的步驟;和(6)通過將所述第一及第二單元陣列的相鄰的組之間的樹脂層切斷,從而將所述樹脂硬化集合體按所述第一及第二單元陣列的組進行分割的步驟。制造雙陣列型的閃爍器陣列的本專利技術的第二方法包括(I)在第一閃爍器基板上形成多個槽之后,在與所述槽正交的方向上切斷所述第一閃爍器基板,從而形成第一閃爍器單元部以梳齒狀排列的第一閃爍器條塊的步驟;(2)在與所述第一閃爍器基板的組成不同的第二閃爍器基板上形成多個槽之后,在與所述槽正交的方向上切斷所述第二閃爍器基板,從而形成第二閃爍器單元部以梳齒狀排列的第二閃爍器條塊的步驟;(3)將多組所述第一及第二閃爍器條塊按照所述第一及第二閃爍器單元部朝上的方式排列固定在支撐板上的步驟;(4)向所述第一及第二閃爍器條塊的至少槽及間隙中填充反射材料用樹脂,使其硬化后除去所述支撐板,從而形成具有所述第一及第二閃爍器條塊的一體的樹脂硬化集合體的步驟;(5)對所述第一及第二閃爍器條塊各自的連結部進行研磨除去,從而制作具有多個由第一單元陣列及第二單元陣列并排排列而成的組的一體的單元陣列集合體的步驟,其中所述第一單元陣列由所述第一閃爍器單元部構成,所述第二單元陣列由所述第二閃爍器單元部構成;和(6)通過將所述第一及第二單元陣列的相鄰的組之間的樹脂層切斷,從而將所述單元陣列集合體按所述第一及第二單元陣列的組進行分割的步驟。在第一及第二方法中,優選通過對所述樹脂硬化集合體的兩面進行研磨,制作所述第一單元陣列及所述第二單元陣列露出的規定厚度的一體的單元陣列集合體,然后由反射材料用樹脂覆蓋所述單元陣列集合體中的所述第一及第二單元陣列的一個露出面。在第一及第二方法中,優選在由反射材料用樹脂覆蓋所述單元陣列集合體中的所述第一及第二單元陣列的一個露出面之后,將所述反射材料用樹脂的覆蓋層研磨加工至規定厚度。在第一及第二方法中,優選所述第一及第二閃爍器條塊各自在所述槽的兩側具有一對對位槽,在所述第一及第二閃爍器條塊的所述對位槽中插入第一隔離體,在各組的所述第一閃爍器條塊與第二閃爍器條塊之間配置第二隔離體,在所述第一閃爍器條塊及第二閃爍器條塊的相鄰的組之間配置第三隔離體。在第一及第二方法中,優選對所述第一及第二閃爍器條塊進行熱處理。在第二方法中,優選所述第二及第三隔離體具有在相鄰的閃爍器條塊之間配置的平坦的大面積部、和從所述大面積部超過所述第一及第二閃爍器條塊的上表面而突出的垂直部,所述第二隔離體的垂直部具有與所述第三隔離體的垂直部不同的著色部。在第二方法中,優選所述第二及第三隔離體的垂直部具有不同的高度及/或寬度。優選第一及第二閃爍器中的一方對高能量的X射線具有高的檢測靈敏度,另一方對低能量的X射線具有高的檢測靈敏度。例如,若第一閃爍器由釔-釓-鋁-鎵石榴石(YGAG)構成,第二閃爍器由硫氧化釓(GOS)構成,則與第一閃爍器相比第二閃爍器所檢測的X射線的能量分布高。該情況下,優選第一閃爍器用的YGAG具有例如由被Ce、Pr等稀土類元素活化后的(YhGdx) M(GauAVu) 5_a012(其中,X 為 O. 10 O. 5,u 為 O. 2 O. 6,a 為-O. 05 +0. 15)表示的組成。另外,優選第二閃爍器用的GOS具有由被從Pr、Ce及Tb中選出的至少I種元素活化后的Gd2O2S表示的組成。另外,若第一閃爍器由釔-釓-鋁-鎵石本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2011.04.25 JP 2011-0969621.一種雙陣列型的閃爍器陣列的制造方法,其特征在于,包括(1)在第一閃爍器基板上形成多個槽之后,在與所述槽正交的方向上切斷所述第一閃爍器基板,從而形成第一閃爍器單元部以梳齒狀排列的第一閃爍器條塊的步驟;(2)在與所述第一閃爍器基板的組成不同的第二閃爍器基板上形成多個槽之后,在與所述槽正交的方向上切斷所述第二閃爍器基板,從而形成第二閃爍器單元部以梳齒狀排列的第二閃爍器條塊的步驟;(3)將多組所述第一及第二閃爍器條塊按照所述第一及第二閃爍器單元部朝下的方式排列固定在支撐板上的步驟;(4)通過對所述第一及第二閃爍器條塊各自的連結部進行研磨除去,使所述第一及第二閃爍器條塊的槽在表面露出,從而使多個由第一閃爍器單元排成一列的第一單元陣列和第二閃爍器單元排成一列的第二單元陣列構成的組平行排列的步驟;(5)向所述第一及第二單元陣列的至少槽及間隙中填充反射材料用樹脂,使其硬化后除去所述支撐板,從而形成具有多個由所述第一及第二單元陣列并排排列而成的組的一體的樹脂硬化集合體的步驟;和(6)通過將所述第一及第二單元陣列的相鄰的組之間的樹脂層切斷,從而將所述樹脂硬化集合體按所述第一及第二單元陣列的組進行分割的步驟。2.根據權利要求1所述的閃爍器陣列的制造方法,其特征在于,通過對所述樹脂硬化集合體的兩面進行研磨,制作所述第一單元陣列及所述第二單元陣列露出的規定厚度的一體的單元陣列集合體,然后由反射材料用樹脂覆蓋所述單元陣列集合體中的所述第一及第二單元陣列的一個露出面。3.根據權利要求2所述的閃爍器陣列的制造方法,其特征在于,在由反射材料用樹脂覆蓋所述單元陣列集合體中的所述第一及第二單元陣列的一個露出面之后,將所述反射材料用樹脂的覆蓋層研磨加工至規定厚度。4.根據權利要求1 3的任一項所述的閃爍器陣列的制造方法,其特征在于,對所述第一及第二閃爍器條塊進行熱處理。5.根據權利要求1 4的任一項所述的閃爍器陣列的制造方法,其特征在于,所述第一及第二閃爍器條塊各自在所述槽的兩側具有一對對位槽,在所述第一及第二閃爍器條塊的所述對位槽中插入第一隔離體,在各組的所述第一閃爍器條塊與第二閃爍器條塊之間配置第二隔離體,在所述第一閃爍器條塊及第二閃爍器條塊的相鄰的組之間配置第三隔離體。6.一種雙陣列型的閃爍器陣列的制造方法,其特征在于,包括(1)在第一閃爍器基板上形成多個槽之后,在與所...
【專利技術屬性】
技術研發人員:重川祥,新田英雄,鹽田諭,
申請(專利權)人:日立金屬株式會社,
類型:
國別省市: