本發(fā)明專利技術(shù)提供一種覆晶式半導(dǎo)體全波整流元件及其制造方法，該覆晶式半導(dǎo)體全波整流元件至少包含一顆PNNP型及/或NPPN型覆晶(Flip-Chip)、以及一片包含多根接腳的料片或基板，其特征在于：該PNNP型及/或NPPN型覆晶的全部焊點(bump)皆位于同一面，能簡易地讓多根接腳分別與該多個覆晶的焊點依照全波整流器的電路配置來焊接組合后，經(jīng)過成型封裝及切腳步驟即完成成品的制作；其成品具備全波整流功能，并具有簡化工藝、降低成本以及縮小體積的功效，有別于傳統(tǒng)由二/四顆單晶粒所組成的全波整流器。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)是提供一種與半導(dǎo)體/電子元件有關(guān)的技術(shù)，特別是指一種利用單料片或基板所制成的。
技術(shù)介紹
眾所周知，電子元件中的全波整流器分為橋式整流器(Bridge Rectifier)與中心抽頭式全波整流器(Center-Tap full-wave rectifier)兩種，其中橋式整流器的工作原理，是利用四個半波整流器(Half-wave Rectif ier),即由四個二極管(Diodes)所組成,來對交流電源進行全波整流，使交流電源得以轉(zhuǎn)換為直流電源輸出；而中心抽頭式全波整流器適用在變壓器為中心抽頭型的電路配置上，利用兩個背對背的二極管(P極接P極，或N接N極)便可組成全波整流；該多個全波整流器在電力電子
中應(yīng)用范圍甚廣，為相當(dāng)重要的電子元件。由于上述橋式整流器必須將四個二極管的八個腳位分別予以電氣連接后，再以四個接腳連接于外部電路(兩個交流電輸入、兩個直流電輸出)，因此目前市售的橋式整流器，其制造方法及構(gòu)造是將四顆PN型單晶粒架設(shè)在支架(導(dǎo)線架)上，并利用跳線(打線)的方式將八個腳位(焊點)分別連接后，經(jīng)過成型封裝、切割，使四個接腳外露，以供外部電路電氣連接；這種跳線、成型封裝的工藝較為繁瑣、復(fù)雜，因此制造成本較高，而且體積較大。而另一種中心抽頭式全波整流器雖然只利用兩顆PN型單晶粒組成，并以三個接腳供外部電路電氣連接，然而其制造方法與上述橋式整流器類同，需要將兩顆單晶粒架設(shè)在支架上，并且經(jīng)過跳線、成型封裝、切割等步驟方能制成成品，與前述橋式整流器同樣具有工藝復(fù)雜以及制造成本較高的缺點。此外，前述橋式整流器的另一種制造方法及構(gòu)造，是將四顆PN型晶粒排列，使各晶粒的腳位(焊點)皆分別排列于上、下方位后，在工藝中利用至少上、下兩片料片(類似前述支架、導(dǎo)線架)，分別與四顆PN型晶粒的腳位上、下導(dǎo)接后，再予以成型封裝及切割。這種制造方法及構(gòu)造固然可以免除跳線工藝，但是其結(jié)構(gòu)必須利用至少兩片料片方能上、下導(dǎo)接四顆PN型晶粒，因此相較于前述的現(xiàn)有跳線方式，無論在工藝、元件體積以及制造成本上，皆未能產(chǎn)生明顯的增益效果。有鑒于此，本專利技術(shù)人乃累積多年半導(dǎo)體/硅晶粒相關(guān)領(lǐng)域的實務(wù)經(jīng)驗，創(chuàng)作出一種覆晶式半導(dǎo)體全波整流元件，可以改善現(xiàn)有技術(shù)在制造上的問題點。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種利用單料片或基板所制作的覆晶式半導(dǎo)體全波整流元件，不但可以簡化工藝、節(jié)省制作成本，另具有縮小元件體積的功效。為達成上述目的，本專利技術(shù)覆晶式半導(dǎo)體全波整流元件的制造方法，至少包含一顆PNNP型及/或NPPN型覆晶(Flip-Chip)、以及一片包含多根接腳的料片或基板，其中該PNNP型及/或NPPN型覆晶的全部焊點(bump)皆位于同一面，能簡易地讓料片或基板的多根接腳分別與該多個覆晶的焊點依照全波整流元件的電路配置來焊接組合后，經(jīng)過成型封裝及切腳步驟即完成成品的制作。本專利技術(shù)的另一目的在于提供一種覆晶式半導(dǎo)體全波整流元件，包含一顆PNNP型及一顆NPPN型覆晶，該二覆晶彼此分離，且其全部的焊點皆位于同一面；四根接腳，分別具有至少一導(dǎo)接端以及一電路連接端，其中所述四根接腳的導(dǎo)接端依照橋式整流器的電路配置分別與前述該二覆晶的焊點焊接組合，四個電路連接端可供外部電路電氣連接；以及一封裝體，包覆在上述二覆晶及四根接腳外部，并且令四根接腳的電路連接端分別外露。本專利技術(shù)覆晶式半導(dǎo)體全波整流元件的另一實施例，包含一顆PNNP型或NPPN型覆晶，該覆晶全部的焊點皆位于同一面；三根接腳，分別具有至少一導(dǎo)接端以及一電路連接端，其中所述三根接腳的導(dǎo)接端依照中心抽頭式全波整流器的電路配置分別與前述該覆晶的焊點焊接組合，三個電路連接端可供外部電路電氣連接；以及一封裝體，包覆在上述覆晶及三根接腳外部，并且令三根接腳的電路連接端分別外露。