本發(fā)明專利技術(shù)提供一種觸控感測裝置。此裝置包括一觸控感測電路層，設(shè)置于一基板的下表面上；以及一屏蔽結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該觸控感測電路層下方，其中該屏蔽結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電層及一載板層。本發(fā)明專利技術(shù)亦揭示一種具有觸控感測裝置的電子裝置。本發(fā)明專利技術(shù)的觸控感測裝置，在提供屏蔽功能的同時，可防止不適當?shù)谋尘半娙莸漠a(chǎn)生，進而防止觸控感測裝置的觸控靈敏性降低或失效。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種輸入裝置，特別是一種觸控感測裝置與應(yīng)用所述觸控感測裝置之電子裝置。
技術(shù)介紹
觸控感測裝置的功能在于使用者能夠透過手指或觸控筆(stylus)執(zhí)行輸入的功能而完成資料傳輸。一般而言，觸控感測裝置可依據(jù)感測方法而分為電阻式、電容式、音波(acoustic wave)式、及光學(xué)式觸控感測裝置。圖1繪示出習(xí)知具有單一玻璃的觸控感測裝置10之剖面示意圖。觸控感測裝置10包括一基板100,具有一上表面IOOa及一下表面100b。一觸控感測電路層102設(shè)置于基板100的上表面100a。由于觸控感測裝置10會受到來自外界(例如，顯示裝置或是周邊其他設(shè)備)雜訊的干擾，因此于基板100的下表面IOOb上覆蓋一導(dǎo)電層104，以進行雜訊防護。然而，觸控感測電路層102及導(dǎo)電層104通常均采用薄膜沉積、微影、蝕刻、濺鍍或印刷等涂覆技術(shù)直接制作于基板100的上表面IOOa及下表面100b，因此在觸控感測裝置10中，導(dǎo)電層104會因距離觸控感測電路層102大近而在兩者之間形成很大的背景電容(background capacitance),造成觸控感測裝置10觸控靈敏性降低或失效。因此，有必要尋求一種新的觸控感測裝置結(jié)構(gòu)，使其能夠改善或避免上述的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
為了解決上述的問題，本專利技術(shù)采用了一種屏蔽結(jié)構(gòu)用于避免背景電容的產(chǎn)生。根據(jù)上述的目的，本專利技術(shù)一實施例提供一種觸控感測裝置，包括一觸控感測電路層，設(shè)置于一基板的下表面上；以及一屏蔽結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述觸控感測電路層下方，其中所述屏蔽結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電層及一載板層。本專利技術(shù)另一實施例提供一種觸控感測裝置，包括一觸控感測電路層；以及一屏蔽結(jié)構(gòu)，包括一導(dǎo)電層及一載板層，其中所述載板層具有一抗背景電容的厚度以形成I安全間隔于所述觸控感測電路層與所述導(dǎo)電層之間。本專利技術(shù)另一實施例提供一種電子裝置，包括一顯示裝置；以及一觸控感測裝置，設(shè)置于顯示裝置上，并與其電性耦接。觸控感測裝置，包括一觸控感測電路層，設(shè)置于一基板的下表面上；以及一屏蔽結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述觸控感測電路層下方且與所述觸控感測電路層設(shè)置于所述基板之同側(cè)，其中所述屏蔽結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電層及一載板層。本專利技術(shù)的觸控感測裝置由于具有上述屏蔽結(jié)構(gòu)，在提供屏蔽功能的同時，可防止不適當?shù)谋尘半娙莸漠a(chǎn)生，進而防止觸控感測裝置的觸控靈敏性降低或失效。附圖說明下面結(jié)合具體實施方式及附圖，對本專利技術(shù)作進一步詳細說明。圖1為用于習(xí)知觸控感測裝置剖面示意圖。圖2為根據(jù)本專利技術(shù)一實施例之觸控感測裝置剖面示意圖。圖3為根據(jù)本專利技術(shù)另一實施例之觸控感測裝置剖面示意圖。圖4為根據(jù)本專利技術(shù)另一實施例之觸控感測裝置剖面示意圖。圖5為根據(jù)本專利技術(shù)一實施例之具有觸控感測裝置之電子裝置方塊示意圖。具體實施例方式為使熟習(xí)本專利技術(shù)所屬
之一般技藝者能更進一步了解本專利技術(shù)，下文特列舉本專利技術(shù)之數(shù)個較佳實施例，并配合所附圖式，詳細說明本專利技術(shù)的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達成之功效。請參照圖2，其繪示出根據(jù)本專利技術(shù)一實施例之觸控感測裝置剖面示意圖。觸控感測裝置20，包括一基板200、一觸控感測電路層207及一屏蔽結(jié)構(gòu)215。在本實施例中，基板200作為一上蓋保護板。基板200具有一上表面200a以及相對于上表面200a的一下表面200b，其中上表面200a作為一觸摸面，用以提供使用者以手指、觸控筆或尖筆等直接觸碰。