超電導磁體的線圈電壓檢測電路制造技術

本實用新型專利技術將由串聯連接的2個電阻器(31、32)構成的第1電阻器列(41)在第1點(A)與第2點(B)之間相對于第1線圈(4)并聯連接，并且將由串聯連接的2個電阻器(33、34)構成的第2電阻器列(42)在第1點(A)與第3點(D)之間相對于第1線圈(4)及第2線圈(3)并聯連接。計測器(26)使用第1電阻器列(41)的2個電阻器(31、32)之間的中間點(C)的電壓和第2電阻器列(42)的2個電阻器(33、34)之間的中間點(E)的電壓來檢測第2線圈(3)的電壓。從而能夠不使計測器損壞地檢測各個線圈的電壓。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本設計涉及檢測超電導磁體(超電導7 V彳、7卜)的線圈的電壓的超電導磁體的線圈電壓檢測電路。
技術介紹
在用于高分辨率NMR或MRI的超電導磁體中，在超電導線圈發生失超(quench)(從超電導狀態向常電導狀態的轉移)的情況下，需要保護超電導線圈免于損壞。在專利文獻I中，公開了這樣的超電導磁鐵裝置的失超保護方法在組合有氧化物超電導線超電導線圈和金屬超電導線超電導線圈的高磁場超電導磁鐵裝置中，在金屬超電導線超電導線圈發生失超的同時，使設在氧化物超電導線線圈的外側的加熱器發熱，由 此使氧化物超電導線線圈整體強制地失超，防止向氧化物超電導線線圈的負荷，由此保護氧化物超電導線線圈。專利文獻I :日本特開平11-102808號公報
技術實現思路
然而，如專利文獻I另外公開的那樣，為了防止在發生失超時電力的流入集中于特定的線圈，將電阻或二極管等保護單元與多個線圈的每個并聯相連，進行保護電路構成。這里，考慮這樣的情況如圖2所示，8個線圈I 8與勵磁電源25串聯連接，由分別與4個線圈I 4并聯相連的保護二極管21、22形成保護4個線圈I 4的保護電路，并且，由分別與4個線圈5 8并聯相連的保護二極管23、24形成保護4個線圈5 8的保護電路。在這樣的構成中，在檢測失超電壓的情況下，一般而言，根據Vl和V2檢測4個線圈I 4的電壓，根據V2和V3檢測4個線圈5 6的電壓。在此，Vl是保護二極管21與線圈I的接點的電壓，V2是保護二極管22與線圈4的接點的電壓，V3是保護二極管23與線圈8的接點的電壓。然而，在根據Vl和V2檢測失超電壓的情況下，不能區別是起因于4個線圈I 4中的哪個線圈的失超。在超電導磁體的開發時，如果判明是起因于哪個線圈的失超，則容易采取其對策。因而，判明是起因于哪個線圈的失超非常具有意義。因此，為了計測線圈3的電壓，考慮檢測B點和D點的電壓。假設線圈4失超，則在B點產生約1000V的電壓。還取決于以何處為基準，Vl或V3的接點大多與地連接，于是，大概1000V輸入計測器，存在計測器損壞的情況。而且，還存在著1000V的電壓使途中的布線損壞的風險。本設計的目的在于，提供能夠不使計測器損壞地檢測各個線圈的電壓的超電導磁體的線圈電壓檢測電路。本設計中的超電導磁體的線圈電壓檢測電路，具備將多個線圈與電源串聯連接并將保護單元相對于所述多個線圈并聯連接的電路，其特征在于，在以所述多個線圈中的最接近所述保護單元的線圈作為第I線圈并以之后的線圈按照順序作為第η線圈(η = 2、3、4......)、以連接所述第I線圈和所述保護單元的布線上的任意的點作為第I點、以連接所述第η線圈和第(η-I)線圈的布線上的任意的點作為第η點時，具有第(η_1)電阻器列，在所述第I點與所述第η點之間至少相對于所述第I線圈并聯連接，由串聯連接的2個電阻器構成；第η電阻器列，在所述第I點與第(η+1)點之間相對于所述第I線圈至所述第η線圈并聯連接，由串聯連接的2個電阻器構成；以及計測器，使用所述第(η-I)電阻器列的2個電阻器之間的中間點與所述第I點之間的電壓以及所述第η電阻器列的2個電阻器之間的中間點與所述第I點之間的電壓來檢測所述第η線圈的電壓。依據上述構成，如果第(η-I)電阻器列的2個電阻器的電阻值分別為a、b，則將第(η-I)電阻器列的2個電阻器之間的中間點的電壓相對于第I點壓縮至第η點的電壓的a/(a+b)。同樣，如果第η電阻器列的2個電阻器的電阻值分別為c、d，則將第η電阻器列的2個電阻器之間的中間點的電壓相對于第I點壓縮至第(η+1)點的電壓的c/(c+d)。因而， 能夠不使計測器損壞地計測第(η-I)電阻器列的2個電阻器之間的中間點與第I點之間的電壓以及第η電阻器列的2個電阻器之間的中間點與第I點之間的電壓。而且，通過使用2個電壓，能夠檢測第η線圈的電壓。由此，能夠不使計測器損壞地檢測各個線圈的電壓。