一種光學平面基片的制作方法技術

本發明專利技術屬于光學儀器及配件技術領域，尤其是涉及一種光學平面基片的制作方法；其特征在于它包含有依次進行的以下步驟：選取原材料、預成型、仿形、研磨、拋光、清洗、檢驗。本發明專利技術采用物理與化學結合的方式制作光學平面基片，工序大部分采用機器進行，人工參與的很少；因此，本發明專利技術具有以下有益效果：光學平面基片制作時間短、產品間的差異小、適合于工業大規模應用、效率高，所制作的平面基片平面度、平行度、粗糙度參數好。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術屬于光學儀器及配件
，尤其是涉及一種光學平面基片的制作方 法。
技術介紹
隨著科學技術的進步，光學儀器使用日益增多，而光學儀器中通常會使用到平面基片，平面基片在我們的四周處處可以看到，如⑶、HD、LD、V⑶、DVD、⑶-ROM和CVD等光盤基片；手機面板、MP3面板、攝像頭玻片、精密儀表面板等等，都屬于平面基片；現有技術中，平面基片的制作采用手工的較多，因此，制作時間長、產品間的差異大、效率低下，所制作的平面基片平面度、平行度、粗糙度相對較差；然而，社會對于這類產品的需求增長是相當驚人的，因此，現有技術已不能滿足要求。
技術實現思路
為了解決上述問題，本專利技術的目的是提供，它可大大提高生產效率，它是采用以下技術方案來實現的，其特征在于它包含有依次進行的以下步驟第I步選取原材料選取厚度為O. Imm I. Omm的基片母板；第2步預成型采用劃片機在基片母板上劃下所需大小的基片毛坯；第3步仿形采用芯取機，對基片毛坯進行芯取達到預期輪廓的芯取片；第4步研磨采用球面研磨機或雙面研磨機將芯取片進行研磨，研磨是在百級潔凈室內進行的，溫度為20°C 28°C ;研磨是在研磨油中進行的，研磨完成形成研磨片；第5步拋光采用環拋機對研磨片的表面進行拋光；拋光是在拋光液中進行的，拋光時間為3分鐘到10分鐘，拋光溫度為32°C 40°C，拋光壓力150 250g/cm2 ;拋光完成形成拋光片；第6步清洗采用超聲波清洗機對拋光片進行清洗，清洗并干燥完成得到清洗片;第7步檢驗對清洗片進行粗糙度、平行度、平面度、厚度、表面裂紋、透光度檢驗，挑選出全部合格的即形成了光學平面基片。，其特征在于它包含有依次進行的以下步驟第I步選取原材料選取厚度為O. Imm I. Omm的基片母板；第2步預成型采用劃片機在基片母板上劃下所需大小的基片毛坯；第3步仿形采用芯取機，對基片毛坯進行芯取達到預期輪廓的芯取片；第4步研磨采用球面研磨機或雙面研磨機將芯取片進行研磨，研磨是在百級潔凈室內進行的，溫度為20°C 28°C ;研磨是在研磨油中進行的，研磨完成形成研磨片；第5步拋光采用環拋機對研磨片的表面進行拋光；拋光是在拋光液中進行的，拋光時間為3分鐘到10分鐘，拋光溫度為32°C 40°C，拋光壓力150 250g/cm2 ;拋光完成形成拋光片；第6步清洗采用超聲波清洗機對拋光片進行清洗，清洗并干燥完成得到清洗片;第7步貼膜在清洗片表面貼上透光薄膜形成了貼膜基片；第8步檢驗對貼膜基片進行粗糙度、平行度、平面度、厚度、表面裂紋、透光度檢驗，挑選出全部合格的即形成了光學平面基片。上述所述的光學平面基片的制作方法，其特征在于所述拋光液具有以下成份二氧化硅15% 40% (重量)；氧化鈉彡0.3% (重量)；重金屬及雜質彡40ppb ;純凈水二氧化硅、氧化鈉、重金屬及雜質三者重量之和的I 20倍；所述拋光液的密度為I. lg/ml I. 2g/ml。