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    鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置制造方法及圖紙

    技術編號:8343609 閱讀:488 留言:0更新日期:2013-02-16 22:11
    本實用新型專利技術公開了一種鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置。該鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置由1.2V鎳鎘充電電池、反激式間歇振蕩電路、放電負載電路組成。鎳鎘充電電池在使用中如果放電不夠徹底,就會產(chǎn)生記憶效應,記憶效應經(jīng)過長期積累就會使鎳鎘充電電池無法使用。采用本實用新型專利技術所述的鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置,能夠使鎳鎘充電電池完全放電,而且不會發(fā)生鎳鎘充電電池過放電的風險,而使鎳鎘充電電池的極性反轉(zhuǎn)。本實用新型專利技術設計的消除記憶效應的放電電路可使鎳鎘充電電池放電放到0.7V,既保證了鎳鎘充電電池的正確放電,也不會發(fā)生電池極性反轉(zhuǎn)現(xiàn)象,對鎳鎘充電電池性能“早衰”或者性能低下的均有一定修復作用,使其延遲了使用壽命。(*該技術在2022年保護過期,可自由使用*)

    【技術實現(xiàn)步驟摘要】

    本技術屬于電子與充電電池放電
    ,涉及一種鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置
    技術介紹
    鎳鎘充電電池如果在使用過程中放電不夠徹底,就會產(chǎn)生記憶效應,造成充電一次,原有電量就會減少一點,記憶效應經(jīng)過長期積累就會使鎳鎘充電電池無法使用。要消除鎳鎘充電電池這種記憶效應,可采用本技術所述的鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置,使鎳鎘充電電池能夠完全放電。但是,如果不采取特別的放電措施,鎳鎘充電電池會有過放電的風險,有可能使鎳鎘充電電池的極性發(fā)生反轉(zhuǎn)。本技術設計的消除記憶效應的放電電路可使鎳鎘充電電池放電放到O. 7V,這樣既保證了鎳鎘充電電池的正確放電,也不會發(fā)生鎳鎘充電電池極性反轉(zhuǎn)的現(xiàn)象,可對鎳鎘充電電池性能“早衰”或者性能低下的均有一 定修復作用,使其延遲了使用壽命。以下詳細說明本技術所述的鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置在實施過程中所涉及的
    技術實現(xiàn)思路

