本發(fā)明專利技術(shù)公開一種電磁屏蔽材料、應(yīng)用及其制造工藝，其中，其包括至少一層：導(dǎo)磁性金屬層；所述導(dǎo)磁性金屬層的第一表面為通過電化學(xué)處理形成鍍層；所述導(dǎo)磁性金屬層為通過橫向磁場熱處理后得到。進一步，還可在所述導(dǎo)磁性金屬層的第二表面涂布一導(dǎo)磁性涂層。本發(fā)明專利技術(shù)通過將導(dǎo)磁性涂層涂布在導(dǎo)磁性金屬層上，形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)可有效改善在30MHz~10GHz頻率范圍內(nèi)的磁導(dǎo)率，從而提高屏蔽效果。另外還可將導(dǎo)磁性金屬層通過橫向磁場熱處理，其處理得到的電磁屏蔽材料在2GHz以內(nèi)或者10KHz~30MHz的頻率范圍內(nèi)的磁導(dǎo)率能夠有效改善。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及電磁屏蔽材料領(lǐng)域,尤其涉及一種Flash存儲卡等電子設(shè)備用的電磁屏蔽材料、應(yīng)用及其制造工藝。
技術(shù)介紹
隨著Flash存儲卡的存儲速度的增加，F(xiàn)lash存儲卡已經(jīng)進入到幾百MHz到GHz的時代，其可用于各類電子設(shè)備作為臨時存儲和緩沖存儲的主要承載設(shè)備。但是由于高速傳輸導(dǎo)致高頻信號向外輻射，往往會干擾其它的臨近的敏感元器件，產(chǎn)生電磁干擾，這樣會很大程度影響電子設(shè)備的正常工作。因此，對例如Flash存儲卡的電子設(shè)備進行屏蔽顯得尤為重要。例如，目前也有一些技術(shù)來解決Flash存儲卡的輻射問題，例如用導(dǎo)電金屬層通 過PMC環(huán)氧封裝工藝直接將導(dǎo)電金屬層粘在Flash存儲卡的一側(cè)，實現(xiàn)屏蔽和固定的作用；或者采用導(dǎo)電油墨的噴墨打印技術(shù)，在成型好的存儲卡直接采用噴墨打印的方式將導(dǎo)電層固定到存儲卡上實現(xiàn)電磁屏蔽的功能，但由于上述方法都無法形成有效的完整法拉第電籠結(jié)構(gòu)，電磁干擾無法得到徹底解決，同時磁場分量的信號干擾也不能有效地隔離。而且這些方法也不能很好解決導(dǎo)電金屬層在高頻條件下的磁導(dǎo)率下降的問題。因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進和發(fā)展。
技術(shù)實現(xiàn)思路
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本專利技術(shù)的目的在于提供一種電磁屏蔽材料、應(yīng)用及其制造工藝，旨在解決現(xiàn)有電子設(shè)備的電磁屏蔽材料在高頻條件下磁導(dǎo)率下降以及屏蔽效果不佳的問題。本專利技術(shù)的技術(shù)方案如下 一種電磁屏蔽材料，其中，其包括至少一層 導(dǎo)磁性金屬層； 所述導(dǎo)磁性金屬層的第一表面為通過電化學(xué)處理形成鍍層； 所述導(dǎo)磁性金屬層為通過橫向磁場熱處理后得到。所述電磁屏蔽材料，其中，所述導(dǎo)磁性金屬層的第二表面涂布有一導(dǎo)磁性涂層。所述電磁屏蔽材料，其中，所述導(dǎo)磁性金屬層的材質(zhì)為鐵磁性金屬及其合金、鐵鎳合金、鈷鎳合金、鐵基或者鈷基非晶態(tài)合金、鐵基或者鈷基納米晶態(tài)合金中的一種或幾種組合物。所述電磁屏蔽材料，其中，所述電磁屏蔽材料在30MHz IOGHz頻率范圍內(nèi)的磁導(dǎo)率大于3 mH/m，在20KHz以下頻率范圍內(nèi)的相對磁導(dǎo)率為大于500，在2GHz以下頻率范圍內(nèi)的相對磁導(dǎo)率為大于5。