本發明專利技術提供了一種物理氣相沉積用遮蔽涂料,由以下質量百分比的原料制成:遮蔽劑10%~30%,粘接劑1%~5%,分散劑0.1%~0.5%,余量為有機溶劑。本發明專利技術還提供了一種制備該遮蔽涂料的方法,該方法為:一、分別稱取各原料;二、將粘接劑加入有機溶劑中得到粘接溶液;三、將遮蔽劑加入粘接溶液中得到混合溶液;四、將分散劑加入混合溶液中得到物理氣相沉積用遮蔽涂料。該遮蔽涂料能夠有效保護基材相關區域的表面不被沉積層污染,實現了物理氣相沉積制備涂層時基材不同部位涂層的沉積與遮蔽,使用方便,效果明顯。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于遮蔽材料
,具體涉及。
技術介紹
采用物理氣相沉積的方法制備涂層是一種在真空條件下利用蒸發、輝光放電或弧光放電等工藝過程產生粒子并沉積在基材表面形成膜層的技術。隨著科學技術的發展,現代的物理氣相沉積過程中大多對基材施加了負偏壓,用來吸引帶正電的沉積物粒子,優點 是提高了沉積膜層的質量,缺點是基材整個外表面都會沉積膜層。對于不需要沉積涂層的部位,需要額外的退膜工序。對于一些難于退膜的涂層材料,則需要對基材進行物理遮蓋的方法進行保護,增加了工藝難度,不利于工業化生產。因此,亟需開發一種適用于物理氣相沉積處理工藝,且在高溫和真空條件下性能穩定的遮蔽涂料對基材不需要物理氣相沉積涂層的部位進行保護。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題在于針對上述現有技術的不足,提供一種物理氣相沉積用遮蔽涂料。該遮蔽涂料能夠涂覆在基材不需要物理氣相沉積涂層的部位形成不揮發、不脫落、不變質的遮蔽涂層,經過物理氣相沉積處理后遮蔽涂層易于清理,同時能夠一并去除掉基材保護部位的物理氣相沉積涂層,使用方便,效果明顯;該遮蔽涂料能夠有效保護基材相關區域的表面不被沉積層污染,實現了物理氣相沉積制備涂層時基材不同部位涂層的沉積與遮蔽。為解決上述技術問題,本專利技術采用的技術方案是一種物理氣相沉積用遮蔽涂料,其特征在于,由以下質量百分比的原料制成遮蔽劑10% 30%,粘接劑1% 5%,分散劑O. 1% O. 5%,余量為有機溶劑;所述遮蔽劑為碳酸鈣、碳酸鋇、二氧化鈦、硫酸鋇、氯化銀、碳酸銀、氫氧化銀、氧化招、碳酸鋅、氫氧化鋅或氫氧化鐵,所述分散劑為有機膨潤土或/和氣相二氧化硅,所述粘接劑為醇酸樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯或多元醇松香酯,所述有機溶劑為酮類有機溶劑、酯類有機溶劑或芳香烴類有機溶劑。上述的一種物理氣相沉積用遮蔽涂料,其特征在于,由以下質量百分比的原料制成遮蔽劑15% 25%,粘接劑1% 5%,分散劑O. 1% O. 4%,余量為有機溶劑。上述的一種物理氣相沉積用遮蔽涂料,其特征在于,由以下質量百分比的原料制成遮蔽劑20%,粘接劑3%,分散劑O. 2%,余量為有機溶劑。上述的一種物理氣相沉積用遮蔽涂料,其特征在于,所述酮類有機溶劑為丙酮,所述酯類有機溶劑為乙酸乙酯,所述芳香烴類有機溶劑為二甲苯或苯。另外,本專利技術還提供了一種制備上述物理氣相沉積用遮蔽涂料的方法,其特征在于,該方法包括以下步驟步驟一、按質量百分比分別稱取遮蔽劑、粘接劑、分散劑和有機溶劑;步驟二、將步驟一中稱取后的粘接劑加入稱取后的有機溶劑中,混合均勻后得到粘接溶液;步驟三、將步驟一中稱取后的遮蔽劑進行粉碎處理,然后加入步驟二中所述粘接溶液中,混合均勻后置于研磨機中研磨30min 40min,得到混合溶液;步驟四、將步驟一中稱取后的分散劑加入步驟三中所述混合溶液中,混合均勻后得到物理氣相沉積用遮蔽涂料。上述的方法,其特征在于,步驟三中經粉碎處理后的遮蔽劑的平均粒度不大于10 μ m0上述的方法,其特征在于,步驟三中所述研磨機為滾筒研磨機。 本專利技術物理氣相沉積用遮蔽涂料的使用方法為將本專利技術物理氣相沉積用遮蔽涂料采用浸涂、離心涂布或刷涂等方式涂覆在待沉積基材表面需遮蔽保護的部位,然后將涂覆有遮蔽涂料的基材進行物理氣相沉積處理,之后將基材表面的遮蔽涂層進行清理,同時一并去除掉沉積于遮蔽涂層表面的沉積層。本專利技術與現有技術相比具有以下優點I、本專利技術物理氣相沉積用遮蔽涂料能夠涂覆在基材不需要物理氣相沉積的部位,在物理氣相沉積工藝的真空和高溫條件下,該遮蔽涂料形成不揮發、不脫落、不變質的遮蔽涂層,待基材經過物理氣相沉積處理后可對遮蔽涂層進行清理,同時一并去除掉基材保護部位的物理氣相沉積涂層,使用方便,效果明顯。