上述本專利技術(shù)的覆晶式半導(dǎo)體全波整流元件，由于PNNP型及/或NPPN型覆晶的全部焊點皆位于同一面，因此在制造過程中，可以讓所有的接腳由同一料片或基板上延伸后分別與該多個焊點焊接組合，不但可以簡化工藝、節(jié)省制作成本，而且其成品的體積亦可以更為縮減。尤其是若將所述PNNP型及/或NPPN型覆晶的全部焊點皆排列在同一水平面上，可以讓工藝中覆晶與多根接腳的對位過程更精準、方便而提高產(chǎn)品良率。實施時，上述多根接腳的電路連接端可制作成符合表面黏型元件(SMD)或電路連接端傳統(tǒng)插接型元件(DIP)的樣式。為了焊接方便，前述PNNP型及/或NPPN型覆晶的焊點上可以預(yù)設(shè)焊料，以方便導(dǎo)接端與焊點之間的焊接結(jié)合。實施時，所述PNNP型覆晶兩個相鄰的N極可以共構(gòu)，由此可以減少覆晶與多根接腳的焊點，進一步簡化此焊接步驟的工藝；同理，NPPN型覆晶兩個相鄰的P極亦可以共構(gòu)，達成上述簡化工藝的目的。除此之外，PNNP型及/或NPPN型覆晶中的P極可視需求以一般半導(dǎo)體硅晶片工藝技術(shù)或利用肖特基(Schottky)工藝技術(shù)制成，使PNNP型及/或NPPN型覆晶的P極具備一般半導(dǎo)體或肖特基勢魚(Schottky Barrier)的電氣特性。至于，如何制作出PNNP型或NPPN型覆晶，并且讓該多個覆晶的焊點位于同一面，則可以參考同樣為本案專利技術(shù)人所研發(fā)出的申請案號TW 099106657、CN 2010148162. I、US12/662，792號，在此不另贅述。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本專利技術(shù)可以簡化工藝，以達到縮短工時、節(jié)省成本的目的，而且成品體積可以大幅縮減，具有相當(dāng)高的產(chǎn)業(yè)利用價值。附圖說明圖I為本專利技術(shù)中PNNP型及NPPN型覆晶與料片的結(jié)合示意圖；圖2為本專利技術(shù)中PNNP型或NPPN型覆晶與料片的結(jié)合示意圖；圖3為本專利技術(shù)搭配橋式整流器電路配置的示意圖；圖4為本專利技術(shù)搭配中心抽頭式全波整流器電路配置的示意圖；圖5為本專利技術(shù)在同一料片上設(shè)置多組四根接腳，并且讓每一組接腳分別與二覆晶焊接組合的示意圖(一)；圖6為本專利技術(shù)在同一基板上設(shè)置多組四根接腳，并且讓每一組接腳分別與二覆晶焊接組合的示意圖；圖7為本專利技術(shù)在同一料片上設(shè)置多組四根接腳，并且讓每一組接腳分別與二覆晶焊接組合的示意圖(二)；圖8為本專利技術(shù)在同一料片上設(shè)置多組三根接腳，并且讓每一組接腳分別與一覆晶焊接組合的示意圖；圖9為圖5經(jīng)過成型封裝及切割工藝后，制成表面粘著型元件的成品外觀示意圖；圖10為圖7經(jīng)過成型封裝及切割工藝后，制成插接型元件的成品外觀示意圖；圖11為圖8經(jīng)過成型封裝及切割工藝后，制成表面粘著型元件的成品外觀示意圖。附圖標(biāo)記說明10-PNNP型覆晶；20_NPPN型覆晶；30_接腳；31_導(dǎo)接端；32_電路連接端；40_料片或基板；50_焊點；60_封裝體；70_焊料。具體實施例方式以下依據(jù)本專利技術(shù)的技術(shù)手段，列舉出適于本專利技術(shù)的實施方式，并配合圖式說明如后如圖1、2所示，本專利技術(shù)覆晶式半導(dǎo)體全波整流元件的制造方法，至少包括一顆PNNP型覆晶(Flip-Chip) 10及/或一顆NPPN型覆晶20、以及一片包含多根接腳30的料片或基板40所組成，其中該PNNP型覆晶10及/或NPPN型覆晶20的全部焊點50皆位于同一面，能簡易地讓料片或基板40的多根接腳30分別與該多個覆晶10、20的焊點50，依照全波整流器的電路配置來焊接組合后，經(jīng)成型封裝及切腳后，即可完成成品的制作。上述全波整流器的電路配置請參考圖3本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種覆晶式半導(dǎo)體全波整流元件的制造方法，其特征在于，至少包含一顆PNNP型及/或一顆NPPN型覆晶、以及一片具有多根接腳的料片或基板，其中該PNNP型及/或NPPN型覆晶的全部焊點皆位于同一面，料片或基板的多根接腳分別與該PNNP型及/或NPPN型覆晶的焊點依照全波整流器的電路配置來焊接組合后，經(jīng)封裝成型及切腳即完成成品的制作。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：黃文彬，吳文湖，
申請(專利權(quán))人：美麗微半導(dǎo)體股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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