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    一種小型屏蔽腔體屏蔽效能的測試方法技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):8366317 閱讀:261 留言:0更新日期:2013-02-28 03:47
    本發(fā)明專利技術(shù)是一種小型屏蔽腔體屏蔽效能的測試方法。其特征是:屏蔽暗室和屏蔽室是由金屬壁板隔成的兩個(gè)腔體,屏蔽暗室的壁面上設(shè)置吸波材料屏蔽暗室和屏蔽室都單獨(dú)接大地;接收儀設(shè)置在屏蔽室內(nèi),其余設(shè)備設(shè)置在屏蔽暗室內(nèi),雙向射頻連接器設(shè)置在金屬壁板壁面上;近場測試天線設(shè)置在屏蔽暗室內(nèi),近場測試天線通過同軸線纜依次金屬壁板壁面上的雙向射頻連接器以及接收儀導(dǎo)通;發(fā)射天線通過同軸線纜依次與前置放大器和信號(hào)源導(dǎo)通,它們設(shè)置在屏蔽室內(nèi),且發(fā)射天線的中心對近場測試天線的中心;并通過測直通接收值、測射頻泄漏量及計(jì)算屏蔽效能三個(gè)步驟實(shí)現(xiàn)。該方法簡單、準(zhǔn)確。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及電子測試與屏蔽效能測試
    ,是。
    技術(shù)介紹
    近年來,在電磁兼容領(lǐng)域,對于產(chǎn)品的抗電磁干擾性能要求越來越高,由于各類電子產(chǎn)品的電磁干擾輻射頻段越來越寬,且低頻段尤為密集,這使得產(chǎn)品的抗電磁干擾能力要求越來越嚴(yán)格,而決定其空間抗電磁干擾的能力往往取決于其設(shè)備腔體自身的屏蔽效能,由于現(xiàn)代電子設(shè)備朝向小型化發(fā)展,從而使得設(shè)備體積逐漸減小;而需驗(yàn)證一個(gè)腔體的屏蔽效能,則必須在一個(gè)發(fā)射天線發(fā)射信號(hào)的同時(shí),使得一個(gè)接收天線放入該腔體內(nèi)部進(jìn)行信號(hào)接收測試,由于目前該領(lǐng)域中所使用的屏效測試天線多為窄帶天線,且體積大,在測試小物體的屏蔽效能時(shí),往往不能將天線放置在腔體內(nèi)部進(jìn)行屏蔽效能接收測試,這就使得體積小的腔體其自身屏蔽效能往往無法得到驗(yàn)證,因此迫切需要驗(yàn)證小型腔體的屏蔽效能。
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    本專利技術(shù)的目的是提供,適用于小型腔體、 機(jī)柜、屏蔽暗箱及大型屏蔽室、屏蔽方艙的屏蔽效能測試。本專利技術(shù)的技術(shù)方案是,他的設(shè)備至少包括近場測試天線、雙向射頻連接器、發(fā)射天線、前置放大器、信號(hào)源、接收儀、同軸線纜以及屏蔽暗室和屏蔽室,其特征是屏蔽暗室和屏蔽室是由金屬壁板隔成的兩個(gè)腔體,屏蔽暗室的壁面上設(shè)置吸波材料屏蔽暗室和屏蔽室都單獨(dú)接大地;接收儀設(shè)置在屏蔽室內(nèi),其余設(shè)備設(shè)置在屏蔽暗室內(nèi),雙向射頻連接器設(shè)置在金屬壁板壁面上;近場測試天線設(shè)置在屏蔽暗室內(nèi),近場測試天線通過同軸線纜依次金屬壁板壁面上的雙向射頻連接器以及接收儀導(dǎo)通;發(fā)射天線通過同軸線纜依次與前置放大器和信號(hào)源導(dǎo)通,它們設(shè)置在屏蔽室內(nèi),且發(fā)射天線的中心對近場測試天線的中心;這種小型屏蔽腔體屏蔽效能的測試方法按照如下的步驟進(jìn)行 