本發(fā)明專利技術(shù)提供一種發(fā)光效率、驅(qū)動(dòng)電壓、耐久壽命均得到改善的有機(jī)薄膜發(fā)光元件。該發(fā)光元件在陽極和陰極之間至少存在空穴輸送層和電子輸送層，通過電能發(fā)光，其特征在于，該發(fā)光元件的空穴輸送層含有下述通式(1)表示的化合物，電子輸送層含有施主性化合物，該施主性化合物為堿金屬、含有堿金屬的無機(jī)鹽、堿金屬與有機(jī)物的絡(luò)合物、堿土金屬、含有堿土金屬的無機(jī)鹽或者堿土金屬與有機(jī)物的絡(luò)合物。(R1～R20為選自氫、氘、烷基、環(huán)烷基、氨基、芳基、雜環(huán)基、雜芳基、鏈烯基、環(huán)烯基、炔基、烷氧基、烷基硫基、芳醚基、芳基硫醚基、鹵素、氰基、-P(＝O)R24R25以及甲硅烷基中的基團(tuán)。R24以及R25分別為芳基或者雜芳基。上述取代基可以進(jìn)一步被取代，相鄰取代基之間也可以進(jìn)一步形成環(huán)。R21～R23可以分別相同也可以不同，為選自烷基、環(huán)烷基、芳基、或者雜芳基中的基團(tuán)。上述取代基可以進(jìn)一步被取代。)
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及一種發(fā)光元件，所述發(fā)光元件能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為光，可以用于顯示元件、平板顯示器、背光燈、照明、內(nèi)部裝飾(interior)、標(biāo)識(shí)、廣告牌、電子照相機(jī)以及光信號(hào)發(fā)生器等領(lǐng)域。
技術(shù)介紹
近年來有機(jī)薄膜發(fā)光元件的研究較活躍，所述有機(jī)薄膜發(fā)光元件在從陰極注入的電子與從陽極注入的空穴于被兩極夾持的有機(jī)熒光體內(nèi)再次結(jié)合時(shí)發(fā)光。該發(fā)光元件的特 征在于，厚度較薄且在低驅(qū)動(dòng)電壓下高亮度發(fā)光，并且通過選擇熒光材料可以發(fā)出多色光，因而備受關(guān)注。自從Kodak公司的C. ff. Tang等指出有機(jī)薄膜元件高亮度地發(fā)光以來，很多研究機(jī)構(gòu)正進(jìn)行該研究。Kodak公司的研究小組提出的有機(jī)薄膜發(fā)光元件的代表性結(jié)構(gòu)是，在ITO玻璃基板上依次設(shè)置空穴輸送性二胺化合物、作為發(fā)光層的8-羥基喹啉鋁、以及作為陰極的Mg:Ag，在IOV左右的驅(qū)動(dòng)電壓下可以發(fā)出1，000cd/m2的綠色光(例如，參見非專利文獻(xiàn)I)。之后，進(jìn)行了大量的實(shí)用化探討，結(jié)果有機(jī)薄膜發(fā)光元件被用于移動(dòng)電話的主顯示器等，切實(shí)地推進(jìn)了實(shí)用化。但是，依然還存在很多技術(shù)課題，其中，同時(shí)實(shí)現(xiàn)元件的低電壓化和長(zhǎng)壽命化為重大課題之一。元件的驅(qū)動(dòng)電壓主要受載體輸送材料控制，該載體輸送材料將載體、即空穴或電子輸送至發(fā)光層。其中作為輸送空穴的材料(空穴輸送材料)已知有具有咔唑骨架的材料。(專利文獻(xiàn)I 6)另外，從電子輸送的觀點(diǎn)考慮，作為使兀件低電壓化的技術(shù)之一，公開了在用作電子輸送層的材料中摻雜堿金屬的技術(shù)(參見專利文獻(xiàn)7 11)。專利文獻(xiàn)I :日本特開平8-3547號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開平9-249876號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 :日本特開平11-144876號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 :日本特開2008-294161號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5 :日本特開2003-133075號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6 :韓國(guó)專利公開2009-28943號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)7 :日本特開2000-348864號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)8 :日本特開2004-277377號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)9 :日本特開2003-347060號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)10 :日本特開2002-352961號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)11 :日本特開2004-2297號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)I :Applied Physics Letters (美國(guó))，1987 年,51 卷，12 號(hào),913 頁