2、本專利技術能夠有效保護基材相關區域的表面不被沉積層污染,實現了物理氣相沉積制備涂層時基材不同部位涂層的沉積與遮蔽。下面結合實施例對本專利技術作進一步詳細說明。具體實施例方式實施例I本實施例遮蔽涂料由以下質量百分比的原料制成遮蔽劑20%,粘接劑3%,分散劑O. 2%,余量為有機溶劑;所述遮蔽劑為碳酸鈣、碳酸鋇、二氧化鈦、硫酸鋇、氯化銀、碳酸銀、氫氧化銀、氧化招、碳酸鋅、氫氧化鋅或氫氧化鐵,所述分散劑為有機膨潤土,所述粘接劑為醇酸樹脂,所述有機溶劑為乙酸乙酯。本實施例的制備方法包括以下步驟步驟一、按質量百分比分別稱取遮蔽劑、粘接劑、分散劑和有機溶劑;步驟二、將步驟一中稱取后的粘接劑加入稱取后的有機溶劑中,混合均勻后得到粘接溶液;步驟三、將步驟一中稱取后的遮蔽劑進行粉碎處理至平均粒度為7 μ m,然后將粉碎處理后的遮蔽劑加入步驟二中所述粘接溶液中,混合均勻后置于滾筒研磨機中研磨40min,得到混合溶液;步驟四、將步驟一中稱取后的分散劑加入步驟三中所述混合溶液中,混合均勻后得到物理氣相沉積用遮蔽涂料。實施例2本實施例遮蔽涂料由以下質量百分比的原料制成遮蔽劑15%,粘接劑5%,分散劑O. 1%,余量為有機溶劑;所述遮蔽劑為碳酸鈣、碳酸鋇、二氧化鈦、硫酸鋇、氯化銀、碳酸銀、氫氧化銀、氧化鋁、碳酸鋅、氫氧化鋅或氫氧化鐵,所述分散劑為氣相二氧化硅,所述粘接劑為聚甲基丙烯酸甲酯,所述有機溶劑為苯。本實施例的制備方法包括以下步驟步驟一、按質量百分比分別稱取遮蔽劑、粘接劑、分散劑和有機溶劑;步驟二、將步驟一中稱取后的粘接劑加入稱取后的有機溶劑中,混合均勻后得到粘接溶液;步驟三、將步驟一中稱取后的遮蔽劑進行粉碎處理至平均粒度為6 μ m,然后將粉碎處理后的遮蔽劑加入步驟二中所述粘接溶液中,混合均勻后置于滾筒研磨機中研磨30min,得到混合溶液;步驟四、將步驟一中稱取后的分散劑加入步驟三中所述混合溶液中,混合均勻后 得到物理氣相沉積用遮蔽涂料。實施例3本實施例遮蔽涂料由以下質量百分比的原料制成遮蔽劑25%,粘接劑1%,分散劑O. 4%,余量為有機溶劑;所述遮蔽劑為碳酸鈣、碳酸鋇、二氧化鈦、硫酸鋇、氯化銀、碳酸銀、氫氧化銀、氧化鋁、碳酸鋅、氫氧化鋅或氫氧化鐵,所述分散劑由有機膨潤土和氣相二氧化硅按質量比1:1混合而成,所述粘接劑為多元醇松香酯,所述有機溶劑為乙酸乙酯。本實施例的制備方法包括以下步驟步驟一、按質量百分比分別稱取遮蔽劑、粘接劑、分散劑和有機溶劑;步驟二、將步驟一中稱取后的粘接劑加入稱取后的有機溶劑中,混合均勻后得到粘接溶液;步驟三、將步驟一中稱取后的遮蔽劑進行粉碎處理至平均粒度為10 μ m,然后將粉碎處理后的遮蔽劑加入步驟二中所述粘接溶液中,混合均勻后置于滾筒研磨機中研磨30min,得到混合溶液;步驟四、將步驟一中稱取后的分散劑加入步驟三中所述混合溶液中,混合均勻后得到物理氣相沉積用遮蔽涂料。實施例4本實施例遮蔽涂料由以下質量百分比的原料制成遮蔽劑30%,粘接劑2%,分散劑O. 2%,余量為有機溶劑;所述遮蔽劑為碳酸鈣、碳酸鋇、二氧化鈦、硫酸鋇、氯化銀、碳酸銀、氫氧化銀、氧化鋁、碳酸鋅、氫氧化鋅或氫氧化鐵,所述分散劑由有機膨潤土和氣相二氧化硅按質量比1:2混合而成,所述粘接劑為醇酸樹脂,所述有機溶劑為苯。本實施例的物理氣相沉積用遮蔽涂料的制備方法包括以下步驟步驟一、按質量百分比分別稱取遮蔽劑、粘接劑、分散劑和有機溶劑;步驟二、將步驟一中稱取后的粘接劑加入稱取后的有機溶劑中,混合均本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種物理氣相沉積用遮蔽涂料,其特征在于,由以下質量百分比的原料制成:遮蔽劑10%~30%,粘接劑1%~5%,分散劑0.1%~0.5%,余量為有機溶劑;所述遮蔽劑為碳酸鈣、碳酸鋇、二氧化鈦、硫酸鋇、氯化銀、碳酸銀、氫氧化銀、氧化鋁、碳酸鋅、氫氧化鋅或氫氧化鐵,所述分散劑為有機膨潤土或/和氣相二氧化硅,所述粘接劑為醇酸樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯或多元醇松香酯,所述有機溶劑為酮類有機溶劑、酯類有機溶劑或芳香烴類有機溶劑。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員:王寶云,李爭顯,王彥峰,高廣睿,杜繼紅,華云峰,姬壽長,羅曉峰,
申請(專利權)人:西北有色金屬研究院,
類型:發明
國別省市:
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