步驟1,測直通接收值;信號(hào)源發(fā)出信號(hào),入射信號(hào)經(jīng)前置放大器后,由發(fā)射天線發(fā)射,再由近場測試天線接收,并通過雙向射頻連接器將信號(hào)傳遞至接收儀,接收儀得到天線水平極化和垂直極化的數(shù)據(jù),即為直通接收值; 步驟2,測射頻泄漏量;將近場測試天線設(shè)置在絕緣天線托盤上,并放置在被測腔體內(nèi)部,其中心對準(zhǔn)被測腔體接收面,近場測試天線距被測腔體接收面為d ;同時(shí)被測腔體壁面上安裝雙向射頻連接器,同軸線纜將近場測試天線與被測腔體面上的雙向射頻連接器、金屬壁板面上的雙向射頻連接器以及接收儀依次導(dǎo)通;被測腔體于屏蔽暗室內(nèi),發(fā)射天線在被測腔體外,且發(fā)射天線的中心對被測腔體接收面,發(fā)射天線與被測腔體接收面的距離為D ;設(shè)置好被測腔體后,信號(hào)源發(fā)出信號(hào),入射信號(hào)經(jīng)前置放大器后,由發(fā)射天線發(fā)射,入射波穿過被測腔體的接收面后,再由近場測試天線接收,并通過兩個(gè)雙向射頻連接器將信號(hào)傳遞至接收儀,接收儀得到此時(shí)天線水平極化和垂直極化的數(shù)據(jù),為被測腔體接收面的射頻泄漏量; 步驟3,計(jì)算屏蔽效能;使用步驟I中得到的直通接收值減去步驟2中得到的射頻泄漏量,計(jì)算后得出被測腔體接收面的屏蔽效能。所述的雙向射頻連接器是雙向金屬屏蔽電連接器,其中間部位有金屬法蘭盤,通過法蘭盤與金屬壁板和被測腔體的壁面固定連接。所述的近場測試天線是直徑為3厘米至12厘米的圓環(huán)饋電體,是通過射頻線纜的內(nèi)導(dǎo)體和外回路層搭接焊接構(gòu)成的一端同心圓弧,其實(shí)質(zhì)為接收天線,針對9KHz至30MHz的磁場頻段;發(fā)射天線為環(huán)形磁場天線,針對9KHz至30MHz的磁場頻段。·所述的近場測試天線和發(fā)射天線還可以是半波振子天線,針對IOOMHz至IGHz的電場頻段或微波喇叭天線,針對IGHz至40GHz的平面波頻段。所述的前置放大器的信號(hào)功率放大頻段為9KHz至40GHz。所述的信號(hào)源是函數(shù)信號(hào)發(fā)生器、調(diào)制信號(hào)發(fā)生器或?qū)掝l信號(hào)源。所述的接收儀是接收機(jī)或頻譜儀。所述的同軸線纜是滿足9KHz至40GHz頻段的同軸線纜。所述的屏蔽暗室和屏蔽室是半電波暗室,它們都單獨(dú)接大地。所述的吸波材料是聚氨酯泡沫型、無紡布難燃型或硅酸鹽板金屬膜組裝型的劈尖形吸收體。本專利技術(shù)的特點(diǎn)是通過屏蔽連接結(jié)構(gòu)和天線的轉(zhuǎn)換,可測試小體積腔體的電場和磁場頻段的屏蔽效能、同時(shí)具有精準(zhǔn)度與動(dòng)態(tài)范圍高、通用性好的優(yōu)點(diǎn)。附圖說明下面將結(jié)合實(shí)施例對本專利技術(shù)作進(jìn)一步的說明 圖I是9KHZ至30MHz磁場頻段的直通測試示意 圖2是9KHz至30MHz磁場頻段的屏蔽效能檢測布局示意 圖3是IOOMHz至IGHz電場頻段的直通測試示意 圖4是IOOMHz至IGHz電場頻段的屏蔽效能檢測布局示意 圖5是IGHz至40GHz平面波頻段的直通測試示意 圖6是IGHz至40GHz平面波頻段的屏蔽效能檢測布局示意圖。