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
但是，僅僅使用專利文獻(xiàn)I 6那樣的材料，元件的發(fā)光效率、驅(qū)動(dòng)電壓、耐久壽命并不充分。另外，雖然專利文獻(xiàn)7 11所述的技術(shù)確實(shí)對(duì)元件的低電壓化有效，但是發(fā)光效率、耐久壽命還是不充分。如上所述，尚未發(fā)現(xiàn)能低電壓驅(qū)動(dòng)、并且也同時(shí)實(shí)現(xiàn)耐久壽命的技術(shù)。本專利技術(shù)的目的在于解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的問題，提供一種能夠使發(fā)光效率、驅(qū)動(dòng)電壓、耐久壽命全部得到改善的有機(jī)薄膜發(fā)光元件。一種發(fā)光元件，所述發(fā)光元件在陽極和陰極之間至少存在空穴輸送層和電子輸送層，通過電能發(fā)光，其特征在于，該發(fā)光元件的空穴輸送層含有下述通式(I)表示的化合物，并且電子輸送層含有施主性化合物，施主性化合物為堿金屬、含有堿金屬的無機(jī)鹽、堿 金屬與有機(jī)物的絡(luò)合物、堿土金屬、含有堿土金屬的無機(jī)鹽或者堿土金屬與有機(jī)物的絡(luò)合物。權(quán)利要求1.一種發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光元件在陽極和陰極之間至少存在空穴輸送層和電子輸送層，通過電能發(fā)光，所述發(fā)光元件的空穴輸送層含有下述通式(I)表示的化合物，電子輸送層含有施主性化合物，所述施主性化合物為堿金屬、含有堿金屬的無機(jī)鹽、堿金屬與有機(jī)物的絡(luò)合物、堿土金屬、含有堿土金屬的無機(jī)鹽、或者堿土金屬與有機(jī)物的絡(luò)合物，2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光元件，其中，在所述空穴輸送層和陽極之間存在空穴注入層，空穴注入層僅由受主性化合物構(gòu)成、或者含有受主性化合物。3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件，其中，受主性化合物為金屬氧化物或者含氰基的化合物。4.如權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其中，所述電子輸送層含有菲繞啉衍生物。5.如權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其中，所述電子輸送層含有具有芘骨架或者蒽骨架的化合物。6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中，所述具有芘骨架或者蒽骨架的化合物具有含有電子接受性氮的雜芳基環(huán)結(jié)構(gòu)。全文摘要本專利技術(shù)提供一種發(fā)光效率、驅(qū)動(dòng)電壓、耐久壽命均得到改善的有機(jī)薄膜發(fā)光元件。該發(fā)光元件在陽極和陰極之間至少存在空穴輸送層和電子輸送層，通過電能發(fā)光，其特征在于，該發(fā)光元件的空穴輸送層含有下述通式(1)表示的化合物，電子輸送層含有施主性化合物，該施主性化合物為堿金屬、含有堿金屬的無機(jī)鹽、堿金屬與有機(jī)物的絡(luò)合物、堿土金屬、含有堿土金屬的無機(jī)鹽或者堿土金屬與有機(jī)物的絡(luò)合物。(R1～R20為選自氫、氘、烷基、環(huán)烷基、氨基、芳基、雜環(huán)基、雜芳基、鏈烯基、環(huán)烯基、炔基、烷氧基、烷基硫基、芳醚基、芳基硫醚基、鹵素、氰基、-P(＝O)R24R25以及甲硅烷基中的基團(tuán)。R24以及R25分別為芳基或者雜芳基。上述取代基可以進(jìn)一步被取代，相鄰取代基之間也可以進(jìn)一步形成環(huán)。R21～R23可以分別相同也可以不同，為選自烷基、環(huán)烷基、芳基、或者雜芳基中的基團(tuán)。上述取代基可以進(jìn)一步被取代。)文檔編號(hào)H01L51/50GK102918677SQ20118002690公開日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2011年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月13日專利技術(shù)者田中大作, 松木真一, 富永剛 申請(qǐng)人:東麗株式會(huì)社本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：田中大作，松木真一，富永剛，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：東麗株式會(huì)社，
類型：
國(guó)別省市：
還沒有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。