二極管硅疊切割工藝及其專用工裝制造技術

本發明專利技術涉及一種二極管硅疊切割工藝及其專用工裝，其創新點在于所述步驟為：將硅疊水平置于硅疊接著工裝的玻璃底板上，通過石蠟將其與玻璃底板一次接著；將硅疊接著工裝置于硅片切斷機上，定位后由硅片切斷機沿垂直于硅疊接著工裝兩側玻璃擋板的方向進行一次切割成若干排硅片；加熱融化固定硅片的石蠟后，將硅疊接著工裝上的硅片在水平面方向旋轉90°，再通過石蠟二次接著固定在硅疊接著工裝上；將硅疊接著工裝再次置于硅片切斷機上二次切割，將硅片切割成硅粒。精簡工序，硅片不會出現傾倒的現象，可縮短切割周期，提高工作效率；并在水平旋轉時利用專用工裝定位，確保硅片與硅疊二次接著時相對一次接著準確旋轉90度，提高產品質量。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種加工效率高、且準確的二極管硅疊切割工藝，還涉及一種實現該二極管硅疊切割工藝的專用工裝。
技術介紹
二極管種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管(Ge管)和硅二極管(Si管)。娃二極管的反向電流較小,耐高溫,使用較為廣泛。在生產硅二極管的過程中，需要將硅疊切割成硅粒，其工藝流程為首先將硅疊水平置于娃疊接著工裝上，通過石臘接著，將娃疊與娃疊接著工裝的玻璃底板固定，實現一次接著；然后將硅疊接著工裝置于硅片切斷機上，進行一次切割，將硅疊切割成若干排硅片；一次切割后，融化石蠟，將數排硅片為一組，沿穿過一次切割線的垂直平面上翻轉硅片90度，并沿水平面旋轉90度后，再將硅片與硅疊接著工裝二次接著固定；最后再次將硅疊接著工裝置于硅片切斷機上二次切割制得硅粒。該種工藝方法存在一定的缺點無法確保硅片準確旋轉90度，切割后的硅粒端面與側面不垂直，影響后續加工及產品質量；在采用該方法制作復印機、打印機用的管芯時，其為3kv高壓二極管，管芯較短，硅疊較薄，在垂直平面翻轉90度后雖然與硅疊接著工裝接著，但仍易傾倒平躺，無法順利切割，加工效率受到很大的影響。
技術實現思路
本專利技術要解決的技術問題是提供一種加工效率高、且準確的二極管硅疊切割工藝，還涉及一種實現該二極管硅疊切割工藝的專用工裝。為解決上述技術問題，本專利技術的技術方案為一種二極管硅疊切割工藝，其創新點在于所述步驟為將硅疊水平置于硅疊接著工裝的玻璃底板表面，并通過石蠟將其與玻璃底板固定實現一次接著；將硅疊接著工裝置于硅片切斷機上，定位后由硅片切斷機沿垂直于娃疊接著工裝兩側玻璃擋板的方向進行一次切割，將娃疊切割成若干排娃片；加熱融化固定硅片的石蠟后，通過專用工裝將硅疊接著工裝上的硅片在水平面方向相對硅疊接著工裝旋轉90° ,再通過石臘二次接著固定在娃疊接著工裝上；將娃疊接著工裝再次置于娃片切斷機上，定位后由硅片切斷機沿垂直于硅疊接著工裝兩側玻璃擋板的方向進行二次切割，將硅片切割成硅粒。一種實現上述二極管硅疊切割工藝的專用工裝，其創新點在于包括一定位框，所述定位框中兩對應的側邊內壁上對稱開有三對槽,具體為兩對擋邊定位槽和一對基準槽，所述兩對擋邊定位槽分別設在所述側邊內壁的端部，一對基準槽設在所述側邊內壁的中心線上；還包括一基準玻璃板，所述基準玻璃板的兩端可嵌入一對基準槽內。本專利技術的優點在于硅疊二次切割時，直接進行硅片的水平旋轉，無需垂直面上翻轉，減少工序，不存在硅片傾倒現象，可縮短切割周期，提高工作效率；并在水平旋轉時利用專用工裝定位，確保硅片與硅疊二次接著時相對一次接著準確旋轉90度，提高產品質量。附圖說明圖I為娃置接著工裝王視圖。圖2為硅疊接著工裝俯視圖。圖3為本專利技術中一次切割后娃置接著工裝俯視圖。圖4為本專利技術中專用工裝中定位框主視圖。圖5為本專利技術中專用工裝中定位框俯視圖。圖6為本專利技術中一次切割后蓋上定位框的硅疊接著工裝示意圖。圖7為本專利技術中硅疊接著工裝上的硅片沿水平面方向旋轉90°并分成左右兩組示意圖。圖8為本專利技術中插入基準玻璃板的定位框及硅疊接著工裝示意圖。圖9為本專利技術中硅片的一次切割面緊貼基準玻璃板的結構示意圖。具體實施例方式本專利技術中硅疊接著工裝為二極管制造企業生產硅粒的常規工藝治具，其如圖1、2所示，包括鋁模座I、玻璃底板2、玻璃擋板3和鎖緊螺栓4。鋁模座I為矩形，其上表面放置一玻璃底板2，鋁模座I與玻璃底板2通過石蠟接著連接，鋁模座I兩側邊開有通槽，玻璃擋板3的下端嵌入通槽內，并通過側壁的鎖緊螺栓4鎖緊固定。在進行二極管硅疊切割時，其具體工藝如下首先將兩層硅疊7水平置于硅疊接著工裝的玻璃底板2上，并通過石蠟將其與玻璃底板2固定實現一次接著。