所述電磁屏蔽材料，其中，按重量百分比計，所述導(dǎo)磁性涂層中含有不低于10%的羧基鐵粉。所述電磁屏蔽材料，其中，所述電化學(xué)處理的條件為電解液為1(Γ15%的硫酸溶液，電解液中鐵、鎳離子含量為5 10g/l，電流密度為I. (Γ2. lA/dm2。所述電磁屏蔽材料，其中，所述鍍層為具有不規(guī)則島狀結(jié)構(gòu)的高比表面積層。一種所述電磁屏蔽材料的應(yīng)用，其中，將所述電磁屏蔽材料用于屏蔽Flash存儲卡的福射，所述電磁屏蔽材料的第一表面通過環(huán)氧封裝層與Flash存儲卡的電路基板結(jié)八口 ο一種制造所述電磁屏蔽材料的工藝，其中，包括步驟將導(dǎo)磁性金屬層的第一表面進行電化學(xué)處理獲得鍍層，并通過橫向磁場熱處理后制得所述電磁屏蔽材料。 所述的制造工藝，其中，還包括步驟將所述導(dǎo)磁性金屬層的第二表面涂布一層導(dǎo)磁性涂層。有益效果本專利技術(shù)提供的電磁屏蔽材料，通過將導(dǎo)磁性金屬層通過橫向磁場熱處理，其處理得到的電磁屏蔽材料在2GHz以內(nèi)或者IOKHf 30MHz的頻率范圍內(nèi)的磁導(dǎo)率能夠有效改善，還可通過將導(dǎo)磁性涂層涂布在導(dǎo)磁性金屬層上，形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)可有效改善在30MHz^l0GHz頻率范圍內(nèi)的磁導(dǎo)率，從而提高屏蔽效果。本專利技術(shù)還采用電化學(xué)處理方式對導(dǎo)磁性金屬層進行電化學(xué)處理，從而使導(dǎo)磁性金屬層表面生成島狀的高比表面積的鍍層，最終與封裝環(huán)氧層的結(jié)合效果更好，老化熱沖擊也不會撬開，提高了結(jié)合強度。附圖說明圖I為本專利技術(shù)中導(dǎo)磁性金屬層中優(yōu)選的鐵鎳合金的性能示意圖。圖2為本專利技術(shù)中導(dǎo)磁性金屬層經(jīng)過電化學(xué)處理及橫向磁場熱處理后的性能示意圖。圖3為本專利技術(shù)中電磁屏蔽材料與Flash存儲卡電路基板第一步的封裝示意圖。圖4為本專利技術(shù)中電磁屏蔽材料與Flash存儲卡電路基板第二步的封裝示意圖。圖5為本專利技術(shù)中電磁屏蔽材料與Flash存儲卡電路基板第三步的封裝示意圖。圖6為現(xiàn)有技術(shù)中電磁屏蔽材料與環(huán)氧封裝層的截面結(jié)構(gòu)圖。圖7為本專利技術(shù)電磁屏蔽材料與環(huán)氧封裝層的截面結(jié)構(gòu)圖。圖8為現(xiàn)有技術(shù)中的Flash存儲卡的元器件電磁輻射示意圖。圖9為本專利技術(shù)的Flash存儲卡的元器件電磁輻射示意圖。圖10為本專利技術(shù)的導(dǎo)磁性涂層的配方、工藝及性能示意圖。具體實施例方式本專利技術(shù)提供一種電磁屏蔽材料、應(yīng)用及其制造工藝，為使本專利技術(shù)的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對本專利技術(shù)進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本專利技術(shù)，并不用于限定本專利技術(shù)。本專利技術(shù)的電磁屏蔽材料，其包括導(dǎo)磁性金屬層，以及可選的導(dǎo)磁性涂層；所述導(dǎo)磁性涂層為通過涂布工藝直接涂布在所述導(dǎo)磁性金屬層表面，所述導(dǎo)磁性金屬層為通過橫向磁場熱處理后得到。