本發明專利技術涉及一種測量光刻膠折射率的方法，在空白基底甩上一層厚的均勻的光刻膠并烘干，這樣可以使光刻膠在短時間內不被完全曝光，而且測量結果也會更加精確。如需測量曝光后光刻膠的折射率，可在光刻膠被烘干后取出先在相應的波長下進行曝光再測量。用分光光度計分別測量空白基底、曝光或未曝光的光刻膠樣品的透過率。將測量數據用Macleod軟件用極值法進行分析計算，便可得到光刻膠曝光后的折射率。測試結果精確、而且方便快捷，可以在很寬波段范圍內測量光刻膠的折射率，具有重要意義。可廣泛應用于光學儀器、微機電系統、光電子器件及生物醫學等領域。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種測量方法，特別涉及。
技術介紹
光刻膠是一類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料，由于具備比較小的表面張力的特性，使得光刻膠具有良好的流動性和均勻性。光刻膠的英文是Photo Resist，又稱光致抗蝕劑，是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經光照后，在曝光區域能很快地發生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發生明顯變化，是轉移紫外曝光或電子束曝光圖案的媒介。廣泛應用于集成電路(1C)，封裝(Packaging)，微機電系統(MEMS)，光電子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics),平板顯不器(LED, LCD, 0LED),太陽能光伏(SolarPV)等領域。精確獲得光刻膠的折射率，對于器件的設計，結構優化等有著十分重要的參考 意義。最常見的測量液體折射率的儀器是使用阿貝折射儀，但是阿貝折射儀的測量折射率的波段較短(DR-M2多波長阿貝折射儀，測量波段為450nm-lIOOnm)。
技術實現思路
本專利技術是針對現有的折射儀測量折射率的波段較短的問題，提出了，提出根據光譜來獲得光刻膠折射率不僅測試結果精確、而且方便快捷，可以在很寬波段范圍內測量光刻膠的折射率。本專利技術的技術方案為，包括如下具體步驟 1)用勻膠機在空白基底層甩上一層厚度均勻的光刻膠層，并烘干，如需測量曝光后光刻膠的折射率，可在光刻膠被烘干后取出在相應的波長下進行曝光；2)用分光光度計測量空白基底、曝光或未曝光的光刻膠樣品的透過光譜特性曲線； 3)用Macleod軟件對空白基底和光刻膠樣品的透過光譜特性曲線進行分析計算，得到光刻膠折射率曲線。所述步驟I)中光刻膠層厚度為6. 4±0· 2 μ m。所述步驟I)中空白基底為K9玻璃，光刻膠為AZ P4330。光刻膠是在波長為325nm的激光下進行曝光20min。本專利技術的有益效果在于本專利技術測量光刻膠折射率的方法，基于光譜法利用Macleod軟件計算測量，測試結果精確、而且方便快捷，可以在很寬波段范圍內測量光刻膠的折射率，具有重要意義。可廣泛應用于光學儀器、微機電系統、光電子器件及生物醫學等領域。附圖說明圖I為本專利技術鍍有光刻膠樣品的結構示意 圖2為本專利技術用分光光度計所測得的樣品透射光譜特性曲線圖；圖3為本專利技術已曝光的光刻膠在900-1300nm波長范圍內的折射率 圖4為本專利技術已曝光的光刻膠在1300-1900nm波長范圍內的折射率 圖5為本專利技術未曝光的光刻膠在950-1350nm波長范圍內的折射率 圖6為本專利技術未曝光的光刻膠在1300-2000nm波長范圍內的折射率圖。具體實施例方式空白基底為K9玻璃，光刻膠為AZ P4330,該型號光刻膠在紫外可見波段都比較強的光靈敏度，實施例制備的光刻膠厚度為6. 4±0. 