將硅疊接著工裝置于硅片切斷機上，定位后由硅片切斷機進行一次切割，其切割方向為垂直于娃疊接著工裝兩側玻璃擋板3的方向，將娃疊切割成若干排娃片,可參見圖3。然后將硅疊接著工裝置于加熱器上，加熱融化石蠟，通過專用工裝將硅疊接著工裝上的娃片在水平面方向相對娃疊接著工裝旋轉90° ,再次通過石臘二次接著固定在娃疊接著工裝上。上述工藝過程中，專用工裝結構如圖4、5所示，包括一矩形定位框5，定位框5中兩對應的側邊內壁上對稱開有三對沿垂直方向延伸的槽，具體為兩對擋邊定位槽a和一對基準槽b，兩對擋邊定位槽a分別設在該側邊內壁的端部，一對基準槽b設在該側邊內壁的中心線上；還包括一基準玻璃板6(圖4、5中未不出),基準玻璃板6的兩端可嵌入一對基準槽b內。借助專用工裝定位時，如圖6-9所示，首先將硅片整體沿水平面方向相對硅疊接著工裝旋轉約90 °，將定位框5放置在硅疊接著工裝上，定位框5的兩隊擋邊定位槽a分別套在兩側玻璃擋板3的端部，從硅片中部將各排硅片分成左右兩組，將基準玻璃板6的兩端插入基準槽b，再將兩組硅片向中間合攏，使得最靠近基準玻璃板6的硅片一次切割面緊貼基準玻璃板6的兩側面。由于基準玻璃板6與玻璃擋板3平行，硅片的一次切割面緊貼基準玻璃板6，從而確保了硅片準確旋轉90°。另外，為方便旋轉，硅片整體沿水平方向相對硅疊接著工裝旋轉90°時，可以直接旋轉玻璃底板2。 完成90°旋轉后，將硅疊接著工裝再次置于硅片切斷機上，采用一次切割時的原方式定位后，由硅片切斷機沿垂直于硅疊接著工裝兩側玻璃擋板3的方向進行二次切割，從而將硅片切割成硅粒。權利要求1.一種二極管硅疊切割工藝，其特征在于所述步驟為a)將硅疊水平置于硅疊接著工裝的玻璃底板表面，并通過石蠟將其與玻璃底板固定實現一次接著；b)將硅疊接著工裝置于硅片切斷機上，定位后由硅片切斷機沿垂直于硅疊接著工裝兩側玻璃擋板的方向進行一次切割，將娃疊切割成若干排娃片；c)將硅疊接著工裝置于加熱器上，加熱融化石蠟后，通過專用工裝將硅疊接著工裝上的娃片在水平面方向相對娃疊接著工裝旋轉90° ,再通過石臘二次接著固定在娃疊接著工裝上；d)將硅疊接著工裝再次置于硅片切斷機上，采用步驟b)中的方式再次定位后由硅片切斷機沿垂直于硅疊接著工裝兩側玻璃擋板的方向進行二次切割，將硅片切割成硅粒。2.一種實現上述二極管硅疊切割工藝的專用工裝，其特征在于包括一矩形定位框，所述定位框中兩對應的側邊內壁上對稱開有三對垂直方向延伸的槽，具體為兩對擋邊定位槽和一對基準槽，所述兩對擋邊定位槽分別設在所述側邊內壁的端部，一對基準槽設在所述側邊內壁的中心線上；還包括一基準玻璃板，所述基準玻璃板的兩端可嵌入一對基準槽內。全文摘要本專利技術涉及一種二極管硅疊切割工藝及其專用工裝，其創新點在于所述步驟為將硅疊水平置于硅疊接著工裝的玻璃底板上，通過石蠟將其與玻璃底板一次接著；將硅疊接著工裝置于硅片切斷機上，定位后由硅片切斷機沿垂直于硅疊接著工裝兩側玻璃擋板的方向進行一次切割成若干排硅片；加熱融化固定硅片的石蠟后，將硅疊接著工裝上的硅片在水平面方向旋轉90°，再通過石蠟二次接著固定在硅疊接著工裝上；將硅疊接著工裝再次置于硅片切斷機上二次切割，將硅片切割成硅粒。精簡工序，硅片不會出現傾倒的現象，可縮短切割周期，提高工作效率；并在水平旋轉時利用專用工裝定位，確保硅片與硅疊二次接著時相對一次接著準確旋轉90度，提高產品質量。文檔編號B28D5/04GK102941628SQ20121048424公開日2013年2月27日 申請日期本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種二極管硅疊切割工藝，其特征在于所述步驟為：a）將硅疊水平置于硅疊接著工裝的玻璃底板表面，并通過石蠟將其與玻璃底板固定實現一次接著；b）將硅疊接著工裝置于硅片切斷機上，定位后由硅片切斷機沿垂直于硅疊接著工裝兩側玻璃擋板的方向進行一次切割，將硅疊切割成若干排硅片；c）將硅疊接著工裝置于加熱器上，加熱融化石蠟后，通過專用工裝將硅疊接著工裝上的硅片在水平面方向相對硅疊接著工裝旋轉90°，再通過石蠟二次接著固定在硅疊接著工裝上；d）將硅疊接著工裝再次置于硅片切斷機上，采用步驟b)中的方式再次定位后由硅片切斷機沿垂直于硅疊接著工裝兩側玻璃擋板的方向進行二次切割，將硅片切割成硅粒。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：邱德強，陳許平，
申請(專利權)人：南通皋鑫電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：