本發明專利技術提供壓電聲波濾波器和芯片封裝結構,通過在連接壓電聲波濾波器的電感之間引入互感,調節壓電聲波濾波器傳輸零點的位置。本發明專利技術的壓電聲波濾波器包括多個壓電聲波諧振器,以及多個與所述壓電聲波諧振器連接的電感器,在所述電感器中,至少有兩個電感器之間的互感電感值位于區間[0.01nH,1nH]內。在本發明專利技術的芯片封裝結構中,至少有兩個鍵合線或基板走線與電感器的串聯體之間的互感電感值位于區間[0.01nH,1nH]內。采用本發明專利技術的技術方案,還有助于改善濾波器的高頻性能以及節省電感器所占空間。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體集成電路
,特別地涉及壓電聲波濾波器和芯片封裝結構。
技術介紹
壓電聲波濾波器(以下簡稱為“濾波器”)是一種使用廣泛的半導體器件。為了使濾波器在特定的頻段例如ISM頻段、GSM頻段等頻段內對輸入信號有較強的抑制作用,通常會使濾波器在這些頻段內具有傳輸零點。通過選擇濾波器中的電感器的電感值,可以調節 這些傳輸零點對應的頻率點,該動作又可稱作調節濾波器傳輸零點。圖I是根據現有技術中的一種壓電聲波濾波器的電路原理的示意圖。圖I所示的是一種常見的梯形網絡結構,該網絡結構由數個串聯的壓電聲波諧振器(XII、X12、X13)和數個并聯的壓電聲波諧振器(Y11、Y12、Y13)構成。在實際的梯形網絡結構中也可能包含更多的壓電聲波諧振器。使用集成電路制造技術可以將圖I所示的電路制造在一個芯片內,即得到一個濾波芯片。圖I所示的電路原理中還包括若干個電感元件。該電感元件可以是表不濾波芯片內部的電感器。當在遠離濾波器通帶的低頻處放置傳輸零點,從而實現信號抑制時,往往需要電感器(例如圖I中的LU、L12、L13)具有較大的電感值。專利技術人在實現本專利技術的過程中發現,這種較大的電感值會帶來諸多不利因素,如使濾波器的高頻性能變差、電感器占用較大空間等。
技術實現思路
有鑒于此,本專利技術提供了壓電聲波濾波器和芯片封裝結構,以克服上述的不利因素。本專利技術提供的壓電聲波濾波器包括多個壓電聲波諧振器,以及多個與所述壓電聲波諧振器連接的電感器,在所述電感器中,至少有兩個電感器之間的互感電感值位于區間內。可選地,所述電感器的電感值位于區間(0ηΗ,10ηΗ]內。本專利技術提供的一種芯片封裝結構中包含壓電聲波濾波芯片以及封裝基板,所述壓電聲波濾波器包括多個壓電聲波諧振器,以及多個與所述壓電聲波諧振器連接的電感器,所述壓電聲波濾波器與所述封裝基板之間具有多條金屬鍵合線,對于所述電感器與所述金屬鍵合線構成的多個串聯體,至少有兩個串聯體之間的互感電感值位于區間內。可選地,所述電感器的電感值位于區間(0ηΗ,10ηΗ]內。本專利技術提供的另一種芯片封裝結構中包含壓電聲波濾波芯片以及封裝基板,所述壓電聲波濾波器包括多個壓電聲波諧振器,所述壓電聲波濾波器與所述封裝基板之間具有多條金屬鍵合線,所述金屬鍵合線分別與所述封裝基板上的電感器串聯,對于所述電感器與所述金屬鍵合線構成的多個串聯體,至少有兩個串聯體之間的互感電感值位于區間內??蛇x地,所述電感器的電感值位于區間(0nH,10nH]內。本專利技術提供的又一種芯片封裝結構中包含壓電聲波濾波芯片以及封裝基板,所述壓電聲波濾波器包括多個壓電聲波諧振器,以及多個與所述壓電聲波諧振器連接的電感器,所述壓電聲波濾波器焊接在所述封裝基板上,焊接處同時與所述電感器以及所述封裝基板的基板走線連接,對于所述電感器與所述基板走線構成的多個串聯體,至少有兩個串聯體之間的互感電感值位于區間內??蛇x地,所述電感器的電感值位于區間(0ηΗ,10ηΗ]內。本專利技術提供的又一種芯片封裝結構中包含壓電聲波濾波芯片以及封裝基板,所述 壓電聲波濾波器包括多個壓電聲波諧振器,所述壓電聲波濾波器焊接在所述封裝基板上,各個焊接處與所述基板的基板走線連接,各條基板走線分別與所述封裝基板上的電感器串聯,對于所述電感器與所述基板走線構成的多個串聯體,至少有兩個串聯體之間的互感電感值位于區間內。可選地,所述電感器的電感值位于區間(0ηΗ,10ηΗ]內。