    技術實現(xiàn)思路
    專利技術目的及有益效果鎳鎘充電電池在使用中如果放電不夠徹底,就會產(chǎn)生記憶效應,記憶效應經(jīng)過長期積累就會使鎳鎘充電電池無法使用,采用本技術所述的鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置,可使鎳鎘充電電池能夠完全放電。而且不會發(fā)生鎳鎘充電電池過放電的風險,而使鎳鎘充電電池的極性反轉(zhuǎn)。本技術設計的消除記憶效應的放電電路可使鎳鎘充電電池放電放到O. 7V,既保證了鎳鎘充電電池的正確放電,也不會發(fā)生電池極性反轉(zhuǎn)現(xiàn)象,對鎳鎘充電電池性能“早衰”或者性能低下的均有一定修復作用,使其延遲了使用壽命。電路工作原理鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置的電路在接通I. 2V鎳鎘充電電池后,鎳鎘充電電池經(jīng)過電阻Rl和高頻變壓器T的LI繞組使NPN型晶體管VTl的基極一發(fā)射極通電,NPN型晶體管VTl因高頻變壓器T繞組的正反饋作用而很快導通,在NPN型晶體管VTl導通后趨于穩(wěn)態(tài),這時高頻變壓器T兩個繞組的交流阻抗消失,直流電阻幾乎為0,這時NPN型晶體管VTl的集電極一發(fā)射極之間電壓很低,不能使發(fā)光二極管LEDl LED2發(fā)光。NPN型晶體管VTl的基極電壓低于NPN型晶體管導通門限電壓O. 7V時,于是使NPN型晶體管VTl截止。NPN型晶體管VTl截止的瞬間,因高頻變壓器T的L2繞組中的儲能與鎳鎘充電電池電壓相加而使發(fā)光二極管LEDl LED2發(fā)光。在發(fā)光二極管LEDl LED2發(fā)光期間,高頻變壓器T的LI繞組又有電流流過,使NPN型晶體管VTl再次因高頻變壓器T的正反饋導通,如此周而復始產(chǎn)生間歇振蕩,振蕩頻率約在1kHz。在反激式間歇振蕩電路間歇振蕩期間,NPN型晶體管VTl導通時高頻變壓器T的L2繞組積蓄電能,這時發(fā)光二極管LEDl LED2不發(fā)光。當NPN型晶體管VTl截止時,高頻變壓器T的L2繞組儲能與鎳鎘充電電池電壓串聯(lián)使發(fā)光二極管LEDI LED2發(fā)光,鎳鎘充電電池得以間歇放電,隨著鎳鎘電池放電其電壓也逐漸減小。當鎳鎘充電電池電壓放電電壓低于NPN型晶體管導通門限電壓O.7V時,發(fā)光二極管LEDl LED2將不再發(fā)光,鎳鎘充電電池放電過程結(jié)束。技術方案鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置,它由I. 2V鎳鎘充電電池、反激式間歇振蕩電路、放電負載電路組成,其特征包括反激式間歇振蕩電路由NPN型晶體管VTI、電阻Rl和高頻變壓器T組成,NPN型晶體管VTl的基極接高頻變壓器T的LI繞組同名端,高頻變壓器T的LI繞組異名端通過電阻Rl接電路正極VCC,NPN型晶體管VTl的集電極接高頻變壓器T的L2繞組異名端,高頻變壓器T的L2繞組同名端接電路正極VCC,NPN型晶體管VTl的發(fā)射極接電路地GND ;放電負載電路由發(fā)光二極管LEDl和發(fā)光二極管LED2組成,發(fā)光二極管LEDl和發(fā)光二極管LED2的正極接NPN型晶體管VTl的集電極,發(fā)光二極管LEDl的負極和發(fā)光二 極管LED2的負極接電路地GND。I. 2V鎳鎘充電電池的正極接電路正極VCC,I. 2V鎳鎘充電電池的負極與電路地GND相連。附圖說明附圖I是鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置在實施例中所用的電路工作原理圖。具體實施方式按照附圖I所示鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置的電路工作原理圖和附圖說明,并且按照
    技術實現(xiàn)思路
    所述的各部分電路中元器件之間的連接關系,以及實施方式中所述的元器件技術參數(shù)要求進行實施即可實現(xiàn)本技術。元器件名稱及主要技術參數(shù)高頻變壓器T的制作選用Φ 8 “工”型高頻磁芯,LI繞組使用Φ O. 21mm (36號)漆包線分層平繞30圈,L2繞組用Φ O. 21mm漆包線分層平繞15圈,注意標識各繞組同名端,繞組之間須墊用絕緣材料;VTl為NPN型晶體管,選用的型號為2SC9013 (或BC547),要求β彡160 ;電阻Rl的阻值為150 Ω ;LED1、LED2為發(fā)光二極管,可選用兩只直徑為$ 5紅色發(fā)光二極管。電路制作要點及電路調(diào)試因鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置的電路結(jié)構非常簡單、制作比較容易,一般情況下只要使用的元器件性能完好,元器件的物理連接正確無誤,電路不需要進行任何調(diào)試即可正常工作;在電路接通I. 2V鎳鎘充電電池后,發(fā)光二極管LEDl和發(fā)光二極管LED2沒有被點亮,說明反激式間歇振蕩電路沒有起振,可以將高頻變壓器T的L2繞組兩端對調(diào)一下即可;為縮短鎳鎘充電電池的放電時間,可在發(fā)光二極管LEDl LED2兩端并聯(lián)幾只型號相同的發(fā)光二極管,以加大放電負載; 如果鎳鎘充電電池放電后的仍然有一定的電量,可用本裝置對鎳鎘充電電池再進行一次放電;經(jīng)過這種方法放電處理,鎳鎘充電電池記憶效應可以徹底消除,可以使鎳鎘充電電池恢復原來的容量。本文檔來自技高網(wǎng)
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    【技術保護點】
    一種鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置,它由1.2V鎳鎘充電電池、反激式間歇振蕩電路、放電負載電路組成,其特征包括:反激式間歇振蕩電路由NPN型晶體管VT1、電阻R1和高頻變壓器T組成,NPN型晶體管VT1的基極接高頻變壓器T的L1繞組的同名端,高頻變壓器T的L1繞組異名端通過電阻R1接電路正極VCC,?NPN型晶體管VT1的集電極接高頻變壓器T的L2繞組異名端,高頻變壓器T的L2繞組同名端接電路正極VCC,NPN型晶體管VT1的發(fā)射極接電路地GND;放電負載電路由發(fā)光二極管LED1和發(fā)光二極管LED2組成,發(fā)光二極管LED1和發(fā)光二極管LED2的正極接NPN型晶體管VT1的集電極,發(fā)光二極管LED1的負極和發(fā)光二極管LED2的負極接電路地GND。

    【技術特征摘要】
    1.一種鎳鎘充電電池記憶效應消除裝置,它由I. 2V鎳鎘充電電池、反激式間歇振蕩電路、放電負載電路組成,其特征包括 反激式間歇振蕩電路由NPN型晶體管VTI、電阻Rl和高頻變壓器T組成,NPN型晶體管VTl的基極接高頻變壓器T的LI繞組的同名端,高頻變壓器T的LI繞組異名端通過電阻Rl接電路正極VCC,NPN型晶體管VTl的集電極接高頻變壓器T的L2繞組異名端,高頻變壓器T的L2繞組同名端接電路正極VC...

    【專利技術屬性】
    技術研發(fā)人員:黃宇嵩
    申請(專利權)人:黃宇嵩
    類型:實用新型
    國別省市:

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