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    手性拓撲超導體中的π / 8柵極的平面實現的方法技術

    技術編號:8456870 閱讀:222 留言:0更新日期:2013-03-22 09:15
    此處公開了在拓撲上受保護的π/8柵極,該柵極當與通過準粒子編織以及平面準粒子干涉測量法獲得的柵極相結合時變為通用的。公開了扭曲干涉儀,以及借助于該扭曲干涉儀實現的CTS中的平面π/8柵極。在ISH所支持的狀態X(CTS)的上下文中描述了各實施例,但是扭曲干涉儀的概念更一般并且與所有陰離子(即,準粒子)系統具有相關性。

    【技術實現步驟摘要】
    【國外來華專利技術】
    此處所公開的并且要求保護的主題一般涉及量子計算領域。具體而言,此處所公開并且要求保護的主題涉及手性拓撲超導體中的H /8柵極的平面實現的方法。背景術語“手性拓撲 超導體(CTS) ”可用于描述基于通過鄰近效應導入了超導性的自旋軌道耦合半導體的任何2D系統,以及具有下面所列出的拓撲屬性的任何其他Ising式的系統。示例包括Sau等人(電子預印本(arxiv) :0907, 2239)、Alicea(電子預印本0912. 2115),以及Qi等人(電子預印本1003. 5448),這些申請以引用的方式并入本文中。這樣的系統是拓撲超導體,并支持局部化的Majorana狀態。這些CTS不是純粹地拓撲的,另外還支持傳統的有序參數,如果CTS不是平面的,而被配置為虧格>0的表面,則拉格朗日算子中的有效剛度項/HvH2將防止某些拓撲狀態的重疊。出于這個原因,需要設計用于在嚴格平面的上下文中執行在計算上通用的柵極集的協議。以前,術語“Ising夾層異質結構”(ISH)用于表示此概念。但是,由于希望可以在沒有有效的有序參數P的情況下構建ISH,因此,術語“CTS”在此用于強調有序參數的存在。
    技術實現思路
    權利要求1.一種扭曲干涉儀,包括 源極、第一漏極以及第二漏極; 第一真空和第二真空之間的第一隧穿路徑; 所述第一真空和第三真空之間的第二隧穿路徑; 所述第二真空和所述第三真空之間的第三隧穿路徑, 其中,在所述源極和所述漏極之間維護有偏壓,以便電流圍繞所述真空的邊緣流動。2.如權利要求I所述的干涉儀,其特征在于,所述真空中的每一個不存在X狀態流體或是沒有非阿貝爾屬性的經轉換流體,并且所述真空是通過電子或磁性頂部澆注來創建的。3.如權利要求I所述的干涉儀,其特征在于,所述第一真空的邊緣上的第一點和所述第三真空的邊緣上的第三點之間穿過所述第一和第三隧穿路徑的第一距離是所述第一點和所述第三點之間穿過所述第二隧穿路徑的第二距離的大約1/5。4.如權利要求I所述的干涉儀,其特征在于,允許隧穿在所述隧穿路徑中的每一個處持續與波包以群速度圍繞所述第二真空傳播一個來回的時間成比例的時間間隔。5.如權利要求I所述的干涉儀,其特征在于,當所述第一、第二以及第三隧穿結打開時,所有電流流入所述第一漏極。6.如權利要求I所述的干涉儀,其特征在于,具有相對于所述第一距離而言小的載體的σ粒子的波包被允許以第一幅值移位到所述第二真空。7.如權利要求6所述的干涉儀,其特征在于,所述波包被允許以小于所述第一幅值的第二幅值移位到所述第一真空。8.如權利要求7所述的干涉儀,其特征在于,第二波包到達所述第二隧穿結,使得該包以第三幅值傳輸。9.如權利要求8所述的干涉儀,其特征在于,當所述第二波包到達所述第三隧穿結時,所述第一波包正好也到達所述第三隧穿結。10.一種手性拓撲超導體中的平面η/8柵極,包括低移動性電子結構,所述低移動性電子結構包括自旋軌道耦合半導體、普通超導體、鐵磁絕緣體。11.如權利要求10所述的柵極,其特征在于,所述電子結構能夠支持通用拓撲、容錯量子計算。12.—種在拓撲上受保護的用于在手性拓撲超導體(CTS)、Ising夾層異質結構(ISH)器件中實現η/8柵極的方法,所述方法包括 在所述CTS-ISH器件內以在拓撲上受保護的、容錯的方式實現通用量子計算。13.如權利要求12所述的方法,其特征在于,所述CTS-ISH器件包括能夠支持通用拓撲的、容錯的量子計算的低移動性電子結構。14.如權利要求13所述的方法,其特征在于,所述低移動性電子結構包括自旋軌道耦合半導體。15.如權利要求14所述的方法,其特征在于,所述低移動性電子結構包括普通超導體。全文摘要此處公開了在拓撲上受保護的π/8柵極,該柵極當與通過準粒子編織以及平面準粒子干涉測量法獲得的柵極相結合時變為通用的。公開了扭曲干涉儀,以及借助于該扭曲干涉儀實現的CTS中的平面π/8柵極。在ISH所支持的狀態X(CTS)的上下文中描述了各實施例,但是扭曲干涉儀的概念更一般并且與所有陰離子(即,準粒子)系統具有相關性。文檔編號H01L39/00GK102985935SQ201180025258 公開日2013年3月20日 申請日期2011年5月20日 優先權日2010年5月21日專利技術者P·邦德爾森, M·弗里德曼, C·納亞克, K·沃克, L·菲德科沃斯基 申請人:微軟公司本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    【技術特征摘要】
    【國外來華專利技術】...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:P·邦德爾森M·弗里德曼C·納亞克K·沃克L·菲德科沃斯基
    申請(專利權)人:微軟公司
    類型:
    國別省市:

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