圖中1、近場測試天線;2、雙向射頻連接器;3、發(fā)射天線;4、半波振子天線;5、微波喇叭天線;6、前置放大器;7、信號(hào)源;8、接收儀;9、同軸線纜;10、屏蔽暗室;11、屏蔽室;12、吸波材料;13、金屬壁板;14、被測腔體;D、發(fā)射天線距離被測點(diǎn)的距離;d、接收天線距離被測點(diǎn)的距離。具體實(shí)施例方式實(shí)施例I 如圖I和圖2所示,半電波暗室是為了防止入射信號(hào)直接對接收機(jī)進(jìn)行干擾而設(shè)置的,是為了避免影響測試真實(shí)性而采用的一種隔離環(huán)境。金屬壁板13將半電波暗室分為兩個(gè)部分,分別是屏蔽暗室10和屏蔽室11,屏蔽暗室10的壁面上設(shè)置吸波材料12。吸波材料12是聚氨酯泡沫型、無紡布難燃型或硅酸鹽板金屬膜組裝型的劈尖形吸收體。金屬壁板13上設(shè)置有雙向射頻連接器2,雙向射頻連接器2的兩端分別在屏蔽暗室10與屏蔽室11內(nèi),接收儀8單獨(dú)置于屏蔽室11內(nèi)部。雙向射頻連接器2是雙向金屬屏蔽電連接器,其中間部位有金屬法蘭盤,通過法蘭盤與金屬壁板15固定。 接收儀8是接收機(jī)或頻譜儀。近場測試天線I置于屏蔽暗室10內(nèi),通過同軸線纜9與金屬壁板13上設(shè)置的雙向射頻連接器2的一端導(dǎo)通,雙向射頻連接器2的另一端與接收儀8導(dǎo)通。近場測試天線I是直徑為3厘米至12厘米的圓環(huán)饋電體,是通過射頻線纜的內(nèi)導(dǎo)體和外回路層搭接焊接構(gòu)成的一端同心圓弧,其實(shí)質(zhì)為接收天線,針對9KHz至30MHz的磁場頻段。發(fā)射天線3與前置放大器6和信號(hào)源7由同軸線纜9導(dǎo)通,它們也置于屏蔽暗室10內(nèi),且發(fā)射天線3的中心與近場測試天線I的中心對準(zhǔn)。發(fā)射天線3是環(huán)形磁場天線,針對9KHz至30MHz的磁場頻段。信號(hào)源7是函數(shù)信號(hào)發(fā)生器、調(diào)制信號(hào)發(fā)生器或?qū)掝l信號(hào)源。同軸線纜9是滿足9KHz至40GHz頻段的同軸線纜。這種小型屏蔽腔體屏蔽效能的測試方法按照如下的步驟進(jìn)行 步驟1,測直通接收值;信號(hào)源7發(fā)出信號(hào),入射信號(hào)經(jīng)前置放大器6后,由發(fā)射天線3發(fā)射,再由近場測試天線I接收,并通過雙向射頻連接器2將信號(hào)傳遞至接收儀8,接收儀8得到天線水平極化和垂直極化的數(shù)據(jù),即為直通接收值; 步驟2,測射頻泄漏量;將近場測試天線I設(shè)置在絕緣天線托盤上,并放置在被測腔體14內(nèi)部,其中心對準(zhǔn)被測腔體14接收面,近場測試天線I距被測腔體14接收面為d ;同時(shí)被測腔體14壁面上安裝雙向射頻連接器2,同軸線纜9將近場測試天線I與被測腔體14面上的雙向射頻連接器2、金屬壁板13面上的雙向射頻連接器2以及接收儀8依次導(dǎo)通;被測腔體14于屏蔽暗室10內(nèi),發(fā)射天線3在被測腔體14外,且發(fā)射天線3的中心對被測腔體14接收面,發(fā)射天線3與被測腔體14接收面的距離為D ; 設(shè)置好被測腔體后,信號(hào)源7發(fā)出信號(hào),入射信號(hào)經(jīng)前置放大器6后,由發(fā)射天線3發(fā)射,入射波穿過被測腔體14的接收本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    