觸控感測電路層207設(shè)置于基板200的下表面200b上，屏蔽結(jié)構(gòu)215設(shè)置于觸控感測電路層207上，且與觸控感測電路層207設(shè)置于基板200之同側(cè)。屏蔽結(jié)構(gòu)215還包括一載板層212及一導(dǎo)電層214。在一實施例中，基板200可包括透明材料，例如玻璃、石英、或其他彈性或非彈性高分子透明材料。在其他實施例中，基板200也可包括非透明材料。觸控感測電路層207設(shè)置于基板200的下表面200b上。在不同實施例中，觸控感測電路層207可設(shè)計為不同感測方式的觸控感測電路，例如電阻式、電容式、聲波式及光學(xué)式等。在本實施例中，以電容式觸控感測電路為例，觸控感測電路層207可藉由薄膜沉積、微影及蝕刻等制程而形成于基板200的下表面200b上。觸控感測電路層207可包括一導(dǎo)接層202、一電容介電層204以及一感測電極層206。導(dǎo)接層202可由一圖案化的導(dǎo)電層、金屬層或其他熟習(xí)的導(dǎo)電材料所構(gòu)成，其可經(jīng)由一絕緣層(未繪示)而與基板200隔開，此處為了簡化圖式，導(dǎo)接層202僅以一平整層表示之。電容介電層204設(shè)置于導(dǎo)接層202上。在一實施例中，電容介電層204可為一單層，例如，一氧化硅層、一氮化硅層或其他透明的絕緣高分子層。在其他實施例中，電容介電層204可為多層結(jié)構(gòu)，例如，堆迭的氧化硅層、氮化硅層或其他透明的絕緣高分子層或其組口 o感測電極層206設(shè)置于電容介電層204上,使電容介電層204夾設(shè)于導(dǎo)接層202與感測電極層206之間。當手指或觸控筆接觸觸摸面時，感測電極層206以及觸摸面上的手指或觸控筆構(gòu)成一感測電容的二電容電極。感測電極層206可包括復(fù)數(shù)個感測電極。感測電極分別沿兩個不同方向排列，且其中一個方向的感測電極透過導(dǎo)接層202連接。感測電極可透過微影及蝕刻制程來圖案化同一透明導(dǎo)電層(例如，氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(indium zinc oxide, IZ0)層)或不透明的導(dǎo)電層(例如，金屬層)而形成。此處為了簡化圖式，感測電極層206同樣僅以一平整層表示之。在其他實施例中，觸控感測電路層207可包括一第一感測電極層、一電容介電層以及一第二感測電極層。第一感測電極層包括復(fù)數(shù)個沿第一方向分布的第一感測電極，第二感測電極層包括復(fù)數(shù)個沿第二方向分布的第二感測電極，電容介電層，夾設(shè)于第一感測電極層與第二感測電極層之間。上述實施例中，感測電極的形狀可以為任意幾何形狀或形狀的組合。載板層212可包括聚對苯二甲酸以二醇酯(polyethylene terephthalate, PET)或聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate, PMMA),也可以包括玻璃。再者，載板層212的厚度在0. 05毫米至2. 0毫米的范圍。導(dǎo)電層214用以防止來自顯示裝置(未繪示)或環(huán)境的雜訊干擾，其可為一連續(xù)性平面或是具有一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電層214可由透明材料或非透明材料所構(gòu)成，其中透明材料可包括但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鎘錫(cadmium tin oxide,CTO)、氧化招鋒(aluminum zinc oxide, AZO)、氧化銦鋒錫(indium tin zinc oxide,ITZ0)、氧化鋒(zinc oxide)、氧化鎘(cadmium oxide)、氧化鉿(hafnium oxide, HfO)、氧化銦嫁鋒(indium gallium zinc oxide, InGaZnO)、氧化銦嫁鋒續(xù)(indium gallium zincmagnesium oxide, InGaZnMgO)、氧化銦鋒續(xù)(indium zinc magnesium oxide, InZnMgO)或氧化銦鎵招(indium gallium aluminum oxide, InGaAlO)。再者，導(dǎo)電層214的厚度可在0. 05毫米至0. 3毫米的范圍。本專利技術(shù)提供的觸控感測裝置20還包括一膠本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種觸控感測裝置，包括：一觸控感測電路層，設(shè)置于一基板的下表面上；以及一屏蔽結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述觸控感測電路層下方，其中所述屏蔽結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電層及一載板層。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：涂家英，江耀誠，黃萍萍，
申請(專利權(quán))人：宸鴻科技廈門有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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