一種無極性電子開關制造技術

本發明專利技術公開了一種無極性電子開關，包括有殼體、殼體上設置有電源回路3、4引腳和驅動電路1、2引腳，殼體內設置有兩個相互連接的MOSFET管，兩個MOSFET管的門極相互連接后與驅動電路1引腳連接，兩個MOSFET管的源極相互連接后與驅動電路2引腳連接，兩個MOSFET管的漏極分別與電源回路3、4引腳連接。本發明專利技術的漏極分別與電源回路3、4引腳連接，電源回路3、4引腳可分別作為電源回路的正極或負極連接端，無需區分本發明專利技術連接時的正負極，不受極性限制可隨便對接，安裝連接簡單方便。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及電子控制、電源變換和電源管理領域，具體是ー種無極性電子開關。
技術介紹
無極性電源即外接電源連接時無需考慮正負極連接關系，可以做任意正反接線。目前，無極性電源的導通方式主要采用繼電器來實現的，但繼電器體積大、可靠性低，滿足不了可靠性要求高或開關頻度高的場合。
技術實現思路
本專利技術要解決的技術問題是提供ー種無極性電子開關，其可實現電源回路雙向導通和阻斷的目的。本專利技術的技術方案為 ー種無極性電子開關，包括有殼體、殼體上設置有電源回路3、4引腳和驅動電路1、2引腳，殼體內設置有兩個相互連接的MOSFET管，兩個MOSFET管的門極相互連接后與驅動電路I引腳連接，兩個MOSFET管的源極相互連接后與驅動電路2引腳連接，兩個MOSFET管的漏極分別與電源回路3、4引腳連接。所述的兩個MOSFET管選用兩個N型MOSFET管或兩個P型MOSFET管。所述的無極性電子開關還包括有放電電阻，放電電阻的兩端并聯連接于驅動電路1、2引腳上。本專利技術的優點 (1)、本專利技術的漏極分別與電源回路3、4引腳連接，電源回路3、4引腳可分別作為電源回路的正極或負極連接端，無需區分本專利技術連接時的正負極，不受極性限制可隨便對接，安裝連接簡單方便； (2)、本專利技術的導通和阻斷依據驅動電路正負極電壓的大小，當驅動電路正負極電壓大于本專利技術MOSFET管的導通電壓時，開關即導通，當驅動電路正負極電壓小于本專利技術MOSFET管的截止電壓時，開關即阻斷，從而實現無極性開關的作用，解決了如DC/DC、BMS電池管理系統和其它エ業控制電路內要求電子開關可以雙向導通和阻斷的場合。附圖說明圖I是本專利技術的結構示意圖。圖2是本專利技術實施例I的連接結構示意圖。圖3是本專利技術實施例2的連接結構示意圖。圖4是本專利技術實施例3的連接結構示意圖。圖5是本專利技術實施例4的連接結構示意圖。具體實施方式見圖I, ー種無極性電子開關,包括有殼體I、殼體I上設置有電源回路3、4引腳和驅動電路I、2引腳，殼體I內設置有兩個相互連接的MOSFET管Ql、Q2，兩個MOSFET管Ql、Q2的門極相互連接后與驅動電路I引腳連接，兩個MOSFET管Ql、Q2的源極相互連接后與驅動電路2引腳連接，兩個MOSFET管Ql、Q2的漏極分別與電源回路3、4引腳連接，驅動電路1、2引腳上并聯連接有放電電阻Rl。實施例I 見圖2，一種為無極性電子開關，包括有殼體I、殼體I上設置有電源回路3、4引腳和驅動電路1、2引腳，殼體I內設置有兩個相互連接的N型MOSFET管Ql、Q2，兩個N型MOSFET管Q1、Q2的門極相互連接后與驅動電路I引腳連接，兩個N型MOSFET管Q1、Q2的源極相互連接后與驅動電路2引腳連接，兩個N型MOSFET管Q1、Q2的漏極分別與電源回路3、4引腳連接；驅動電路I引腳與MOSFET驅動電路2正極連接，驅動電路2引腳與MOSFET驅動電路2負極連接，電源回路3引腳與電源回路的正極(高端)連接，電源回路4引腳通過負載RL與電源回路的負極(接地端)連接，當驅動電路I引腳和驅動電路2引腳之間的電壓大于N型 MOSFET管Q1、Q2的導通電壓時，N型MOSFET管Ql正向導通，Q2反向低阻導通，即無極性電子開關開啟；反之，當驅動電路I引腳和驅動電路2引腳之間的電壓小于N型MOSFET管的截止電壓時，Ql截止，從而Ql、Q2兩N型MOSFET管組成的電源回路3、4引腳處于電源的截止狀態，即無極性電子開關關閉。