本專利技術提供的又一種芯片封裝結構中包含壓電聲波濾波芯片以及封裝基板,所述壓電聲波濾波器包括多個壓電聲波諧振器,以及多個與所述壓電聲波諧振器連接的電感器,所述壓電聲波濾波芯片與所述封裝基板之間具有多條金屬鍵合線,所述金屬鍵合線分別與所述封裝基板上的電感器串聯,對于與所述壓電聲波諧振器連接的電感器、所述金屬鍵合線、和所述封裝基板上的電感器依次連接構成的多個串聯體,至少有兩個串聯體之間的互感電感值位于區間內。進一步地,與所述壓電聲波諧振器連接的電感器的電感值位于區間(0ηΗ,10ηΗ]內;并且/或者,所述封裝基板上的電感器的電感值位于區間(0ηΗ,10ηΗ]內。本專利技術提供的又一種芯片封裝結構中包含壓電聲波濾波芯片以及封裝基板,所述壓電聲波濾波器包括多個壓電聲波諧振器,以及多個與所述壓電聲波諧振器連接的電感器,所述壓電聲波濾波芯片焊接在所述封裝基板上,各個焊接處與所述基板的基板走線連接,各條基板走線分別與所述封裝基板上的電感器串聯,對于與所述壓電聲波諧振器連接的電感器、所述基板走線、和所述封裝基板上的電感器依次連接構成的多個串聯體,至少有兩個串聯體之間的互感電感值位于區間內。進一步地,與所述壓電聲波諧振器連接的電感器的電感值位于區間(0ηΗ,10ηΗ]內;并且/或者,所述封裝基板上的電感器的電感值位于區間(0ηΗ,10ηΗ]內。本專利技術提供的又一種芯片封裝結構中包含壓電聲波濾波芯片以及封裝基板,所述壓電聲波濾波器包括多個壓電聲波諧振器,所述壓電聲波濾波器與所述封裝基板之間具有多條金屬鍵合線,至少有兩條所述金屬鍵合線之間的互感電感值位于區間內。本專利技術提供的又一種芯片封裝結構中包含壓電聲波濾波芯片以及封裝基板,所述壓電聲波濾波器包括多個壓電聲波諧振器,所述壓電聲波濾波器焊接在所述封裝基板上,各個焊接處與所述基板的基板走線連接,至少有兩條所述基板走線之間的互感電感值位于區間內。根據本專利技術的技術方案,可以通過在電感之間引入互感的方式設計濾波器的傳輸零點。在利用了上述互感的情況下,對濾波器的信號抑制性能影響不大,但相關的電感器可以選擇較小電感值,有利于獲得較佳的濾波器高頻性能,并且較小電感值的電感器占用的空間也較小,同時也有助于產品研發階段的調試。附圖說明附圖用于更好地理解本專利技術,并不構成對本專利技術的不當限定。其中圖I是根據現有技術中的一種壓電聲波濾波器的電路原理的示意圖;圖2A是與本專利技術實施例有關的濾波器電路中存在互感的一種情形的示意圖;圖2B是與本專利技術實施例有關的濾波器電路中存在互感的另一種情形的示意圖;圖3是根據與本專利技術實施例有關的濾波芯片大體結構的示意圖; 圖4A是根據本專利技術實施例的第一種芯片封裝結構的示意圖;圖4B是根據本專利技術實施例的第二種芯片封裝結構的示意圖;圖4C是根據本專利技術實施例的第三種芯片封裝結構的示意圖;圖5A是根據本專利技術實施例的第四種芯片封裝結構的示意圖;圖5B是根據本專利技術實施例的第五種芯片封裝結構的示意圖;圖5C是根據本專利技術實施例的第六種芯片封裝結構的示意圖;圖6A是根據本專利技術實施例的第七種芯片封裝結構的示意圖;圖6B是根據本專利技術實施例的第八種芯片封裝結構的示意圖;圖7A是與本專利技術實施例有關的濾波器頻率響應的一個示意圖;圖7B是與本專利技術實施例有關的濾波器頻率響應的另一個不意圖。具體實施例方式以下結合附圖對本專利技術的示范性實施例做出說明,其中包括本專利技術實施例的各種細節以助于理解,應當將它們認為僅僅是示范性的。因此,本領域普通技術人員應當認識至IJ,可以對這里描述的實施例做出各種改變和修改,而不會背離本專利技術的范圍和精神。同樣,為了清楚和簡明,以下的描述中省略了對公知功能和結構的描述。專利技術人在實現本專利技術的過程中發現,濾波器的傳輸零點受到電路中的電感性器件之間的互感的影響。參考圖2A和圖2B,圖2A是與本專利技術本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種壓電聲波濾波器,所述壓電聲波濾波器包括多個壓電聲波諧振器,以及多個與所述壓電聲波諧振器連接的電感器,其特征在于,在所述電感器中,至少有兩個電感器之間的互感電感值位于區間[0.01nH,1nH]內。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員:張浩,周沖,龐慰,
申請(專利權)人:天津大學,
類型:發明
國別省市:
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