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    一種金字塔點陣金屬-環(huán)氧樹脂基阻尼復合結構及其制備方法技術

    技術編號:8295414 閱讀:312 留言:0更新日期:2013-02-06 19:10
    一種金字塔點陣金屬-環(huán)氧樹脂基阻尼復合結構的制備方法,將金字塔點陣金屬材料與環(huán)氧樹脂基阻尼材料灌注復合獲得輕質隔振材料。本發(fā)明專利技術實現(xiàn)金字塔點陣金屬和環(huán)氧樹脂基阻尼材料復合結構的制備。這種金字塔點陣金屬-環(huán)氧樹脂基阻尼復合結構夾層板,在機械制造、軍事領域具有廣泛應用前景,它可以有效減輕結構重量,改善阻尼特性、減振性能。

    【技術實現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術涉及一種金字塔結構點陣金屬夾層板的制備方法,具體涉及。
    技術介紹
    超輕多孔金屬材料是近些年來隨著材料制備以及機械加工技術的迅速發(fā)展而出現(xiàn)的一類新穎多功能材料。其芯體具有高孔隙率,其微結構按規(guī)則程度可分為無序和有序兩大類,前者包括閉孔泡沫鋁材料,而后者包括二維點陣材料(如波紋結構)與三維桁架結構(如金字塔結構、四面體結構)。目前,點陣夾層結構作為金屬類復合材料,由于其自身阻尼較小,沒有損耗能量的 途徑,所以其在減振方面有天生的缺陷。
    技術實現(xiàn)思路
    本專利技術的目的在于提供一種結合金字塔點陣金屬夾層板和環(huán)氧樹脂基阻尼材料各自優(yōu)勢,通過復合的方式實現(xiàn)各自的功能優(yōu)勢集成,實現(xiàn)多種功能融合于一身的填充環(huán)氧樹脂基阻尼材料的金字塔點陣金屬-環(huán)氧樹脂基阻尼復合結構及其制備方法。為達到上述目的,本專利技術的制備方法如下I)首先,將沖孔菱形網(wǎng)或平整過的拉伸網(wǎng)采用模壓或者滾壓技術形成金字塔芯體,將金字塔結構芯體與面板連接制成金字塔結構點陣金屬夾層板,其中金字塔點陣芯體的相對密度為I 10% ;2)其次,采用透明膠帶封裝金字塔夾層結構的三邊,將未封裝邊朝上置于夾鉗下保持豎直放置;3)然后,在室溫環(huán)境下,將環(huán)氧樹脂基阻尼材料與固化劑端氨基聚醚按I 3 :1的質量比混合均勻得混合漿料;4)最后,將漿料灌注于芯體孔中,室溫靜置2 3天或于40 60°C烘箱固化,得到填充環(huán)氧樹脂基阻尼材料的金字塔結構點陣金屬夾層板。所述的菱形網(wǎng)的材質為碳鋼、不銹鋼、純鋁或鋁合金。所述的拉伸網(wǎng)為鋼板網(wǎng)或鋁板網(wǎng)。所述步驟I)連接前將金字塔芯體和面板清洗去除油污和銹跡。所述的連接采用釬焊、激光焊或環(huán)氧膠接。按本專利技術的制備方法制成的金字塔點陣金屬-環(huán)氧樹脂基阻尼復合結構為該復合結構由金字塔結構芯體與面板構成的金字塔點陣金屬夾層板以及全部灌注于該夾層板的金字塔結構芯體中孔內(nèi)的環(huán)氧樹脂基阻尼材料構成。由于粘彈性材料具有高阻尼特性,能在相當寬的頻帶內(nèi)起到抑制振動和噪聲的作用,被廣泛應用于阻尼減振結構,是控制結構及儀器設備振動、沖擊和噪聲的有效手段。