所述的導(dǎo)磁性金屬層，其材質(zhì)可選的有I、鐵磁性金屬及其合金，例如以鐵、鈷或鎳單質(zhì)金屬及其合金制成的導(dǎo)磁性金屬微帶，鐵磁性金屬主要是指過渡族金屬及它們的合金和化合物，并且具有良好的鐵磁性；2、鐵鎳合金或者鈷鎳合金，鐵鎳合金是一種在弱磁場中具有高磁導(dǎo)率和低矯頑力的低頻軟磁材料，鈷鎳合金也是一種具有高磁導(dǎo)率和低矯頑力的軟磁材料；3、鐵基或鈷基非晶態(tài)合金，鐵基或鈷基非晶態(tài)合金是通過非晶態(tài)合金經(jīng)過熱處理后獲得的性能優(yōu)越的合金；4、鐵基或鈷基納米晶態(tài)合金，其也是一種由非晶態(tài)合金經(jīng)過熱處理后獲得的軟磁材料合金。上述這些材料都具有較高的磁導(dǎo)率和低矯頑力，因而適合于作為導(dǎo)磁性金屬層，起到電磁屏蔽的作用。本專利技術(shù)中的導(dǎo)磁性金屬層其厚度優(yōu)選為在10微米 1000微米厚度范圍內(nèi)，更優(yōu)選的是在10微米 100微米的厚度范圍內(nèi)，更最優(yōu)選的是10微米 50微米的厚度范圍內(nèi)。較薄的導(dǎo)磁性金屬層，利于與封裝環(huán)氧層形成高比表面層的結(jié)合面，從而提高結(jié)合效果以及結(jié)合強度，并且其最終的導(dǎo)磁效果更好。 本專利技術(shù)中的導(dǎo)磁性金屬層，尤其是導(dǎo)磁性合金層在高頻狀態(tài)下，其磁導(dǎo)率降幅較大，所以為了解決導(dǎo)磁性金屬層在高頻下的降頻問題，本專利技術(shù)對導(dǎo)磁層金屬層進行橫向磁場熱處理，或采用將具有優(yōu)異導(dǎo)磁率的導(dǎo)磁性涂層涂布于導(dǎo)磁性金屬層上，或者采用二者的結(jié)合進行處理，以提高導(dǎo)磁性金屬層在高頻狀態(tài)下的磁導(dǎo)率。本專利技術(shù)在對導(dǎo)磁性金屬層進行橫向磁場熱處理或者涂布處理之前，還對導(dǎo)磁性金屬層進行電化學(xué)處理，使導(dǎo)磁性金屬層的表面發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)，使導(dǎo)磁性金屬層的表面生成一層高比表面層的鍍層。電化學(xué)處理的條件優(yōu)選為電解液為1(Γ15%的硫酸溶液，電解液中鐵、鎳離子含量為5 10g/l，溫度為21度，電流密度為I. (Γ2. lA/dm2，初始電壓為26V，末尾電壓為120V，電解時間為3(T60min。所得到的高比表面積的鍍層的形狀為不規(guī)則的島狀結(jié)構(gòu)，其與環(huán)氧、聚酯等塑料材料具有良好的浸潤特性和固化粘接效果。具體的詳細(xì)實施例可見后文。下面對橫向磁場熱處理及涂布處理進行詳細(xì)的說明。橫向磁場熱處理是指在磁場中居于居里溫度附近將材料保溫若干時間后冷卻，或以一定的速度在磁場中冷卻的熱處理過程。本專利技術(shù)米用橫向磁場熱處理技術(shù)，在熱處理時磁場方向與試樣實際使用的磁通方向相垂直，從而使材料或試樣的磁導(dǎo)率在一定磁場范圍內(nèi)保持恒定不變。本專利技術(shù)中的橫向磁場熱處理的條件為處于氫氣保護熱處理條件，退火溫度為1050^1150度,保溫時間為4. 5^6. 5小時。在本專利技術(shù)中，米用橫向磁場熱處理時,可本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種電磁屏蔽材料，其特征在于，其包括至少一層：導(dǎo)磁性金屬層；所述導(dǎo)磁性金屬層的第一表面為通過電化學(xué)處理形成鍍層；所述導(dǎo)磁性金屬層為通過橫向磁場熱處理后得到。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉偉德，
申請(專利權(quán))人：劉偉德，
類型：發(fā)明
國別省市：
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