本實用新型專利技術公開了一種電壓調節電路，其包括可控硅Q1、MCU、可控硅Q2、驅動觸發光耦U1和驅動觸發光耦U4，可控硅Q1和可控硅Q2串聯在智能控制器的輸入回路中，驅動觸發光耦U4的輸入端與可控硅Q1并聯，且驅動觸發光耦U4的陽極連接MCU的I/O，驅動觸發光耦U1的輸入端與可控硅Q2并聯，且驅動觸發光耦U1的陰極連接MCU的I/O。本實用新型專利技術實現了調壓電路的自我異常診斷，且實現了一旦發現可控硅短路或MCU失效異常便可及時切斷輸出，避免了輸出高壓給負載帶來的損傷，提高了整個電路的安全防護，具有極強的實用價值，可廣泛推廣應用。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及ー種電壓調節電路，具體說，是涉及ー種能實現自身異常診斷及一旦出現異常能及時切斷電壓輸出的電壓調節電路。技術背景在ー些交流調壓控制電路中，例如，在ー些抱閘線圈的控制器，通常都使用可控硅做為主要的功率器件，用MCU (MCU是微控制單元MicroControllerUnit的英文縮寫)來控制其導通角進行調壓或電流控制，現有電壓調節控制電路中，可控硅通常為ー個，直接用MCU來調節和控制，在實際運用中，可控硅斷路時對負載不會有傷害，但可控硅處于短路異常吋，就會對負載造成損傷，具體體現在以下兩點安全隱患I)若可控硅發生短路異常，其便不再受控，直接輸出高電壓；2)若MCU死機或損壞時，其I/O ロ要么同為高電壓，要么同為低電平，將導致可控硅處于全通狀態。在發生以上情況時，輸出電壓便會偏高，易損傷后端負載，即使后端有過壓檢測，那也只能檢測出電壓異常，而沒辦法去切斷輸出，以致產生嚴重經濟損失。
技術實現思路
針對現有技術存在的上述問題，本技術的目的是提供ー種能實現自身異常診斷及一旦出現異常能及時切斷電壓輸出的電壓調節電路。為實現上述技術目的，本技術采取的技術方案如下ー種電壓調節電路，包括可控硅Ql和MCU，其特征在于還包括可控硅Q2、驅動觸發光耦Ul和驅動觸發光耦U4，可控硅Ql和可控硅Q2串聯在智能控制器的輸入回路中，驅動觸發光耦U4的輸入端與可控硅Ql并聯，且驅動觸發光耦U4的陽極連接MCU的1/0，驅動觸發光耦Ul的輸入端與可控硅Q2并聯，且驅動觸發光耦Ul的陰極連接MCU的I/O。作為ー種優選方案，輸入電流為交流電，包括L極和N極，所述可控硅Ql的I腳與負載的一端相連接，可控硅Ql的2腳與交流電的L極相連接；可控硅Q2的I腳與負載的另一端相連接，可控娃Q2的2腳與交流電的N極相連接。與現有技術相比，本技術具有如下有益效果本技術采用觸發光耦U4和觸發光耦Ul分別驅動可控硅Ql和可控硅Q2，MCU控制可控硅的導通及導通角的大小來實現交流斬波，從而實現了調壓電路的自我異常診斷，且實現了一旦發現可控硅短路或MCU失效異常便可及時切斷輸出，避免了輸出高壓給負載帶來的損傷，提高了整個電路的安全防護，具有極強的實用價值，可廣泛推廣應用。附圖說明圖I是本技術提供的ー種電壓調節電路的結構示意圖。具體實施方式以下結合附圖及其實施例對本技術進ー步詳細地說明實施例如圖I所示，本技術提供的ー種電壓調節電路，包括可控硅Q1、MCU、可控硅Q2、驅動觸發光耦Ul和驅動觸發光耦U4，可控硅Ql和可控硅Q2串聯在智能控制器的輸入回路中，驅動觸發光耦U4的輸入端與可控硅Ql并聯，且驅動觸發光耦U4的陽極連接MCU的1/0，驅動觸發光耦Ul的輸入端與可控硅Q2并聯，且驅動觸發光耦Ul的陰極連接MCU的I/O ;其具體電路連接方式為輸入電流為交流電，包括L極和N扱，所述可控硅Ql的I腳與負載的一端相連接，可控硅Ql的2腳與交流電的L極相連接；可控硅Q2的I腳與負載的另一端相連接，可控娃Q2的2腳與交流電的N極相連接。作為進ー步優選方案，電源導通時，可控硅Ql處于全導通狀態，通過MCU控制可控·娃Q2的導通角來調整電壓的輸出，再將可控娃Q2也處于全導通狀態,通過控制可控娃Ql的導通角來調整電壓的輸出，這樣周期性的切換可控硅Q1、Q2的工作模式，形成交流斬波。