LTE頻段功放保護模塊制造技術

本實用新型專利技術公開了一種LTE頻段功放保護模塊，包括由射頻輸入與射頻輸出構成的射頻電路，以及組成射頻電路的元器件，所述元器件包括一比較器，及與比較器連接的MCU,及設置于比較器輸入端的電流檢測芯片，以及與比較器輸出端連接的開關，所述開關控制功率放大器柵壓，所述功率放大器漏極還與電流檢測芯片相連，所述開關與MCU連接，受MCU控制；本實用新型專利技術主要采用針對LTE頻段（2320MHz-2370MHz）,對LDMOS功放管漏壓的檢測，以門限的方式保護功放不超過其最大工作電流，避免因輸入信號過大，功放自激，環境因素引起的功放損壞，以增強功放系統的穩定及可靠性。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種LTE頻段功放保護模塊，其特征在于：包括由射頻輸入與射頻輸出構成的射頻電路，以及組成射頻電路的元器件，所述元器件包括一比較器，及與比較器連接的MCU,及設置于比較器輸入端的電流檢測芯片，以及與比較器輸出端連接的開關，所述開關控制功率放大器柵壓，所述功率放大器漏極還與電流檢測芯片相連，所述開關與MCU連接。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：孫玉靜，楊建明，
申請(專利權)人：北京漢銘通信有限公司，
類型：實用新型
國別省市：