另外，在本設計中的超電導磁體的線圈電壓檢測電路中，可以是以所述第η點的電壓作為輸入電壓并以所述第(η-I)電阻器列的2個電阻器之間的中間點的電壓作為輸出電壓的分壓電路的分壓比率與以所述第(η+1)點的電壓作為輸入電壓并以所述第η電阻器列的2個電阻器之間的中間點的電壓作為輸出電壓的分壓電路的分壓比率相同，所述計測器根據所述第(η-I)電阻器列的2個電阻器之間的中間點與所述第I點之間的電壓和所述第η電阻器列的2個電阻器之間的中間點與所述第I點之間的電壓的差，檢測所述第η線圈的電壓。依據上述構成，如果使2個分壓電路的分壓比率相同，則在將第(η-I)電阻器列的2個電阻器之間的中間點的電壓相對于第I點壓縮至第η點的電壓的e/(e+f)的情況下，將第η電阻器列的2個電阻器之間的中間點的電壓相對于第I點壓縮至第(η+1)點的電壓的e/(e+f)0由此，能夠根據第(η-I)電阻器列的2個電阻器之間的中間點與第I點之間的電壓和第η電阻器列的2個電阻器之間的中間點與第I點之間的電壓的差，檢測第η線圈的電壓。另外，本設計中的超電導磁體的線圈電壓檢測電路，具備將多個線圈與電源串聯連接并將保護單元相對于所述多個線圈并聯連接的電路，其特征在于，在以所述多個線圈中的最接近所述保護單元的線圈作為第I線圈并以之后的線圈按照順序作為第η線圈(η=2、3、4......)、以連接所述第I線圈和所述保護單元的布線上的任意的點作為第I點、以連接所述第η線圈和第(η-I)線圈的布線上的任意的點作為第η點時，具有第(η_1)電阻器列，在所述第I點與所述第η點之間至少相對于所述第I線圈并聯連接，由串聯連接的2個電阻器構成；第11電阻器列，在所述第I點與第(η+1)點之間相對于所述第I線圈至所述第η線圈并聯連接，由串聯連接的2個電阻器構成；以及計測器，使用所述第(η-I)電阻器列的2個電阻器之間的中間點的電壓和所述第η電阻器列的2個電阻器之間的中間點的電壓來檢測所述第η線圈的電壓。依據上述構成，如果使第(η-I)電阻器列的2個電阻器的電阻值分別為a、b，則將第(η-I)電阻器列的2個電阻器之間的中間點的電壓相對于第I點壓縮至第η點的電壓的a/(a+b)。同樣，如果第η電阻器列的2個電阻器的電阻值分別為C、d，則將第η電阻器列的2個電阻器之間的中間點的電壓相對于第I點壓縮至第(η+1)點的電壓的c/(c+d)。因而，能夠不使計測器損壞地計測第(η-I)電阻器列的2個電阻器之間的中間點的電壓和第η電阻器列的2個電阻器之間的中間點的電壓。而且，通過使用2個電壓，能夠檢測第η線圈的電壓。由此，能夠不使計測器損壞地檢測各個線圈的電壓。另外， 在本設計中的超電導磁體的線圈電壓檢測電路中，可以是以所述第η點的電壓作為輸入電壓并以所述第(η-I)電阻器列的2個電阻器之間的中間點的電壓作為輸出電壓的分壓電路的分壓比率與以所述第(η+1)點的電壓作為輸入電壓并以所述第η電阻器列的2個電阻器之間的中間點的電壓作為輸出電壓的分壓電路的分壓比率相同，所述計測器檢測所述第(η-I)電阻器列的2個電阻器之間的中間點與所述第η電阻器列的2個電阻器之間的中間點之間的電壓作為所述第η線圈的電壓。依據上述構成，如果使2個分壓電路的分壓比率相同，則在將第(η-I)電阻器列的2個電阻器之間的中間點的本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種超電導磁體的線圈電壓檢測電路，具備將多個線圈串聯連接到電源，并將保護單元相對于所述多個線圈并聯連接的電路，其特征在于：在所述多個線圈中以最接近所述保護單元的線圈作為第1線圈并以之后的線圈按照順序作為第n線圈、以連接所述第1線圈和所述保護單元的布線上的任意的點作為第1點、以連接所述第n線圈和第n？1線圈的布線上的任意的點作為第n點時，其中，滿足n＝2、3、4......，所述超電導磁體的線圈電壓檢測電路，具有：第n？1電阻器列，其在所述第1點與所述第n點之間相對至少所述第1線圈并聯連接，該第n？1電阻器列由串聯連接的2個電阻器構成；第n電阻器列，其在所述第1點與第n+1點之間相對于所述第1線圈至所述第n線圈并聯連接，該第n電阻器列由串聯連接的2個電阻器構成；以及計測器，使用所述第n？1電阻器列的2個電阻器之間的中間點與所述第1點之間的電壓、和所述第n電阻器列的2個電阻器之間的中間點與所述第1點之間的電壓，檢測所述第n線圈的電壓。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：永浜恭秀，
申請(專利權)人：日本超導體技術公司，
類型：實用新型
國別省市：