但是粘彈性材料由于模量過低,一般不能成為工程中的結構材料,本專利技術將二者結合起來達到二者的優(yōu)勢互補,成為一種輕質高強度工程減振材料。本專利技術應用金字塔點陣金屬夾層結構優(yōu)異的力學性能以及環(huán)氧樹脂基阻尼材料減振吸能的各自優(yōu)勢,將兩種結構復合結合兩者的優(yōu)點,實現(xiàn)多功能的耦合,獲得綜合性能更加優(yōu)異的結構功能材料。與傳統(tǒng)蜂窩結構相比,本專利技術運用金字塔點陣通孔結構,更便于與環(huán)氧樹脂基阻尼材料的復合,具有更低的制造成本。附圖說明圖I金字塔點陣金屬夾層板的結構示意圖;圖2填充阻尼材料的金字塔點陣金屬結構示意圖。具體實施例方式下面結合附圖及實施例對本專利技術作進一步詳細說明。 實施例I :I)首先,將沖孔菱形碳鋼網(wǎng)采用模壓技術形成金字塔芯體1,將金字塔芯體I和面板2清洗去除油污和銹跡后將金字塔結構芯體I與面板2采用釬焊連接制成金字塔結構點陣金屬夾層板,參見圖I ;2)其次,采用透明膠帶封裝金字塔夾層結構的三邊,將未封裝邊朝上置于夾鉗下保持豎直放置;3)然后,在室溫環(huán)境下,將環(huán)氧樹脂基阻尼材料與固化劑端氨基聚醚按I :1的質量比混合均勻得漿料;4)最后,將漿料灌注于芯體孔3中,室溫靜置2 3天固化,得到填充環(huán)氧樹脂基阻尼材料的金字塔結構點陣金屬夾層板,參見圖2。其中金字塔點陣芯體的相對密度為I 10%,混合漿料密度O. 90 I. Og/cm3。實施例2 I)首先,將沖孔菱形不銹鋼網(wǎng)采用滾壓技術形成金字塔芯體1,將金字塔芯體I和面板2清洗去除油污和銹跡后將金字塔結構芯體I與面板2采用激光焊連接制成金字塔結構點陣金屬夾層板,參見圖I ;2)其次,采用透明膠帶封裝金字塔夾層結構的三邊,將未封裝邊朝上置于夾鉗下保持豎直放置;3)然后,在室溫環(huán)境下,將環(huán)氧樹脂基阻尼材料與固化劑端氨基聚醚按2 1的質量比混合均勻得漿料;4)最后,將漿料灌注于芯體孔3中,于40°C烘箱固化,得到填充環(huán)氧樹脂基阻尼材料的金字塔結構點陣金屬夾層板,參見圖2。其中金字塔點陣芯體的相對密度為I 10%,混合漿料密度O. 90 L Og/cm3。實施例3 I)首先,將沖孔菱形純鋁網(wǎng)采用模壓形成金字塔芯體1,將金字塔芯體I和面板2清洗去除油污和銹跡后將金字塔結構芯體I與面板2采用環(huán)氧膠連接制成金字塔結構點陣金屬夾層板,參見圖I ;2)其次,采用透明膠帶封裝金字塔夾層結構的三邊,將未封裝邊朝上置于夾鉗下保持豎直放置;3)然后,在室溫環(huán)境下,將環(huán)氧樹脂基阻尼材料與固化劑端氨基聚醚按3 1的質量比混合均勻得漿料;4)最后,將漿料灌注于芯體孔3中,室溫靜置2 3天固化,得到填充環(huán)氧樹脂基阻尼材料的金字塔結構點陣金屬夾層板,參見圖2。其中金字塔點陣芯體的相對密度為I 10%,混合漿料密度O. 90 I. Og/cm3。實施例4 I)首先,將沖孔菱形鋁合金網(wǎng)采用滾壓技術形成金字塔芯體1,將金字塔芯體I和面板2清洗去除油污和銹跡后將金字塔結構芯體I與面板2采用釬焊連接制成金字塔結構 點陣金屬夾層板,參見圖I ;2)其次,采用透明膠帶封裝金字塔夾層結構的三邊,將未封裝邊朝上置于夾鉗下保持豎直放置;3)然后,在室溫環(huán)境下,將環(huán)氧樹脂基阻尼材料與固化劑端氨基聚醚按I. 