上述所述的光學平面基片的制作方法，其特征在于所述拋光液中的重金屬為銅。上述所述的光學平面基片的制作方法，其特征在于所述研磨油中按重量計包含有以下成份硼酸鹽10% 30%、多元醇5% 20%、陰離子表面活性劑5% 15%、潤滑劑5% 10%、防銹劑5% 10%、去離子水或純凈水15 60%、氧化鈉5% 10%。上述所述的光學平面基片的制作方法，其特征在于所述多元醇為乙二醇或甘油或山梨醇；所述陰離子表面活性劑為羧酸鹽或硫酸酯鹽或磺酸鹽或磷酸酯鹽；所述潤滑劑為如硅油或硅酸酯或磷酸酯或氟油；所述防銹劑為市售的YG-901型防銹劑。本專利技術采用物理與化學結合的方式制作光學平面基片，工序大部分采用機器進行，人工參與的很少；因此，本專利技術具有以下有益效果光學平面基片制作時間短、產品間的差異小、適合于工業大規模應用、效率高，所制作的平面基片平面度、平行度、粗糙度參數好。附圖說明圖I是本專利技術實施實例I的原理框圖；圖2是本專利技術實施實例2的原理框圖。具體實施例方式下面結合附圖對本專利技術作進一步詳細的描述。實施實例I請見圖1，，其特征在于它包含有依次進行的以下步驟第10步選取原材料選取厚度為O. Imm I. Omm的基片母板；第20步預成型采用劃片機在基片母板上劃下所需大小的基片毛坯；第30步仿形采用芯取機，對基片毛坯進行芯取達到預期輪廓的芯取片；第40步研磨采用球面研磨機或雙面研磨機將芯取片進行研磨，研磨是在百級潔凈室內進行的，溫度為20°C 28°C ;研磨是在研磨油中進行的，研磨完成形成研磨片；第50步拋光采用環拋機對研磨片的表面進行拋光；拋光是在拋光液中進行的，拋光時間為3分鐘到10分鐘，拋光溫度為32°C 40°C，拋光壓力150 250g/cm2 ;拋光完·成形成拋光片；第60步清洗采用超聲波清洗機對拋光片進行清洗，清洗并干燥完成得到清洗片;第70步檢驗對清洗片進行粗糙度、平行度、平面度、厚度、表面裂紋、透光度檢驗，挑選出全部合格的即形成了光學平面基片。實施實例2請見圖2，，其特征在于它包含有依次進行的以下步驟·第10步選取原材料選取厚度為O. Imm I. Omm的基片母板；第20步預成型采用劃片機在基片母板上劃下所需大小的基片毛坯；第30步仿形采用芯取機，對基片毛坯進行芯取達到預期輪廓的芯取片；第40步研磨采用球面研磨機或雙面研磨機將芯取片進行研磨，研磨是在百級潔凈室內進行的，溫度為20°C 28°C ;研磨是在研磨油中進行的，研磨完成形成研磨片；第50步拋光采用環拋機對研磨片的表面進行拋光；拋光是在拋光液中進行的，拋光時間為3分鐘到10分鐘，拋光溫度為32°C 40°C，拋光壓力150 250g/cm2 ;拋光完成形成拋光片；第60步清洗采用超聲波清洗機對拋光片進行清洗，清洗并干燥完成得到清洗片;第70步貼膜在清洗片表面貼上透光薄膜形成了貼膜基片；第80步檢驗對貼膜基片進行粗糙度、平行度、平面度、厚度、表面裂紋、透光度檢驗，挑選出全部合格的即形成了光學平面基片。當然，上述所述的任，其特征在于所述拋光液具有以下成份二氧化硅15% 40% (重量)；氧化鈉彡0.3% (重量)；重金屬及雜質彡40ppb ;純凈水二氧化硅、氧化鈉、重金屬及雜質三者重量之和的I 20倍；所述拋光液的密度為I. lg/ml I. 2g/ml。進一步地，上述所述的光學平面基片的制作方法，其特征在于所述拋光液中的重金屬為銅。