一種小型屏蔽腔體屏蔽效能的測試方法,他的設(shè)備至少包括近場測試天線(1)、雙向射頻連接器(2)、發(fā)射天線(3)、前置放大器(6)、信號(hào)源(7)、接收儀(8)、同軸線纜(9)以及屏蔽暗室(10)和屏蔽室(11),其特征是:屏蔽暗室(10)和屏蔽室(11)是由金屬壁板(13)隔成的兩個(gè)腔體,屏蔽暗室(10)的壁面上設(shè)置吸波材料(12)屏蔽暗室(10)和屏蔽室(11)都單獨(dú)接大地;接收儀(8)設(shè)置在屏蔽室(11)內(nèi),其余設(shè)備設(shè)置在屏蔽暗室(10)內(nèi),雙向射頻連接器(2)設(shè)置在金屬壁板(13)壁面上;近場測試天線(1)設(shè)置在屏蔽暗室(10)內(nèi),近場測試天線(1)通過同軸線纜(9)依次金屬壁板(15)壁面上的雙向射頻連接器(2)以及接收儀(8)導(dǎo)通;發(fā)射天線(3)通過同軸線纜(9)依次與前置放大器(6)和信號(hào)源(7)導(dǎo)通,它們設(shè)置在屏蔽室(10)內(nèi),且發(fā)射天線(3)的中心對近場測試天線(1)的中心;這種小型屏蔽腔體屏蔽效能的測試方法按照如下的步驟進(jìn)行:步驟1,測直通接收值;信號(hào)源(7)發(fā)出信號(hào),入射信號(hào)經(jīng)前置放大器(6)后,由發(fā)射天線(3)發(fā)射,再由近場測試天線(1)接收,并通過雙向射頻連接器(2)將信號(hào)傳遞至接收儀(8),接收儀(8)得到天線水平極化和垂直極化的數(shù)據(jù),即為直通接收值;步驟2,測射頻泄漏量;將近場測試天線(1)設(shè)置在絕緣天線托盤上,并放置在被測腔體(14)內(nèi)部,其中心對準(zhǔn)被測腔體(14)接收面,近場測試天線(1)距被測腔體(14)接收面為d;同時(shí)被測腔體(14)壁面上安裝雙向射頻連接器(2),同軸線纜(9)將近場測試天線(1)與被測腔體(14)面上的雙向射頻連接器(2)、金屬壁板(13)面上的雙向射頻連接器(2)以及接收儀(8)依次導(dǎo)通;被測腔體(14)于屏蔽暗室(10)內(nèi),發(fā)射天線(3)在被測腔體(14)外,且發(fā)射天線(3)的中心對被測腔體(14)接收面,發(fā)射天線(3)與被測腔體(14)接收面的距離為D;設(shè)置好被測腔體后,信號(hào)源(7)發(fā)出信號(hào),入射信號(hào)經(jīng)前置放大器(6)后,由發(fā)射天線(3)發(fā)射,入射波穿過被測腔體(14)的接收面后,再由近場測試天線(1)接收,并通過兩個(gè)雙向射頻連接器(2)將信號(hào)傳遞至接收儀(8),接收儀8得到此時(shí)天線水平極化和垂直極化的數(shù)據(jù),為被測腔體(14)接收面的射頻泄漏量;步驟3,計(jì)算屏蔽效能;使用步驟1中得到的直通接收值減去步驟2中得到的射頻泄漏量,計(jì)算后得出被測腔體(14)接收面的屏蔽效能。...

    【技術(shù)特征摘要】

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:宋博
    申請(專利權(quán))人:西安開容電子技術(shù)有限責(zé)任公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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