實施例2 見圖3，一種為無極性電子開關，包括有殼體I、殼體I上設置有電源回路3、4引腳和驅動電路1、2引腳，殼體I內設置有兩個相互連接的N型MOSFET管Ql、Q2，兩個N型MOSFET管Ql、Q2的門極相互連接后與驅動電路I引腳連接，兩個N型MOSFET管Ql、Q2的源極相互連接后與驅動電路2引腳連接，兩個N型MOSFET管Q1、Q2的漏極分別與電源回路3、4引腳連接；驅動電路I引腳與MOSFET驅動電路2正極連接，驅動電路2引腳與MOSFET驅動電路2負極連接，電源回路3引腳與電源回路的負極(接地端)連接，電源回路4引腳通過負載RL與電源回路的正極(高端)連接，當驅動電路I引腳和驅動電路2引腳之間的電壓大于N型MOSFET管的導通電壓時，N型MOSFET管Q2正向導通，Ql反向低阻導通，即無極性電子開關開啟；反之，當驅動電路I引腳和驅動電路2引腳之間的電壓小于N型MOSFET管的截止電壓時，Q2截止，從而QI、Q2兩N型MOSFET管連接的電源回路3、4引腳處于電源的截止狀態，即無極性電子開關關閉。實施例3 見圖4，一種為無極性電子開關，包括有殼體I、殼體I上設置有電源回路3、4引腳和驅動電路1、2引腳，殼體I內設置有兩個相互連接的P型MOSFET管Ql、Q2，兩個P型MOSFET管Ql、Q2的門極相互連接后與驅動電路I引腳連接，兩個P型MOSFET管Ql、Q2的源極相互連接后與驅動電路2引腳連接，兩個P型MOSFET管Q1、Q2的漏極分別與電源回路3、4引腳連接；驅動電路I引腳與MOSFET驅動電路2負極連接，驅動電路2引腳與MOSFET驅動電路2正極連接，電源回路3引腳與電源回路的正極(高端)連接，電源回路4引腳通過負載RL與電源回路的負極(接地端)連接，當驅動電路I引腳和驅動電路2引腳之間的電壓大于P型MOSFET管的導通電壓時，P型MOSFET管Ql正向導通，Q2反向低阻導通，即無極性電子開關開啟；反之，當驅動電路I引腳和驅動電路2引腳之間的電壓小于P型MOSFET管的截止電壓時，Ql截止，從而Q1、Q2兩P型MOSFET管組成的電源回路3、4引腳處于電源的截止狀態，即無極性電子開關關閉。實施例4 見圖5，一種為無極性電子開關，包括有殼體I、殼體I上設置有電源回路3、4引腳和驅動電路1、2引腳，殼體I內設置有兩個相互連接的P型MOSFET管Ql、Q2，兩個P型MOSFET管Ql、Q2的門極相互連接后與驅 動電路I引腳連接，兩個P型MOSFET管Ql、Q2的源極相互連接后與驅動電路2引腳連接，兩個P型MOSFET管Q1、Q2的漏極分別與電源回路3、4引腳連接；驅動電路I引腳與MOSFET驅動電路2負極連接，驅動電路2引腳與MOSFET驅動電路2正極連接，電源回路3引腳與電源回路的負極(接地端)連接，電源回路4引腳通過負載RL與電源回路的正極(高端)連接，當驅動電路I引腳和驅動電路2引腳之間的電壓大于P型MOSFET管的導通電壓時，P型MOSFET管Q2正向導通，Ql反向低阻導通，即無極性電子開關開啟；反之，當驅動電路I引腳和驅動電路2引腳之間的電壓小于P型MOSFET管的截止電壓時，Q2截止，從而Q1、Q2兩P型MOSFET管組成的電源回路3、4引腳處于電源的截止狀態，即無極性電子開關關閉。權利要求1.一種無極性電子開關，其特征在于包括有殼體、殼體上設置有電源回路3、4引腳和驅動電路1、2引腳，殼體內設置有兩個相互連接的MOSFET管，兩個MOSFET管的門極相互連接后與驅動電路I引腳連接，兩個MOSFET管的源極相互連接后與驅動電路2引腳連接，兩個MOSFET管的漏極分別與電源回路3、4引腳連接。2.根據權利要求I所述的一種無極性電子開關，其特征本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種無極性電子開關，其特征在于：包括有殼體、殼體上設置有電源回路3、4引腳和驅動電路1、2引腳，殼體內設置有兩個相互連接的MOSFET管，兩個MOSFET管的門極相互連接后與驅動電路1引腳連接，兩個MOSFET管的源極相互連接后與驅動電路2引腳連接，兩個MOSFET管的漏極分別與電源回路3、4引腳連接。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：袁廷華，袁旭，秦彥超，施東仁，
申請(專利權)人：合肥創源車輛控制技術有限公司，
類型：發明
國別省市：