本發明專利技術公開了一種圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極，由金屬底座、探針陣列、探針前端覆層以及設置在金屬底座和各個探針外側的覆層構成。一個電極的金屬底座前面固定有9個探針，后面焊接有按扣以方便進行連接。9個探針的前端覆蓋有吸水層，可以吸收導電膏或者NaCl溶液。這種探針的結構可以使電極穿過頭發進行測量，用于無需剃發的腦部電阻抗斷層成像。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于電測量領域，涉及一種成像用電極，特別是一種圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極。
技術介紹
在疾病的檢測方面，以CT、MRI為代表的現代醫學成像技術，起到了積極而關鍵的作用，為疾病的確診與救治提供了重要的參考價值。但由于這些儀器設備體積龐大、造價高昂、操作不方便，因而大多只能在患者出現重大病情變化時才予檢測，難以及早發現病情，更難以實現大范圍的快速篩查。電阻抗斷層成像技術(EIT)是一種通過體表測量方式來估算體內電特性二維或三維的成像技術。由于該技術采用安全的微弱交流電信號激勵，對人體無創無害。同時，相對 現有成像設備而言，具有結構簡單、操作簡便、設備小巧、成像速度快、系統造價低和功能成像等優點.是一種具有廣泛應用前景的成像技術。并且它的這些特點使它極為適合應用于疾病的預防和篩查工作。當前的腦部電阻抗斷層成像電極使用的是金屬杯狀Ag/AgCl電極，進行放置電極之前，必須剪掉所有的頭發，這在進行大規模的應用時顯然是不適用的。據國外文獻報道，目前有一種干電極，可以無需備皮就能進行腦部EIT成像。但是它以刺破角質層為代價，對皮膚有一定傷害，可能會引發皮膚疾病的傳播，并使得被試者皮膚紅腫，不適于用在疾病的篩查方面。所以目前的電極不能應用于EIT的腦部疾病篩查。需要一種可用于腦部EIT快速檢測的，少剃發或不剃發的高效快速的電極。
技術實現思路
本專利技術的目的在于，提供一種圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極，采用該電極不需要對被測者進行剃發和備皮，而是直接將成像電極插入被測者頭發內，測量提取被測者的腦部電阻抗信息。為了實現上述任務，本專利技術采用的技術方案是一種圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極，其特征在于，由覆蓋有Ag/Agcl鍍層的探針和底座構成，探針在底座上呈圓心和圓周方式布置，其中圓周上的探針均勻分布，所述的探針的前端有松緊環固定的親水覆層，底座的另一側連接有按扣。所述的探針和底座均由銅或Ag制成，外表面再鍍上Agcl，前端的親水覆層由海綿或紗布構成，松緊環由彈性橡膠制成。所述的金屬底座的直徑為20mm,上面每個探針的直徑為3mm,圓周上的8支探針形成一個環狀，8支探針的圓心距底座的中心為7mm。本專利技術的圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極與現有技術相比，其優點在于使用時可直接插入被測對象的頭發里面，不需要對被測對象進行剃發，備皮。不會由于頭發的厚薄而引入誤差，也不會對皮膚產生損傷。因而不但可以簡化腦部EIT成像的步驟，而且可以提供更加準確、真實的腦部成像結果。附圖說明圖I是本專利技術的圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極的結構圖。圖中的尺寸的單位為mm。圖2是一個探針的結構示意圖。下面結合附圖和實施例對本專利技術作進一步詳細說明。具體實施例方式參見圖I和圖2，本實施例給出一種圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極的結構，由覆蓋有Ag/Agcl鍍層的圓柱型探針I和底座2構成，圓柱型探針I在底座2上呈圓心和 圓周方式布置，其中圓周上的圓柱型探針I均勻分布，所述的圓柱型探針I的前端有松緊環4固定的親水覆層3，底座2的另一側連接有按扣。本實施例中，金屬底座的直徑為20mm，上面每個探針的直徑為3mm，圓周上的8支探針形成一個環狀，8支探針的圓心距底座的中心為7mm。底座2和探針I的外表面均有Ag/AgCl鍍層。前端的親水覆層3由海綿或紗布構成，松緊環4由彈性橡膠制成。圓柱型探針I上的吸水覆層3，可以吸收導電膏，使其插進頭發，并嚴密的接觸于人腦皮膚上。另一側的按扣可以使其連接在固定電極帶上，使該圓柱型探針I緊密壓合于人腦皮外部。使用時，先將該圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極上的親水覆層3蘸取適量的導電膏或Nacl溶液，再通過按扣固定在電極帶上，通過具有松緊度的電極帶，可將16個同樣的圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極束在人腦適當位置。