高爾夫球具桿頭制造技術

一種高爾夫球具桿頭，該桿頭(2)包括作為第一構件的桿頭體(h1)和作為第二構件的打擊面板(p1)。第一構件和第二構件的邊界(k1)存在于桿頭的表面上。沉積層被形成在包括桿頭的表面上的邊界的區域中。沉積處理中的溫度(Tp)等于或小于150℃。較佳地，沉積層通過PVD形成。較佳地，第一構件和第二構件被粘合劑粘合。較佳地，沉積層具有表面層和下層。較佳地，被暴露的沉積層為TiC層。較佳地，沉積層的總厚度Tt大于等于0.5μm且小于等于3.0μm。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種高爾夫球具桿頭。
技術介紹
高爾夫球具桿頭可能受到表面處理。典型的表面處理是涂漆和電鍍(plating)。日本平開專利申請No. 2001-327636公開了一種高爾夫球具桿頭，該高爾夫球具桿頭上覆蓋有通過氣相涂敷(vaporphase coating)而形成的涂層。該申請公開了一種鐵桿頭，其打擊面板由鈦合金制成。氣相涂敷的實例包括PVD (物理氣相沉積方法(physicalvapor deposition method)), CVD(化學氣相沉積方法(chemical vapor depositionmethod))和擴散法。
技術實現思路
在本文描述的桿頭中，打擊面板和桿頭體之間存在邊界。據發現，當具有在構件之間的邊界的桿頭受到沉積(deposition)時，在邊界附近會產生缺陷。本專利技術的目的在于提供了一種高爾夫球具桿頭，該高爾夫球具桿頭能夠抑制在構件之間的邊界中的沉積缺陷。本專利技術的高爾夫球具桿頭包括第一構件和第二構件。第一構件和第二構件的邊界存在于桿頭的表面上。沉積層被形成在包括在桿頭的表面上的邊界的區域中。在沉積處理中的溫度Tp等于或小于150°C。較佳地，沉積層通過PVD形成。較佳地,第一構件和第二構件通過粘合劑粘合不動。較佳地,沉積層具有表面層和下層。較佳地，被暴露的沉積層為TiC層。較佳地，沉積層的總厚度Tt大于等于0. 5tm且小于等于3. O μ m。附圖說明圖I是本專利技術的第一個實施例的高爾夫球具桿頭的立體圖；圖2是圖I中的桿頭的前視圖；圖3是沿著圖2中的線F3-F3的截面圖；圖4是打擊面表面的放大截面圖；圖5是圖2的圈F5中的放大視圖；圖6是根據第二個實施例的桿頭的打擊面表面的放大截面圖；和圖7是根據第三個實施例的桿頭的打擊面表面的放大截面圖。具體實施例方式在下文中，將參考附圖根據最 佳實施例描述本專利技術。如圖I至3所示，桿頭2為鐵制型高爾夫球具桿頭。桿頭2具有打擊面4，桿頸(hosel)6和底部8。桿頸6具有桿頸孔10。打擊面凹槽gv被形成在打擊面4的表面中。圖3中省略了打擊面凹槽gv的描述。打擊面4的中心部分受到噴射處理(blastprocessing)。所有的打擊面凹槽gv都位于受到噴射處理的區域Rs內。未受到噴射處理的區域Rn存在于打擊面4的趾側和跟側中的每一個中。標號bl表示區域Rs和區域Rn的邊界線。桿頭2具有作為第一構件的桿頭體hi和作為第二構件的打擊面板pi。桿頭體hi (第一構件)為金屬。桿頭體hi的材料為不銹鋼。打擊面板pi (第二構件)為金屬。打擊面板pl的材料為鈦合金。桿頭2為空穴基鐵(cavity back iron)。桿頭2的形狀不限。桿頭體hi具有打擊面開口。該打擊面開口的輪廓基本等于打擊面板Pl的輪廓。打擊面板pl被適配在打擊面開口(參見圖3)中。打擊面板pl構成打擊面4的大部分。所有的打擊面凹槽gv被形成在打擊面板Pl中。圖2中顯示打擊面板pl和桿頭體hi的邊界kl。在實際桿頭中幾乎注意不到邊界kl。因此，圖I中省略了邊界kl的描述。在打擊面4中，打擊面板pl和桿頭體hi構成同一平面PL1。平面PLl為打擊面表面。邊界kl位于平面PLl上。打擊面4受到表面處理。整個打擊面4受到表面處理。表面處理為沉積。在本實施例中，PVD用作為沉積處理。在本實施例中，在沉積處理之后執行噴射處理。也可以在噴射處理之后執行沉積處理。打擊面凹槽gv通過切削處理形成。具體地，打擊面凹槽gv通過刀具加工。該加工為NC加工。NC代表“數控(Numerical Control)”。