5 1的質量比混合均勻得漿料;4)最后,將漿料灌注于芯體孔3中,于50°C烘箱固化,得到填充環(huán)氧樹脂基阻尼材料的金字塔結構點陣金屬夾層板,參見圖2。其中金字塔點陣芯體的相對密度為I 10%,混合漿料密度O. 90 L Og/cm3。實施例5 I)首先,將平整過的拉伸鋼板網(wǎng)采用模壓技術形成金字塔芯體1,將金字塔芯體I和面板2清洗去除油污和銹跡后將金字塔結構芯體I與面板2采用激光焊連接制成金字塔結構點陣金屬夾層板,參見圖I ;2)其次,采用透明膠帶封裝金字塔夾層結構的三邊,將未封裝邊朝上置于夾鉗下保持豎直放置;3)然后,在室溫環(huán)境下,將環(huán)氧樹脂基阻尼材料與固化劑端氨基聚醚按2. 5 1的質量比混合均勻得漿料;4)最后,將漿料灌注于芯體孔3中,室溫靜置2 3天固化,得到填充環(huán)氧樹脂基阻尼材料的金字塔結構點陣金屬夾層板,參見圖2。其中金字塔點陣芯體的相對密度為I 10%,混合漿料密度O. 90 I. Og/cm3。實施例6 I)首先,將平整過的拉伸鋁板網(wǎng)采用滾壓技術形成金字塔芯體1,將金字塔芯體I和面板2清洗去除油污和銹跡后將金字塔結構芯體I與面板2采用環(huán)氧膠連接制成金字塔結構點陣金屬夾層板,參見圖I ;2)其次,采用透明膠帶封裝金字塔夾層結構的三邊,將未封裝邊朝上置于夾鉗下保持豎直放置;3)然后,在室溫環(huán)境下,將環(huán)氧樹脂基阻尼材料與固化劑端氨基聚醚按2 1的質量比混合均勻得漿料;4)最后,將漿料灌注于芯體孔3中,于60°C烘箱固化,得到填充環(huán)氧樹脂基阻尼材料的金字塔結構點陣金屬夾層板,參見圖2。其中金字塔點陣芯體的相對密度為I 10%,混合漿料密度O. 90 L Og/cm3。權利要求1.一種金字塔點陣金屬-環(huán)氧樹脂基阻尼復合結構的制備方法,其特征在于 1)首先,將沖孔菱形網(wǎng)或平整過的拉伸網(wǎng)采用模壓或者滾壓技術形成金字塔芯體(I),將金字塔結構芯體(I)與面板(2)連接制成金字塔結構點陣金屬夾層板,其中金字塔點陣芯體的相對密度為I 1本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術保護點】
    一種金字塔點陣金屬?環(huán)氧樹脂基阻尼復合結構的制備方法,其特征在于:1)首先,將沖孔菱形網(wǎng)或平整過的拉伸網(wǎng)采用模壓或者滾壓技術形成金字塔芯體(1),將金字塔結構芯體(1)與面板(2)連接制成金字塔結構點陣金屬夾層板,其中金字塔點陣芯體的相對密度為1~10%;2)其次,采用透明膠帶封裝金字塔夾層結構的三邊,將未封裝邊朝上置于夾鉗下保持豎直放置;3)然后,在室溫環(huán)境下,將環(huán)氧樹脂基阻尼材料與固化劑端氨基聚醚按1~3:1的質量比混合均勻得混合漿料;4)最后,將漿料灌注于芯體孔(3)中,室溫靜置2~3天或于40~60℃烘箱固化,得到填充環(huán)氧樹脂基阻尼材料的金字塔結構點陣金屬夾層板。

    【技術特征摘要】

    【專利技術屬性】
    技術研發(fā)人員:金峰張錢城盧天健陳仕卿
    申請(專利權)人:西安交通大學
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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