調整圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極的角度和位置，使得每個圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極都伸入頭發內部，且使親水層與頭皮緊密接觸。從電極帶上將本實施例的圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極連接檢測導線，進行電阻抗成像。本實施例的圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極，圓柱型探針I和底座2均采用銅質或銀質材料制成，一方面便于加工，另一方面可以使電極具有優良的傳導性，較低的電阻抗。制作時，圓柱型探針I的直徑不能太大，如果直徑太大，則無法伸入頭發內，則導致圓柱型探針I前端壓在頭發上，從而會影響測量結果；圓柱型探針I直徑也不能太小，如果直徑太小，一方面不利于加工，另一方面也使得接觸面積過小，電流密度加大，從而影響成像的結果。經過仿真分析和實際檢驗，選擇圓柱型探針I的直徑為3mm是合適的。為了保證測量探針I前端與人腦皮膚的接觸面積接觸良好，探針I前端有吸水覆層，用以吸收導電膏或Nacl溶液，從而降低接觸阻抗。并且柔軟的吸水層使得測量探針更加舒適，不會有針刺感。以上的實施例只是用于幫助理解本專利技術，本專利技術不限于該實施例，本領域的技術人員在上述的圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極的尺寸以及結構進行的修正、添加和替換，都應視為 本專利技術的保護范圍。權利要求1.一種圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極，其特征在于，由覆蓋有Ag/Agcl鍍層的探針和底座構成，探針在底座上呈圓心和圓周方式布置，其中圓周上的探針均勻分布，所述的探針的前端有松緊環固定的親水覆層，底座的另一側連接有按扣。2.如權利要求I所述的圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極，其特征在于，所述的金屬底座的直徑為20mm，每個探針的直徑為3mm，圓周上的8支探針圓心距底座的中心均為7mm。3.如權利要求I所述的圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極，其特征在于，所述的探針上的親水覆層，用于吸收導電膏且插進人體的頭發，接觸于人腦皮膚上，另一側的按扣連 接在固定電極帶上。4.如權利要求I所述的圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極，其特征在于所述的探針和底座均由銅或Ag制成，外表面鍍Agcl。5.如權利要求I所述的圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極，其特征在于所述親水覆層由海綿或紗布構成，所述松緊環由彈性橡膠制成。全文摘要本專利技術公開了一種圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極，由金屬底座、探針陣列、探針前端覆層以及設置在金屬底座和各個探針外側的覆層構成。一個電極的金屬底座前面固定有9個探針，后面焊接有按扣以方便進行連接。9個探針的前端覆蓋有吸水層，可以吸收導電膏或者NaCl溶液。這種探針的結構可以使電極穿過頭發進行測量，用于無需剃發的腦部電阻抗斷層成像。文檔編號A61B5/053GK102894976SQ20121042853公開日2013年1月30日 申請日期2012年10月30日 優先權日2012年10月30日專利技術者董秀珍, 郭大龍, 付峰, 尤富生, 史學濤, 劉銳崗, 季振宇, 徐燦華, 代萌 申請人:中國人民解放軍第四軍醫大學本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極，其特征在于，由覆蓋有Ag/Agcl鍍層的探針和底座構成，探針在底座上呈圓心和圓周方式布置，其中圓周上的探針均勻分布，所述的探針的前端有松緊環固定的親水覆層，底座的另一側連接有按扣。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：董秀珍，郭大龍，付峰，尤富生，史學濤，劉銳崗，季振宇，徐燦華，代萌，
申請(專利權)人：中國人民解放軍第四軍醫大學，
類型：發明
國別省市：
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