在打擊面凹槽gv被形成之后執行沉積處理。因此，打擊面凹槽gv的表面(包括打擊面凹槽gv的底表面)也受到沉積處理。如圖2所示，打擊面板pl的跟側端被大致沿著邊界線bI布置。另一方面，打擊面板Pl的趾側端被大致沿著桿頭2的輪廓布置。打擊面板pl具有區域Rs和區域Rn。打擊面板pl的趾側部分為區域Rn。打擊面板pl具有邊界線bl。打擊面4的表面為平面。整個平面部分分受到沉積處理。受到沉積處理的區域包括邊界kl。沉積處理的實例包括PVD (物理氣相沉積方法)和CVD (化學氣相沉積方法)。PVD的實例包括真空沉積，濺射，離子電鍍，離子束沉積和離子注入沉積。CVD的實例包括等離子體CVD，激光激勵CVD和光激勵CVD。考慮到在其中執行化學反應的腔中的壓力，CVD的實例包括標準壓力CVD和低壓力CVD。可以在現有的設備中執行沉積。被沉積的物質的實例包括TiC，TiN, TiAlN, TiCN, CrN, Zr，ZrN, SiC, A1203, BN,Si02, Ti02, Zr02 和 MgF2。也可以用 DLC(類金剛石膜(diamond like carbon))。這些物質作為被沉積的物質。圖4是桿頭2的表面附近的截面圖。表面層Ls被形成在打擊面4的表面上。表面層Ls為沉積層。表面層Ls通過PVD形成。表面層Ls為被暴露的沉積層。在本實施例中使用了 TiC(碳化鈦)。即，表面層Ls為TiC層。TiC顯示為黑色。圖5是圖2中由F5表示的圈的放大視圖。外觀缺陷部分fa由圖5中的雙點劃線表示。外觀缺陷部分fa并未應用在本專利技術的桿頭中。外觀缺陷部分fa形成色差，當與圍繞部分相比時，能夠通過眼睛識別出該色差。可以通過眼睛識別外觀缺陷部分fa。外觀缺陷部分fa會降低產品價格。當產生外觀缺陷部分fa時，需要重新進行(修改)沉積處理。在本實施例中，幾乎不產生外觀缺陷部分fa。即使當產生外觀缺陷部分fa時，也可以修改(重新進行)沉積處理。為了除去外觀缺陷部分fa，進行了多次試驗。結果發現，沉積處理可以改變外觀缺陷部分fa的產生率。特別地，據發現在沉積處理中溫度Tp有助于抑制外觀缺陷部分fa。考慮抑制外觀缺陷部分fa，溫度Tp較佳地等于或小于150°C，更佳地等于或小于 140°C，還更佳地等于或小于130°C，并更佳地等于或小于120°C。當溫度Tp太低時，沉積處理可能變得困難或可能減小膠粘性。在這點上，溫度Tp較佳地等于或大于90°C，更佳地等于或大于100°C。當存在多個沉積層時，在所有沉積處理中的溫度Tp較佳地滿足這些較佳的溫度范圍。處理的溫度Tp通常為標準溫度，即，在桿頭的PVD處理中為300°C左右。包括打擊面和桿頭體的整體構造的桿頭不會在處理溫度上引起問題。然而，據發現當多個構件的邊界存在時，會引起外觀缺陷問題。因此，通過降低溫度Tp會減少外觀缺陷部分fa。外觀缺陷部分fa的具體產生原因并不清楚。然而，通過分析稍后描述的實例的結果可以推測產生原因。能夠推測出的一個原因是抑制邊界kl上存在的沉積的物質(以下，也被稱為抑制劑Pt)。抑制劑Pt的實例包括粘合劑，切削油和填縫料(putty)。粘合劑用于粘合打擊面板Pl和桿頭體hi。當通過切削處理形成打擊面凹槽gv時使用切削油。填縫料可以用于防止切削油進入邊界kl。據知，因為抑制劑Pt殘余而導致沉積失敗。特別地，粘合劑往往會在高溫條件下流動。因此，在高溫加工期間，粘合劑可能流出來。填縫料為襯墊材料，用于填補凹部，裂縫和孔等等。填縫料的實例包括環氧填縫料，聚酯填縫料，石膏填縫料和碳酸鈣填縫料。粘合劑不受限制。粘合劑的實例包括丙烯酸粘合劑，環氧粘合劑和本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種高爾夫球具桿頭，其特征在于，包括：第一構件；和第二構件；其中，所述第一構件和所述第二構件的邊界位于所述桿頭的表面上；沉積層形成在包括所述桿頭的所述表面上的所述邊界的區域；并且沉積處理中的溫度Tp等于或小于150℃。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：元川祐貴，平野智哉，
申請(專利權)人：鄧祿普體育用品株式會社，
類型：發明
國別省市：