本技術的工作過程如下在智能控制器的輸入回路中串進可控硅Ql和可控硅Q2，在上電工作時，其中ー個可控硅，如可控硅Ql —直處于全導通狀態，通過控制可控硅Q2的導通角來調整電壓的輸出，這樣經過ー個時間周期，再將可控硅Q2 —直處于全導通狀態，再控制可控硅Ql的導通角來調整輸出電壓，這樣周期性的變換可控硅Ql和可控硅Q2的工作模式，如果有ー只可控硅處于短路狀態，反饋電壓便會異常，此時MCU通過切斷另外ー只可控硅來切斷輸出電源，從而可保護負載；將驅動觸發光耦U4的陽極連接MCU的1/0，將驅動觸發光耦Ul的陰極連接MCU的1/0，這樣在MCU死機或損壞時，總有一只光耦處于關斷狀態，使其中一只可控硅處于關斷狀態，從而切斷了輸出。綜上所述,本技術采用觸發光耦U4和觸發光耦Ul分別驅動可控硅Ql和可控硅Q2，MCU控制可控硅的導通及導通角的大小來實現交流斬波，從而實現了調壓電路的自我異常診斷，可以很好的解決可控硅短路異常、MCU失效異常對負載所帯來的安全隱患，且一旦發現異常，能夠有效的快速切斷輸出，避免給負載帶來損傷，具有極強的實用價值。最后有必要在此說明的是上述內容只用于對本技術的技術方案作進ー步詳細說明，不能理解為對本技術保護范圍的限制，本領域的技術人員根據本技術的上述內容作出的一些非本質的改進和調整均屬于本技術的保護范圍。權利要求1.ー種電壓調節電路，包括可控硅Ql和MCU，其特征在于還包括可控硅Q2、驅動觸發光耦Ul和驅動觸發光耦U4，可控硅Ql和可控硅Q2串聯在智能控制器的輸入回路中，驅動觸發光耦U4的輸入端與可控硅Ql并聯，且驅動觸發光耦U4的陽極連接MCU的1/0，驅動觸發光耦Ul的輸入端與可控硅Q2并聯，且驅動觸發光耦Ul的陰極連接MCU的I/O。2.根據權利要求I所述的電壓調節電路，其特征在于所述可控硅Ql的I腳與負載的一端相連接，可控硅Ql的2腳與交流電的L極相連接；所述可控硅Q2的I腳與負載的另ー端相連接，可控娃Q2的2腳與交流電的N極相連接。專利摘要本技術公開了一種電壓調節電路，其包括可控硅Q1、MCU、可控硅Q2、驅動觸發光耦U1和驅動觸發光耦U4，可控硅Q1和可控硅Q2串聯在智能控制器的輸入回路中，驅動觸發光耦U4的輸入端與可控硅Q1并聯，且驅動觸發光耦U4的陽極連接MCU的I/O，驅動觸發光耦U1的輸入端與可控硅Q2并聯，且驅動觸發光耦U1的陰極連接MCU的I/O。本技術實現了調壓電路的自我異常診斷，且實現了一旦發現可控硅短路或MCU失效異常便可及時切斷輸出，避免了輸出高壓給負載帶來的損傷，提高了整個電路的安全防護，具有極強的實用價值，可廣泛推廣應用。文檔編號H02H7/12GK202759218SQ201220494478公開日2013年2月27日 申請日期2012年9月25日 優先權日2012年9月25日專利技術者秦吉芳, 洪浩, 王偉峰 申請人:上海微頻萊機電科技有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種電壓調節電路，包括可控硅Q1和MCU，其特征在于：還包括可控硅Q2、驅動觸發光耦U1和驅動觸發光耦U4，可控硅Q1和可控硅Q2串聯在智能控制器的輸入回路中，驅動觸發光耦U4的輸入端與可控硅Q1并聯，且驅動觸發光耦U4的陽極連接MCU的I/O，驅動觸發光耦U1的輸入端與可控硅Q2并聯，且驅動觸發光耦U1的陰極連接MCU的I/O。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：秦吉芳，洪浩，王偉峰，
申請(專利權)人：上海微頻萊機電科技有限公司，
類型：實用新型
國別省市：
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