選擇性腐蝕石英晶片的裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種選擇性腐蝕石英晶片的裝置，包括由耐腐蝕材料制成的上、下夾板，上夾板下端面與下夾板上端面上有相互配合的平面區(qū)域，下夾板上端面的平面區(qū)域開有數(shù)個(gè)與晶體方片形成配合的模腔，上、下夾板上分別開有與晶體方片上、下端待腐蝕區(qū)域相通的腐蝕孔，腐蝕孔的形狀與晶體方片待腐蝕區(qū)域形狀相同。本發(fā)明專利技術(shù)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，裝配方便，可以滿足石英晶片深度腐蝕的要求，與曝光掩膜法相比，具有加工工序短、操作簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，可以大幅度降低晶片加工成本。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種石英晶片的加工裝置，具體地說是一種選擇性腐蝕石英晶片的裝置。
技術(shù)介紹
現(xiàn)有石英晶片制造過程中的腐蝕工序是晶片制造過程中的最后工序。腐蝕的作用是將晶片因研磨來的破壞層去掉，降低石英晶體諧振器的等效串聯(lián)阻抗，所以腐蝕掉的厚度一般僅有幾微米，腐蝕時(shí)間短，整個(gè)晶片表面都要腐蝕到，因此只需將晶片放入網(wǎng)籃中搖擺以保證晶片充分散開。而在深腐蝕工藝中，腐蝕的作用相當(dāng)于研磨，腐蝕的厚度根據(jù)目標(biāo)頻率的不同至少需幾十微米，且需要腐蝕的是晶片的震蕩部分，為選擇性腐蝕。選擇性腐蝕主要采用曝光掩膜法。即先在晶體方片表面涂覆感光材料，然后將需曝光的圖形夾持在晶體方片兩面，經(jīng)曝光后使得需要腐蝕的部分暴露出來，再將晶體方片整體放入腐蝕液中腐蝕。待腐蝕完成后，去除掉保護(hù)層。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是腐蝕深度可控，缺點(diǎn)是工序非常復(fù)雜，加工成本高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種選擇性腐蝕石英晶片的裝置，用該裝置深腐蝕晶體方片，不僅可以獲得高頻率晶體器件，而且工序簡(jiǎn)單，可以降低加工成本。本專利技術(shù)采用了以下技術(shù)方案包括由耐腐蝕材料制成的上、下夾板，上夾板下端面與下夾板上端面上有相互配合的平面區(qū)域，下夾板上端面的平面區(qū)域開有數(shù)個(gè)與晶體方片形成配合的模腔，上、下夾板上分別開有與晶體方片上、下端待腐蝕區(qū)域相通的腐蝕孔，腐蝕孔的形狀與晶體方片待腐蝕區(qū)域形狀相同。加工時(shí)，將晶體方片放入下夾板的模腔中，將上夾板蓋在下夾板上并用夾具夾緊，再將其放入腐蝕液中，腐蝕液通過腐蝕孔對(duì)晶體方片上、下表面的腐蝕孔暴露區(qū)域進(jìn)行腐蝕，選擇合適的腐蝕時(shí)間即可獲得相應(yīng)頻率的晶體器件。為了防止腐蝕液由上、下夾板之間的間隙滲入模腔中，腐蝕晶休體方片不需腐蝕的區(qū)域，影響產(chǎn)品的性能，本專利技術(shù)上、下夾板的邊緣設(shè)有與平面區(qū)域交錯(cuò)設(shè)置的配合面，可以防止腐蝕液由上、下夾板四周滲入。為了方便上、下夾板的安裝，上、下夾板的邊緣對(duì)應(yīng)位置開有定位孔。本專利技術(shù)的一個(gè)優(yōu)選方案是上、下夾板呈對(duì)稱設(shè)置，上夾板下端面和下夾板上端面的平面區(qū)域分別開有上、下模腔，上、下模腔合在一起形成與晶體方片形成配合的整體模腔。這種結(jié)構(gòu)的上、下夾板互換性好，容易操作，不會(huì)發(fā)生裝配錯(cuò)誤，可提高裝配效率。本專利技術(shù)采用上、下夾板作為選擇性腐蝕石英晶片的裝置，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，裝配方便，可以滿足石英晶片深度腐蝕的要求，用它加工的晶片振蕩頻率可以提高至60 255MHz，可以滿足高基頻石英晶體諧振器的需要，并且與曝光掩膜法相比，具有加工工序短、操作簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，可以大幅度降低晶片加工成本。