介質隔離壓阻式壓力傳感器及其制備方法技術

本發明專利技術涉及一種介質隔離壓阻式壓力傳感器，包括SOI硅片以及鍵合的下蓋板（6），SOI硅片的頂層硅（5c）中設置的壓敏體電阻（1）周圍設有隔離介質（2a），頂層硅（5c）表面設有氧化隔離層（2），其表面設有鋁電極（4）與對應的壓敏體電阻（1）連接；SOI硅片的底層硅（5）中設有空腔及硅島（5a）。本發明專利技術有效的解決了傳統壓阻式壓力傳感器靈敏度、線性度、可靠性低和電隔離差的難題，同時采用頂層硅作為壓敏體電阻的厚度有效的保證了后期工藝高溫環境對器件性能的影響，保證了器件性能的一致性和穩定性，采用硅硅鍵合等工藝，避免了新材料引入的應力，實現器件的高性能，該結構加工工藝易于控制，保證了結構加工的一致性。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種介質隔離壓阻式壓力傳感器，其特征在于包括：SOI硅片以及鍵合連接的下蓋板（6），SOI硅片的頂層硅（5c）中設有一組壓敏體電阻（1），壓敏體電阻（1）周圍設有隔離介質（2a），頂層硅（5c）表面設有氧化隔離層（2），氧化隔離層（2）的表面設有一組鋁電極（4），每個鋁電極分別通過導線與對應的壓敏體電阻（1）連接；SOI硅片的底層硅（5）中設有空腔，空腔中部設有凸起的硅島（5a）。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：汪祖民，展明浩，呂東鋒，郭群英，徐棟，黃斌，王鵬，何凱旋，
申請(專利權)人：華東光電集成器件研究所，
類型：發明
國別省市：