本發明專利技術涉及一種單晶硅太陽能電池，包括有絕緣基板，透明粘結膠層及單晶硅層；所述透明粘結膠層和單晶硅層各包括有兩層，所述絕緣基板上設置有第二層透明粘結膠層，第二層透明粘結膠層上設置有第二層單晶硅層，在第二層單晶硅層上設置有第一層透明粘結膠層，在第一層透明粘結膠層上設置有第一層單晶硅層；在第一層單晶硅層和第二層單晶硅層的背對光源的側面設置有電引出導線。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于光伏太陽能領域，特別是指ー種單晶硅太陽能電池。
技術介紹
以硅為主要材料的太陽能電池，根據其結晶性，分為單晶硅太陽能電池、多晶硅太陽能電池、非晶硅太陽能電池。其中單晶硅太陽能電池與多晶硅太陽能電池的區別僅為在加工硅結晶過程的エ 藝不同。單晶硅采用結晶提拉而成，多晶硅是鑄模而成。非晶硅是利用等離子體CVD法，將硅烷氣體在氣相中利用放電分解，由此在基板上形成晶質的氫化硅膜而成。雖然非晶硅的膜相對于單晶硅要薄，一般為I微米就能達到現實用的光電轉換效果，但其光電轉換效率不到10%，而單晶硅的光電轉換效率能夠達到15%的利用效率。
技術實現思路
本專利技術的目的是提供ー種單晶硅太陽能電池，ー種能夠提高太陽能光電轉換效率牟太陽能電池。本專利技術是通過以下技術方案實現的單晶硅太陽能電池，包括有絕緣基板，透明粘結膠層及單晶硅層；所述透明粘結膠層和單晶硅層各包括有兩層，所述絕緣基板上設置有第二層透明粘結膠層，第二層透明粘結膠層上設置有第二層單晶硅層，在第二層單晶硅層上設置有第一層透明粘結膠層，在第ー層透明粘結膠層上設置有第一層單晶硅層；在第一層單晶硅層和第二層單晶硅層的背對光源的側面設置有電引出導線。所述絕緣基板為樹脂類基板或玻璃類基板。所述第一層透明粘結膠層和第二層透明粘結膠層為相同材料或不同材料均可，所述透明粘膠層的組成為，硅樹脂、丙烯酸樹脂、脂環式丙烯酸樹脂、液晶聚合物，聚碳酸酯以及聚對苯ニ甲酸こニ醇酯中的ー種。所述第一層單晶硅層和第二層單晶硅層的厚度相同，為0. 1-3. 5微米。本專利技術同現有技術相比的有益效果是因為單晶硅層的光利用率為15%左右，而其余的光源會通過單晶硅發生反射或折射效果，通過本專利技術的技術方案，沒有被利用的光源通過第一層單晶硅層及第ー層透明粘膠層后在第二層單晶硅層內被第二次利用，第二層單晶硅的光轉換率為6-8%，這樣能夠有效的利用太陽能電池的立體空間，提高単位面積的發電效率。附圖說明圖I為本專利技術單晶硅太陽能電池截面示意圖。具體實施方式以下通過具體實施例來詳細說明本專利技術的技術方案，應當理解的是，以下的具體實施例僅能用來解釋本專利技術而不能解釋為是對本專利技術的限制。參考圖I所示，首先準備絕緣基板11，基板的選擇沒有特別的要求，在本實施例中選用的是樹脂制成的基板，將第二層單晶硅層14的ー個面注入氫離子或稀有氣體離子，并在這ー個面同涂有第二層透明粘結膠層15同基板11粘接，然后通過機械去除第二層單晶硅層14以形成單晶硅膜，厚度為2. 5微米，在其它實施例中單晶硅膜厚度可以為0. 1-3.5微米之間，將第一層單晶硅層12的ー個面注入氫離子或稀有氣體離子，并在這ー個面同涂有第一層透明粘結膠層13同第二層單晶硅膜粘接，然后通過機械去除第一單晶硅層12以形成第一單晶硅膜。第一層 單晶硅膜厚度為2. 5微米。在每ー層單晶硅膜進行離子注入的面連接有供產生的電流引出的導線。所述第一層透明粘結膠層和第二層透明粘結膠層為相同材料或不同材料均可，所述透明粘膠層的組成為，硅樹脂、丙烯酸樹脂、脂環式丙烯酸樹脂、液晶聚合物，聚碳酸酯以及聚對苯ニ甲酸こニ醇酯中的ー種。通過本技術方案制得的單晶硅太陽能電池，光源在通過第一層單晶硅膜時的利用率為15%左右，然后會有大量的光線穿過第一層單晶硅膜及第一層粘結膠層進入第二層單晶硅膜，第二單晶硅膜在光線的照射下會產生光電轉換。盡管已經示出和描述了本專利技術的實施例，對于本領域的普通技術人員而言，可以理解在不脫離本專利技術的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本專利技術的范圍由所附權利要求及其等同限定。權利要求1.單晶硅太陽能電池，包括有絕緣基板，透明粘結膠層及單晶硅層；其特征在于所述透明粘結膠層和單晶硅層各包括有兩層，所述絕緣基板上設置有第二層透明粘結膠層，第ニ層透明粘結膠層上設置有第二層單晶硅層，在第二層單晶硅層上設置有第一層透明粘結膠層，在第一層透明粘結膠層上設置有第一層單晶硅層；在第一層單晶硅層和第二層單晶硅層的背對光源的側面設置有電引出導線。2.根據權利要求I所述的單晶硅太陽能電池，其特征在于所述絕緣基板為樹脂類基板或玻璃類基板。3.根據權利要求I所述的單晶硅太陽能電池，其特征在于所述第一層透明粘結膠層和第二層透明粘結膠層為相同材料或不同材料均可，所述透明粘膠層的組成為，硅樹脂、丙烯酸樹脂、脂環式丙烯酸樹脂、液晶聚合物，聚碳酸酯以及聚對苯ニ甲酸こニ醇酯中的一種。4.根據權利要求I所述的單晶硅太陽能電池，其特征在于所述第一層單晶硅層和第ニ層單晶硅層的厚度相同，為0. 1-3. 5微米。全文摘要本專利技術涉及一種單晶硅太陽能電池，包括有絕緣基板，透明粘結膠層及單晶硅層；所述透明粘結膠層和單晶硅層各包括有兩層，所述絕緣基板上設置有第二層透明粘結膠層，第二層透明粘結膠層上設置有第二層單晶硅層，在第二層單晶硅層上設置有第一層透明粘結膠層，在第一層透明粘結膠層上設置有第一層單晶硅層；在第一層單晶硅層和第二層單晶硅層的背對光源的側面設置有電引出導線。文檔編號H01L31/04GK102956724SQ201210493308公開日2013年3月6日 申請日期2012年11月27日 優先權日2012年11月27日專利技術者曾宏, 林國勇 申請人:寧波貝達新能源科技有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
單晶硅太陽能電池，包括有絕緣基板，透明粘結膠層及單晶硅層；其特征在于：所述透明粘結膠層和單晶硅層各包括有兩層，所述絕緣基板上設置有第二層透明粘結膠層，第二層透明粘結膠層上設置有第二層單晶硅層，在第二層單晶硅層上設置有第一層透明粘結膠層，在第一層透明粘結膠層上設置有第一層單晶硅層；在第一層單晶硅層和第二層單晶硅層的背對光源的側面設置有電引出導線。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：曾宏，林國勇，
申請(專利權)人：寧波貝達新能源科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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