當然，上述所述的任，其特征在于所述研磨油中按重量計包含有以下成份硼酸鹽10% 30%、多元醇5% 20%、陰離子表面活性劑5% 15%、潤滑劑5% 10%、防銹劑5% 10%、去離子水或純凈水15 60%、氧化鈉5% 10%。進一步地，上述所述的光學平面基片的制作方法，其特征在于所述多元醇為乙二醇或甘油或山梨醇；所述陰離子表面活性劑為羧酸鹽或硫酸酯鹽或磺酸鹽或磷酸酯鹽；所述潤滑劑為如硅油或硅酸酯或磷酸酯或氟油；所述防銹劑為市售的YG-901型防銹劑。本專利技術采用物理與化學結合的方式制作光學平面基片，工序大部分采用機器進行，人工參與的很少；因此，本專利技術具有以下有益效果光學平面基片制作時間短、產品間的差異小、適合于工業大規模應用、效率高，所制作的平面基片平面度、平行度、粗糙度參數好。本專利技術不局限于上述最佳實施方式，應當本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種光學平面基片的制作方法，其特征在于它包含有依次進行的以下步驟：第一步：選取原材料：選取厚度為0.1mm～1.0mm的基片母板；第二步：預成型：采用劃片機在基片母板上劃下所需大小的基片毛坯；第三步：仿形：采用芯取機，對基片毛坯進行芯取達到預期輪廓的芯取片；第四步：研磨：采用球面研磨機或雙面研磨機將芯取片進行研磨，研磨是在百級潔凈室內進行的，溫度為20℃～28℃；研磨是在研磨油中進行的，研磨完成形成研磨片；第五步：拋光：采用環拋機對研磨片的表面進行拋光；拋光是在拋光液中進行的，拋光時間為3分鐘到10分鐘，拋光溫度為32℃～40℃，拋光壓力150～250g/cm2；拋光完成形成拋光片；第六步：清洗：采用超聲波清洗機對拋光片進行清洗，清洗并干燥完成得到清洗片；第七步：檢驗：對清洗片進行粗糙度、平行度、平面度、厚度、表面裂紋、透光度檢驗，挑選出全部合格的即形成了光學平面基片。

【技術特征摘要】
1.一種光學平面基片的制作方法，其特征在于它包含有依次進行的以下步驟 第一步選取原材料選取厚度為O. Imm I. Omm的基片母板； 第二步預成型采用劃片機在基片母板上劃下所需大小的基片毛坯； 第三步仿形采用芯取機，對基片毛坯進行芯取達到預期輪廓的芯取片； 第四步研磨采用球面研磨機或雙面研磨機將芯取片進行研磨，研磨是在百級潔凈室內進行的，溫度為20°C 28°C ;研磨是在研磨油中進行的，研磨完成形成研磨片； 第五步拋光采用環拋機對研磨片的表面進行拋光；拋光是在拋光液中進行的，拋光時間為3分鐘到10分鐘，拋光溫度為32°C 40°C，拋光壓力150 250g/cm2 ;拋光完成形成拋光片； 第六步清洗采用超聲波清洗機對拋光片進行清洗，清洗并干燥完成得到清洗片；第七步檢驗對清洗片進行粗糙度、平行度、平面度、厚度、表面裂紋、透光度檢驗，挑選出全部合格的即形成了光學平面基片。2.一種光學平面基片的制作方法，其特征在于它包含有依次進行的以下步驟 第一步選取原材料選取厚度為O. Imm I. Omm的基片母板； 第二步預成型采用劃片機在基片母板上劃下所需大小的基片毛坯； 第三步仿形采用芯取機，對基片毛坯進行芯取達到預期輪廓的芯取片； 第四步研磨采用球面研磨機或雙面研磨機將芯取片進行研磨，研磨是在百級潔凈室內進行的，溫度為20°C 28°C ;研磨是在研磨油中進行的，研磨完成形成研磨片； 第五步拋光采用環拋機對研磨片的表面進行拋光；拋光是在拋光液中進...

【專利技術屬性】
技術研發人員：方亞琴，蔣菊生，
申請(專利權)人：蔣菊生，
類型：發明
國別省市：