【技術實現步驟摘要】
本技術涉及一種直流升壓電路。
技術介紹
目前，一般通過Boost電路(開關直流升壓電路)實現直流-直流的升壓變換，結構如圖I所示。其中，在充電過程中，開關管Q’(三極管或者MOS管)導通，輸入電壓流過電感。二極管D’防止電容C’對地放電。由于輸入電壓Vin’是直流電，所以電感L’上的電流以一定的比率線性增加，這個比率跟電感大小有關。隨著電感電流增加，電感L’里儲存了一些能量；放電過程中，開關管Q’截止，由于電感L’的電流保持特性，流經電感L’的電流不會馬上變為0，而是緩慢的由充電完畢時的值變為O。而原來的電路已斷開，于是電感L’只能通過新電路放電，即開始給電容C’充電，電容C’兩端電壓升高，此時輸出電壓V-’已 經高于輸入電壓Vin’，升壓完畢。但是，在升壓時，很容易損壞部件，一旦某個部件損壞，只能停止運行。并且，二極管D’和開關管Q’都有相應的開關損耗，尤其是開關管Q’，制約著功率和效率。
技術實現思路
本技術的目的在于克服現有技術的缺陷而提供一種高功率和高效率的直流升壓電路，它具有兩套相互獨立的升壓電路，可以同時工作也可以輪流工作，并且在其中一套損壞的時候整體還能正常工作，延長了電路的使用時間。實現上述目的的技術方案是一種直流升壓電路，包括斷路器、第一電感、第二電感、第一 MOSFET (金屬-氧化層-半導體-場效晶體管)、第二 M0SFET、第一二極管、第二二極管和電容，其中所述第一電感的一端連接所述斷路器并且通過該斷路器接收輸入電壓，另一端分別連接所述第一二極管的正極和所述第一 MOSFET的漏極；所述第二電感的一端連接所述斷路器并且通過該斷路器接收...
【技術保護點】
一種直流升壓電路，其特征在于，包括斷路器、第一電感、第二電感、第一MOSFET、第二MOSFET、第一二極管、第二二極管和電容，其中：所述第一電感的一端連接所述斷路器并且通過該斷路器接收輸入電壓，另一端分別連接所述第一二極管的正極和所述第一MOSFET的漏極；所述第二電感的一端連接所述斷路器并且通過該斷路器接收輸入電壓，另一端分別連接所述第二二極管的正極和所述第二MOSFET的漏極；所述電容的一端分別連接所述第一二極管的負極和所述第二二極管的負極，另一端分別連接所述第一MOSFET的源極和所述第二MOSFET的源極；所述電容與第一二極管以及第二二極管的相接端輸出輸出電壓；所述電容與第一MOSFET以及第二MOSFET的相接端接地。
【技術特征摘要】
1.一種直流升壓電路，其特征在于，包括斷路器、第一電感、第二電感、第一 MOSFET、第二 M0SFET、第一二極管、第二二極管和電容，其中 所述第一電感的一端連接所述斷路器并且通過該斷路器接收輸入電壓，另一端分別連接所述第一二極管的正極和所述第一 MOSFET的漏極； 所述第二電感的一端連接所述斷路器并且通過該斷路器接收輸入電壓，另一端分別連接所述第二二極管的正極和所述第二 MOSFE...
【專利技術屬性】
技術研發人員：姚建歆，周曞昕，鄭季偉，徐劍，顧臨峰，李志龍，王國友，倪東海，程正敏，唐海強，王飆，徐剛，周靜，
申請(專利權)人：上海市電力公司，
類型：實用新型
國別省市：
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