振蕩器制造技術

當在平面圖中觀看時，第二壓電振子(30)位于第一壓電振子(20)的中空部(21)中。支架(40)是框狀構件，并且其內表面支撐振動構件(10)的邊緣。所述第一壓電振子(20)的基頻諧振頻率低于所述第二壓電振子(30)的基頻諧振頻率。此外，當以所述基頻諧振頻率驅動所述第一壓電振子(20)時，所述第二壓電振子(30)與在所述振動構件(10)中產生的振動回路重疊。優選地，所述第二壓電振子(30)的中心與所述第一壓電振子(20)在所述振動構件(10)中產生的振動回路的中心重疊。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：大西康晴，黑田淳，菰田元喜，佐藤重夫，村田行雄，岸波雄一郎，川島信弘，
申請(專利權)人：日本電氣株式會社，
類型：
國別省市：