一種調諧范圍寬品質因數高的開關電容陣列結構制造技術

本發明專利技術公開了一種調諧范圍寬、品質因數高的開關電容陣列結構。相對于傳統開關電容陣列結構，本開關電容陣列結構主要進行了如下改進：將每個開關電容單元的開關控制信號通過一個反相器和一個電阻連接到開關管的漏極，優化了開關管的開關特性。改進后的開關電容陣列具有寄生效應低、品質因數高以及調諧范圍寬的特性。

【技術實現步驟摘要】
—種調諧范圍寬品質因數高的開關電容陣列結構
本專利技術主要涉及離散電容設計領域，尤其指一種調諧范圍寬、品質因數高的開關電容陣列結構。
技術介紹
由于射頻系統中本振電路對調諧范圍以及相位噪聲性能要求越來越嚴格，LC振蕩器設計實現逐漸成為眾多研究熱點之一。為了獲得足夠寬的調諧范圍，A. Kral等人于1998 年第一次提出了采用開關電容陣列實現諧振器的電容部分。但是由于各種寄生效應，導致有效容值范圍減小，品質因數降低，使得開關電容的調諧范圍和相位噪聲性能存在很大程度的減小。因此，如何減弱開關電容陣列的寄生效應、增大調諧范圍和品質因數是開關電容陣列設計時亟待解決的難題。附圖說明圖1和圖3分別展示了一種由NMOS開關管和金屬電容實現的傳統開關電容結構以及其對應的開關電容陣列結構，圖1所示NMOS管NI為射頻開關管，NI的柵極為開關控制信號D的輸入端,漏極連接金屬電容C的一端，電容的另一端為輸出端OUT。對于任意一個開關電容單元，當開關控制信號Di為低電平時，開關管Ni不開啟，開關電容處于關閉狀態，此時開關電容結構的等效電路如圖5所示，其寄生電容可以表示為權利要求1.一種調諧范圍寬、品質因數高的開關電容陣列，其特征在于它包括N個單端開關電容單元，所述N個單端開關電容單元輸入接對應開關控制信號Dtl, D1, D2，一直到Dn，輸出均接到開關電容陣列的輸出端OUT。2.根據權利要求1所述的開關電容陣列，相鄰的開關電容單元的開關管(Ni)和(Ni+1)的尺寸比例與二者對應的電容(CDi)和(CD(i+1))容值比例相同。3.根據權利要求2所述的開關電容陣列，每個開關電容單元的開關控制信號Di接到反相器(INV)的輸入端和開關管(Ni)的輸入端，反相器INV輸出端接到一個電阻(Rtl)的一端，所述電阻(Rtl)另一端接到開關管(Ni)的漏極，開關管(Ni)的漏極接到電容(Cm)的一端，所述電容(Cm)的另一端接到開關電容陣列的輸出端OUT。4.根據權利要求3所述的開關電容陣列，每個開關電容單元的反相器(INV)尺寸相同，電阻(Rtl)取值相同。全文摘要本專利技術公開了一種調諧范圍寬、品質因數高的開關電容陣列結構。相對于傳統開關電容陣列結構，本開關電容陣列結構主要進行了如下改進將每個開關電容單元的開關控制信號通過一個反相器和一個電阻連接到開關管的漏極，優化了開關管的開關特性。改進后的開關電容陣列具有寄生效應低、品質因數高以及調諧范圍寬的特性。文檔編號H03K17/687GK103001621SQ20121043308公開日2013年3月27日 申請日期2012年11月2日 優先權日2012年11月2日專利技術者郭斌 申請人:長沙景嘉微電子股份有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種調諧范圍寬、品質因數高的開關電容陣列，其特征在于：它包括N個單端開關電容單元，所述N個單端開關電容單元輸入接對應開關控制信號D0，D1，D2，一直到DN，輸出均接到開關電容陣列的輸出端OUT。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：郭斌，
申請(專利權)人：長沙景嘉微電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：