【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及具備多個高頻功率發生單元的高頻加熱裝置,該高頻功率發生單元具有使用半導體元件的放大器。
技術介紹
在以往的微波爐等高頻加熱裝置中,作為大功率的高頻發生器件而使用磁控管。最近,研究了取代磁控管而使用振蕩器和由半導體元件構成的放大器的微波爐(專利文獻1)。專利文獻1所記載的微波爐具有產生高頻的振蕩器。從該振蕩器發生的高頻被由半導體元件構成的放大器放大。并且,放大的高頻從配置于加熱室內的多個平面天線向被加熱物照射。此外,在照射的高頻中,由被加熱物反射的反射波被各平面天線接收,接收的反射波被接收電路檢測到。并且,在專利文獻1所記載的微波爐中,具備能夠使高頻的相位變化的相位變換電路,使用相位變換電路對高頻的相位進行控制。由此,能夠對反射波進行控制,以比較好的狀態對被加熱物進行加熱。在先技術文獻專利文獻專利文獻1:日本特開2000-357583號公報專利技術的概要專利技術所要解決的課題在專利文獻1所記載的微波爐中,由于長期使用導致的劣化,有時從多個平面天線中的一部分平面天線不再照射高頻。此外,為了減小照射的高頻功率,想到設定為對多個平面天線中的一部分天線不照射高頻。但是,在這種情況下,在專利文獻1所記載的微波爐中,關于如何設定從剩余平面天線照射的高頻的相位,并沒有任何公開。
技術實現思路
本專利技術的目的在于,提供一種高頻加熱裝置,具備多個高頻功率發生 ...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2011.04.19 JP 2011-0926391.一種高頻加熱裝置,具備:
加熱室,容納被加熱物;
多個高頻功率發生單元,向所述加熱室內放射高頻;以及
控制部,從能夠對所述多個高頻功率發生單元分別設定的頻率或相位
的值中,選擇在所述多個高頻功率發生單元的僅一部分放射所述高頻時適
合的頻率或相位的值,按照選擇的所述頻率或相位的值,使所述多個高頻
功率發生單元的所述僅一部分放射所述高頻。
2.如權利要求1所述的高頻加熱裝置,
具備輸入部,輸入預先決定的指示,
所述控制部,在輸入了該預先決定的指示的情況下,按照適于所述僅
一部分放射所述高頻時的、所選擇的所述頻率或相位的值,使所述多個高
頻功率發生單元的所述僅一部分放射所述高頻。
3.如權利要求2所述的高頻加熱裝置,
還具備存儲部,存儲多個算法,該多個算法包括:決定在使所述多個
高頻功率發生單元的全部放射所述高頻而對所述被加熱物進行加熱時適合
的頻率或相位的值的算法;以及決定在使所述多個高頻功率發生單元的所
述僅一部分放射所述高頻而進行加熱時適合的頻率或相位的值的算法;
所述控制部從存儲的所述多個算法中選擇規定的算法,選擇由所選擇
的所述算法決定的頻率或相位的值,按照選擇的所述頻率或相位的值,使
所述多個高頻功率發生單元的全部或所述僅一部分放射所述高頻。
4.如權利要求3所述的高頻加熱裝置,
所述輸入部是由用戶指定從所述多個高頻功率發生單元向所述加熱室
內放射的高頻的功率的輸入部,
所述控制部執行所存儲的多個所述算法中的、對應于與指定的所述功
率對應的個數的高頻功率發生單元的所述算法,選擇由所述算法決定的加
\t熱效率最高的所述高頻功率發生單元的組合和各個所述高頻功率發生單元
的頻率或相位的值,按照選擇的所述高頻功率發生單元和所述頻率或相位
的值,使選擇的所述組合的高頻功率發生單元放射所述高頻。
5.如權利要求3所述的高頻加熱裝置,
所述輸入部是由用戶指定節能模式的輸入部,
所述控制部在指定了所述節能模式的情況下,執行所存儲的所述多個
算法的每一個,選擇由所述算法決定的加熱效率最高的所述高頻功率發生
單元的組合和各個所述高頻功率發生單元的頻率或相位的值,按照所述頻
率或相位的值,使選擇的所述組合的高頻功率發生單元放射所述高頻。
6.如權利要求3所述的高頻加熱裝置,
所述輸入部是由用戶指定加熱時間的輸入部,
所述控制部執行所存儲的所述多個算法的每一個,根據由各個所述算
法決定的最高的加熱效率和加熱功率進行逆向運算,選擇所述高頻功率發
生單元的組合和各個所述高頻功率發生單元的頻率或相位的值,以在指定
的所述加熱時間內完成加熱處理,按照所述頻率或相位的值,使選擇的所
述組合的高頻功率發生單元放射所述高頻。
7.如權利要求1所述的高頻加熱...
【專利技術屬性】
技術研發人員:夘野高史,八幡和宏,岡島利幸,
申請(專利權)人:松下電器產業株式會社,
類型:
國別省市:
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