附圖說明圖I為本專利技術(shù)結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖I中晶片的俯視圖。具體實(shí)施例方式由圖I和圖2所示，本專利技術(shù)選擇性腐蝕石英晶片的裝置，包括由耐腐蝕材料制成的上、下夾板1、2，上、下夾板呈對(duì)稱設(shè)置，上夾板I下端面與下夾板2上端面的中部區(qū)域有相互配合的平面區(qū)域，上夾板I下端面和下夾板2上端面的平面區(qū)域分別開有數(shù)個(gè)與晶體方片形成配合、且高度為晶體方片厚度一半的上、下模腔13、23。本例中上、下夾板1、2上分別設(shè)有四個(gè)上、下模腔13、23，每個(gè)模腔可放置一塊晶體方片。 上、下夾板1、2上分別開有與晶體方片上、下端待腐蝕區(qū)域相通的四個(gè)腐蝕孔11、21，腐蝕孔11、21的形狀與晶體方片待腐蝕區(qū)域形狀相同。本例中加工的晶體方片呈長(zhǎng)方形的薄片，可切割成四塊晶片，每個(gè)晶片的上下兩面中間有經(jīng)腐蝕的圓形凹槽。上、下夾板1、2可以采用非對(duì)稱結(jié)構(gòu)，即上述模腔可以單獨(dú)設(shè)在下夾板上端面。上、下夾板1、2的邊緣設(shè)有相互配合的凸起12、22，凸起部分的配合面與上、下夾板1、2中間的平面區(qū)域形成交錯(cuò)設(shè)置，以防止腐蝕液由上、下夾板四周滲入。上述凸起的形狀不局限于實(shí)施例圖I和圖2中的形狀，可以是設(shè)在下夾板表面的斷面呈弧形或方形或倒V形等形狀，上夾板上設(shè)有與之形狀配合的凹槽。當(dāng)然相鄰兩個(gè)模腔之間的平面區(qū)域也可以設(shè)置類似的防滲漏結(jié)構(gòu)。上、下夾板1、2的邊緣對(duì)應(yīng)位置開有定位孔4，可以方便上、下夾板的裝配。加工時(shí)，先將四塊晶體方片分別放入下夾板2的四個(gè)下模腔23中，在合上上夾板I，用夾具將上、下夾板I、2夾緊，再將其放入腐蝕液中，腐蝕液通過上、下夾板1、2上的腐蝕孔11、21對(duì)晶體方片上、下表面的腐蝕孔暴露區(qū)域進(jìn)行腐蝕，待腐蝕結(jié)束后，取出并從上下夾板中取出晶體方片，再經(jīng)粘跎、切跎、磨邊、分選等工序制成晶片。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
選擇性腐蝕石英晶片的裝置，其特征是：包括由耐腐蝕材料制成的上、下夾板(1、2)，上夾板(1)下端面與下夾板(2)上端面上有相互配合的平面區(qū)域，下夾板(2)上端面的平面區(qū)域開有數(shù)個(gè)與晶體方片形成配合的模腔，上、下夾板(1、2)上分別開有與晶體方片上、下端待腐蝕區(qū)域相通的腐蝕孔(11、21)，腐蝕孔(11、21)的形狀與晶體方片待腐蝕區(qū)域形狀相同。

【技術(shù)特征摘要】
1.選擇性腐蝕石英晶片的裝置，其特征是包括由耐腐蝕材料制成的上、下夾板(I、2)，上夾板(I)下端面與下夾板(2)上端面上有相互配合的平面區(qū)域，下夾板(2)上端面的平面區(qū)域開有數(shù)個(gè)與晶體方片形成配合的模腔，上、下夾板(1、2)上分別開有與晶體方片上、下端待腐蝕區(qū)域相通的腐蝕孔(11、21)，腐蝕孔(11、21)的形狀與晶體方片待腐蝕區(qū)域形狀相同。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的選擇性腐蝕石英晶片的裝置，其特征是上、...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：唐勁，張幫嶺，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：銅陵晶越電子有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：