2 μ m，曝光的光刻膠是在波長為325nm的激光下進行曝光20min。具體步驟如下· I.如圖I所示鍍有光刻膠樣品的結構示意圖，用勻膠機在空白基底I層甩上一層厚度為6. 4±0. 2 μ m的均勻光刻膠2層，并烘干,這樣可以使光刻膠在短時間內不被完全曝光，而且測量結果也會更加精確。如需測量曝光后光刻膠的折射率，可在光刻膠被烘干后取出在相應的波長下先進性曝光再測量。2.用分光光度計測量空白基底、曝光或未曝光的光刻膠樣品的透過光譜特性曲線，如圖2所示用分光光度計所測得的樣品透射光譜特性曲線圖。3.用Macleod軟件對空白基底和光刻膠樣品的透過光譜特性曲線進行分析計算，這樣得到如圖3 6所示的光刻膠折射率曲線。圖3 6是光刻膠樣品在不同光波段下的折射率圖3為已曝光的光刻膠在900-1300nm波長范圍內的折射率，圖4為已曝光的光刻膠在1300_1900nm波長范圍內的折射率，圖5為未曝光的光刻膠在950-1350nm波長范圍內的折射率，圖6為未曝光的光刻膠在1300-2000nm波長范圍內的折射率。本專利技術成功實現了利用光譜測量法測量出光刻膠的折射率。權利要求1.，其特征在于，包括如下具體步驟 1)用勻膠機在空白基底層甩上一層厚度均勻的光刻膠層，并烘干，如需測量曝光后光刻膠的折射率，可在光刻膠被烘干后取出在相應的波長下進行曝光； 2)用分光光度計測量空白基底、曝光或未曝光的光刻膠樣品的透過光譜特性曲線； 3)用Macleod軟件對空白基底和光刻膠樣品的透過光譜特性曲線進行分析計算，得到光刻膠折射率曲線。2.根據權利要求I所述測量光刻膠折射率的方法，其特征在于，所述步驟I)中光刻膠層厚度為6. 4±0. 2 μ m。3.根據權利要求I所述測量光刻膠折射率的方法，其特征在于，所述步驟I)中空白基底為K9玻璃，光刻膠為AZ P4330。4.根據權利要求3所述測量光刻膠折射率的方法，其特征在于，所述步驟I)中光刻膠是在波長為325nm的激光下進行曝光20min。全文摘要本專利技術涉及，在空白基底甩上一層厚的均勻的光刻膠并烘干，這樣可以使光刻膠在短時間內不被完全曝光，而且測量結果也會更加精確。如需測量曝光后光刻膠的折射率，可在光刻膠被烘干后取出先在相應的波長下進行曝光再測量。用分光光度計分別測量空白基底、曝光或未曝光的光刻膠樣品的透過率。將測量數據用Macleod軟件用極值法進行分析計算，便可得到光刻膠曝光后的折射率。測試結果精確、而且方便快捷，可以在很寬波段范圍內測量光刻膠的折射率，具有重要意義。可廣泛應用于光學儀器、微機電系統、光電子器件及生物醫學等領域。文檔編號G01N21/41GK102944532SQ20121049959公開日2013年2月27日 申請日期2012年11月30日 優先權日2012年11月30日專利技術者王銀萍, 陶春先, 趙曼彤, 王 琦, 倪爭技, 黃元申 申請人:上海理工大學本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種測量光刻膠折射率的方法，其特征在于，包括如下具體步驟：1）用勻膠機在空白基底層甩上一層厚度均勻的光刻膠層，并烘干，如需測量曝光后光刻膠的折射率，可在光刻膠被烘干后取出在相應的波長下進行曝光；2）用分光光度計測量空白基底、曝光或未曝光的光刻膠樣品的透過光譜特性曲線；3）用Macleod軟件對空白基底和光刻膠樣品的透過光譜特性曲線進行分析計算，得到光刻膠折射率曲線。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：王銀萍，陶春先，趙曼彤，王琦，倪爭技，黃元申，
申請(專利權)人：上海理工大學，
類型：發明
國別省市：
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